【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器方法。
技术介绍
1、使用陶瓷材料的陶瓷电子组件包括电容器、电感器、压电元件、压敏电阻器、热敏电阻器等。陶瓷电子组件中的多层陶瓷电容器(mlcc)由于其小、高容量和易于安装的优点而可用于各种电子装置中。
2、例如，多层陶瓷电容器可安装在各种电子产品(诸如，成像装置(诸如，液晶显示装置(lcd)、等离子显示装置面板(pdp)、有机发光二极管(oled)等)、计算机、个人便携式终端和智能电话)的基板上，使得多层陶瓷电容器用作起到在对其充电或从其放电的作用的片式电容器。
3、近来，非常需要高性能和小型化的多层陶瓷电容器。为了实现高容量和小尺寸化的多层陶瓷电容器，介电层和内电极层必须是薄的。随着介电层和内电极层变薄，可能发生可靠性问题，诸如，发生短路、dc劣化、击穿电压(bdv)劣化等。另一方面，在将多层陶瓷电容器用于自动驾驶车辆或电动车辆的情况下，多层陶瓷电容器不仅需要薄而且需要高可靠性。
技术实现思路
1、实施例提供了一种多层陶瓷电容器，在所述多层陶瓷电容器中，由于介电层与内电极层之间的烧结失配减少，改善了内电极层连接性，并且改善了诸如击穿电压(bdv)等的可靠性。
2、另一实施例提供了一种制造多层陶瓷电容器的方法。
3、根据实施例的多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体上。所述内电极层包括镍(ni)和铈(ce)，并且沿着所述内电极层的厚度方向
4、所述内电极层的所述界面区域中的铈(ce)相对于镍的重量百分比可以是所述内电极层的所述中央区域中的铈(ce)相对于镍的重量百分比的1.5倍至3倍。
5、基于100重量份的镍(ni)，所述内电极层可包括0.01重量份至5重量份的量的铈(ce)。
6、所述内电极层还可包括铜(cu)、银(ag)、钯(pd)和金(au)中的至少一种。
7、所述介电层可包括包含钡(ba)和钛(ti)的钛酸钡基主成分以及铈(ce)。
8、沿着所述介电层的厚度方向，所述介电层可包括上部部分、中间部分和下部部分，所述介电层的所述中间部分被称为中央区域，并且所述介电层的具有所述介电层与所述内电极层之间的界面的所述上部部分和所述下部部分中的至少一个被称为界面区域，所述介电层的所述界面区域可包括铈(ce)。
9、基于所述介电层的所述界面区域内的100摩尔份的钡(ba)，所述介电层的所述界面区域可包括0.05摩尔份至1摩尔份的量的铈(ce)。
10、所述介电层的所述界面区域可包括从所述介电层与所述内电极层之间的所述界面到深度为10nm至100nm的区域，并且基于100摩尔份的钡(ba)，所述区域可包括0.05摩尔份至1摩尔份的量的铈(ce)。
11、所述介电层的所述界面区域可包括多个介电晶粒，所述多个介电晶粒中的至少一个可具有包括核和围绕所述核的至少一部分的壳的结构，并且所述壳可包括铈(ce)。
12、所述多个介电晶粒的尺寸d50可为50nm至250nm。
13、包括在所述介电层中的铈(ce)可以是来源于用于形成所述内电极层的二氧化铈(ceo2)并且在烧结之后扩散到所述介电层中的成分。
14、根据实施例的制造多层陶瓷电容器的方法包括：通过混合包括镍(ni)和二氧化铈(ceo2)的原材料来制备导电膏；使用介电浆料制造介电生片，并且将所述导电膏印刷在所述介电生片的表面上以形成导电膏层；通过堆叠其上形成有所述导电膏层的所述介电生片来制造介电生片堆叠体；通过烧结所述介电生片堆叠体来制造包括介电层和内电极层的电容器主体；以及在所述电容器主体的表面上形成外电极。所述内电极层包括镍(ni)和铈(ce)，并且沿着所述内电极层的厚度方向，所述内电极层包括上部部分、中间部分和下部部分，所述中间部分被称为中央区域，并且具有所述内电极层与所述介电层之间的界面的所述上部部分和所述下部部分中的至少一个被称为界面区域，所述内电极层的所述中央区域和所述界面区域两者包括铈(ce)，并且所述界面区域中的铈(ce)相对于镍的重量百分比高于所述中央区域中的铈(ce)相对于镍的重量百分比。
15、相对于100重量份的所述镍(ni)，可以以0.01重量份至5重量份的量的铈混合二氧化铈(ceo2)。
16、所述原材料还可包括铜(cu)、银(ag)、钯(pd)和金(au)中的至少一种。
17、可通过混合钛酸钡基主成分粉末和副成分粉末来制备所述介电浆料。
18、所述烧结可在1000℃至1400℃的温度下进行。
19、所述烧结可在还原气氛中进行。
20、所述烧结可在氧分压为1.0×10-14mpa至1.0×10-10mpa的气氛中进行。
21、所述介电层可包括铈(ce)，铈(ce)可从用于形成所述内电极层的二氧化铈(ceo2)获得并且可在所述烧结之后扩散到所述介电层中。
22、所述副成分粉末可包括锰(mn)、铬(cr)、硅(si)、铝(al)、镁(mg)、锡(sn)、锑(sb)、锗(ge)、镓(ga)、铟(in)、钡(ba)、镧(la)、钇(y)、锕(ac)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)、铪(hf)和钒(v)中的至少一种。
23、根据实施例的多层陶瓷电容器，介电层与内电极层之间的烧结失配减少，从而改善内电极层连接性，并且改善诸如击穿电压(bdv)等的可靠性。
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1.一种多层陶瓷电容器，包括：
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极层的所述界面区域中的铈相对于镍的重量百分比是所述内电极层的所述中央区域中的铈相对于镍的重量百分比的1.5倍至3倍。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100重量份的镍，所述内电极层包括0.01重量份至5重量份的量的铈。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极层还包括铜、银、钯和金中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层包括包含钡和钛的钛酸钡基主成分以及铈。
