【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体管芯、半导体封装件及其形成方法。
技术介绍
1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改进源于最小部件尺寸的迭代减小，这允许更多的组件集成至给定区中。随着对缩小电子器件的需求增长，出现了用于半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的趋势。这样的封装系统的实例是层叠封装(pop)技术。在pop器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以提供高水平的集成和组件密度。pop技术通常能够在印刷电路板(pcb)上生产具有增强功能和小覆盖区的半导体器件。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：形成第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯包括：第一有源器件，沿第一衬底；第一静电放电阱，沿所述第一衬底；第一接合焊盘，位于所述第一衬底上方并且电连接至所述第一有源器件；以及第一避雷导体，位于所述第一衬底上方并且电连接至所述第一静电放电阱；形成第二集成电路管芯，所述第二集成电路管芯包括：第二有源器件，沿第二衬底；第二静电放电阱，沿所述第二衬底；第二接合焊盘，位于所述第二衬底上方并且电耦合至所述第二有源器件；以及第二避雷导体，位于所述第二衬底上方并且电连接至所述第二静电放电阱；以及将所述第一集成电路管芯接合至所述第二集成电路管芯。
2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体管芯，包括：有源器件，沿半导体衬底的前侧；静电放电阱，沿所述半
3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一有源器件，沿第一衬底；第一静电放电阱，沿所述第一衬底；第一互连结构，位于所述第一有源器件和所述第一静电放电阱上方；第一接合焊盘，位于所述第一互连结构上方并且电连接至所述第一有源器件；第一避雷导体，位于所述第一互连结构上方并且电连接至所述第一静电放电阱；第二接合焊盘，位于所述第一接合焊盘上方并且直接接合至所述第一接合焊盘；第二避雷导体，位于所述第一避雷导体上方并且直接接合至所述第一避雷导体；第二互连结构，位于所述第二接合焊盘和所述第二避雷导体上方；第二有源器件，位于所述第二互连结构上方并且电连接至所述第二接合焊盘；以及第二静电放电阱，位于所述第二互连结构上方并且电连接至所述第二避雷导体。
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1.一种形成半导体封装件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括从晶圆分割所述第一集成电路管芯，其中，所述分割包括在所述第一集成电路管芯上累积正电荷。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，在移动所述第一集成电路管芯期间：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一避雷导体和所述第二避雷导体的每个成形为线段或十字。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一避雷导体包括所述第一集成电路管芯的第一表面中的开口，其中，所述开口具有深度，其中，所述第二避雷导体包括从所述第二集成电路管芯的第二表面突出的导电部件，并且其中，所述导电部件具有高度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述深度大于或等于所述高度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一避雷导体包括第三接合焊盘，并且其中，所述第二避雷导体包括第四接合焊盘和设置在所述第四接合焊盘上的导电部件。
9.一种半导体管芯，包括：
10.一种半导体封装件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种形成半导体封装件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括从晶圆分割所述第一集成电路管芯，其中，所述分割包括在所述第一集成电路管芯上累积正电荷。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，在移动所述第一集成电路管芯期间：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一避雷导体和所述第二避雷导体的每个成形为线段或十字。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一避雷导体包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄靖祐，潘思行，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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