6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，沿着所述介电层的厚度方向，所述介电层包括上部部分、中间部分和下部部分，所述介电层的所述中间部分被称为中央区域，并且所述介电层的具有所述介电层与所述内电极层之间的界面的所述上部部分和所述下部部分中的至少一个被称为界面区域，所述介电层的所述界面区域包括铈。
7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，基于所述介电层的所述界面区域内的100摩尔份的钡，所述介电层的
8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的所述界面区域包括从所述介电层与所述内电极层之间的所述界面到深度为10nm至100nm的区域，并且基于100摩尔份的钡，所述区域包括0.05摩尔份至1摩尔份的量的铈。
9.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的所述界面区域包括多个介电晶粒，所述多个介电晶粒中的至少一个具有包括核和围绕所述核的至少一部分的壳的结构，并且所述壳包括铈。
10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述多个介电晶粒的尺寸D50为50nm至250nm。
11.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，包括在所述介电层中的铈是来源于用于形成所述内电极层的二氧化铈并且在烧结之后扩散到所述介电层中的成分。
12.一种制造多层陶瓷电容器的方法，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，相对于100重量份的所述镍，以0.01重量份至5重量份的量的铈混合二氧化铈。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述原材料还包括铜、银、钯和金中的至少一种。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，通过混合钛酸钡基主成分粉末和副成分粉末来制备所述介电浆料。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述烧结在1000℃至1400℃的温度下进行。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述烧结在还原气氛中进行。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述烧结在氧分压为1.0×10-14MPa至1.0×10-10MPa的气氛中进行。
19.根据权利要求12所述的方法，其中，所述介电层包括从用于形成所述内电极层的二氧化铈获得并且在所述烧结之后扩散到所述介电层中的铈。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述副成分粉末包括锰、铬、硅、铝、镁、锡、锑、锗、镓、铟、钡、镧、钇、锕、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪和钒中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种多层陶瓷电容器，包括：
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极层的所述界面区域中的铈相对于镍的重量百分比是所述内电极层的所述中央区域中的铈相对于镍的重量百分比的1.5倍至3倍。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100重量份的镍，所述内电极层包括0.01重量份至5重量份的量的铈。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极层还包括铜、银、钯和金中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层包括包含钡和钛的钛酸钡基主成分以及铈。
6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，沿着所述介电层的厚度方向，所述介电层包括上部部分、中间部分和下部部分，所述介电层的所述中间部分被称为中央区域，并且所述介电层的具有所述介电层与所述内电极层之间的界面的所述上部部分和所述下部部分中的至少一个被称为界面区域，所述介电层的所述界面区域包括铈。
7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，基于所述介电层的所述界面区域内的100摩尔份的钡，所述介电层的所述界面区域包括0.05摩尔份至1摩尔份的量的铈。
8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的所述界面区域包括从所述介电层与所述内电极层之间的所述界面到深度为10nm至100nm的区域，并且基于100摩尔份的钡，所述区域包括0.05摩尔份至1摩尔份的量的铈。
9.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的所述界面区域包括多个介电晶粒，所述多个介电晶粒中的至...
【专利技术属性】
技术研发人员：金娜莹，黄现俊，张昌洙，郑文成，张原硕，金政民，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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