System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种大尺寸(Cu,C)-1234超导材料的制备方法及超导材料技术_技高网

一种大尺寸(Cu,C)-1234超导材料的制备方法及超导材料技术

技术编号:44783570 阅读:2 留言:0更新日期:2025-03-28 19:40
本发明专利技术给出了一种大尺寸(Cu,C)‑1234超导材料的制备方法及超导材料。该制备方法包括如下步骤:步骤1:将小尺寸(Cu,C)‑1234超导材料粉碎成粉末;步骤2:将小尺寸(Cu,C)‑1234超导粉末压制成型;步骤3:对压制成型得到的块材进行热压烧结即可得到大尺寸(Cu,C)‑1234超导材料;其中热压烧结的压力不小于300 MPa,烧结的温度为100‑350℃。本发明专利技术以直径小于5 mm的小尺寸(Cu,C)‑1234为原料,利用低温热压烧结的工艺制备了直径超过8 mm的大尺寸的具有超导传输性能的(Cu,C)‑1234超导材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超导材料制备,具体涉及一种大尺寸(cu,c)-1234超导材料的制备方法及超导材料。


技术介绍

1、1986年,随着cu基超导体的发现,超导材料的应用开始进入了液氮温区。现如今,四种铜基超导体y系(y-123等),bi系(bi-2223等),tl系(tl-2223等)和hg系(hg-1234等)已经被证实其超导转变温度tc高于77 k,具有实用化的前景。其中,y系由于较小的相干长度和极低的晶界适配角,不适用于pit技术路线制备实用化线带材,难以制备千米级的线带材,同时成本高昂。bi系则由于材料自身强二维性的限制,导致液氮(77 k)下的不可逆场(hirr)极低,无法实现液氮下的应用。而tl系和hg系的应用则受限于原料中tl和hg这种剧毒金属。1994年,kawashima t等人发现,采用(cu,c)替代hg-1234中的hg,获得了tc高达118 k的超导体。经研究发现,(cu,c)-1234在液氮温区以上依然具有非常高的上临界场(86 k下15 t,98 k下5 t)。77 k,0 t下,(cu,c)-1234的临界电流密度可以达到6.5 × 105 a/cm2。因此,(cu,c)-1234作为原料丰富,无毒无害的液氮温区超导体,有巨大的实用化潜力。

2、目前,(cu,c)-1234超导材料的制备采用六面顶压机,在约4 gpa的压力和1100 ℃的高温下烧结而成。然而,这种高温高压的制备方法难以制备大尺寸的多晶材料极大限制了(cu,c)-1234的应用场景。因此,需要提供一种能够制备大尺寸的(cu,c)-1234超导材料的方法。


技术实现思路

1、为解决上述问题,本专利技术提出了一种大尺寸 (cu,c)-1234超导材料的制备方法。该方法以小尺寸(cu,c)-1234为原料,加入金属掺杂剂,可以实现低温烧结制备大尺寸(cu,c)-1234超导材料。

2、(cu,c)-1234的化学式为(cu,c)ba2ca3cu4o11+δ。

3、本专利技术的另一目的是提供一种利用上述方法制备的大尺寸(cu,c)-1234超导材料。

4、本专利技术采用下述技术方案:

5、一种大尺寸(cu,c)-1234超导材料的制备方法,包括如下步骤:

6、步骤1:将小尺寸(cu,c)-1234超导材料粉碎成粉末;

7、步骤2:将小尺寸(cu,c)-1234超导粉末压制成型;

8、步骤3:对压制成型得到的块材进行热压烧结即可得到大尺寸(cu,c)-1234超导材料;其中热压烧结的压力不小于300 mpa,烧结的温度为100-350 ℃。

9、其中,所述(cu,c)-1234超导材料是六面顶压机制备出的小尺寸(cu,c)-1234超导材料。

10、其中,所述(cu,c)-1234超导材料粉末的粒径为2-20 μm。

11、其中,所述热压烧结的升温速率为3-10 ℃/min。

12、其中,热压烧结是在热压炉中进行的,热压烧结过程中保持压头位置不变。

13、其中,所述热压烧结的保温时间为1-24 h,保压时间为1-24 h。

14、其中,在步骤2之前还包括在所述小尺寸(cu,c)-1234超导粉末中加入金属掺杂剂的步骤;

15、所述金属掺杂剂为sn粉或pb粉中的一种或两者的混合物。

16、其中,所述金属掺杂剂的加入量为所述(cu,c)-1234超导材料粉末的0-11%。

17、一种大尺寸(cu,c)-1234超导材料,其采用上述的大尺寸(cu,c)-1234超导材料的制备方法制备而成,所述大尺寸(cu,c)-1234超导材料的尺寸直径大于8 mm,密度超过4.0g/cm3,致密度大于80%,维氏硬度超过300。

18、一种大尺寸(cu,c)-1234超导材料,其采用上述的大尺寸(cu,c)-1234超导材料的制备方法制备而成,所述大尺寸(cu,c)-1234超导材料的尺寸直径大于8 mm,密度超过4.0g/cm3;所述大尺寸(cu,c)-1234超导材料含有sn和pb中的至少一种元素,其中sn和/或pb分布在晶粒孔隙处。

19、本专利技术的有益效果如下:

20、(1)本专利技术以直径小于5 mm的小尺寸(cu,c)-1234为原料,利用低温热压烧结的工艺制备了直径超过8 mm的大尺寸的具有超导传输性能的(cu,c)-1234超导材料。

21、(2)本专利技术在小尺寸(cu,c)-1234粉末中掺杂低熔点金属粉末,将低熔点金属粉末作为(cu,c)-1234晶粒间的粘合剂,从而提高了低温烧结的(cu,c)-1234超导材料的致密化。

22、(3)本专利技术可以制备多种形状的(cu,c)-1234超导材料,适用于多种应用场景。

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【技术保护点】

1.一种大尺寸(Cu,C)-1234超导材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(Cu,C)-1234超导材料是六面顶压机制备出的小尺寸(Cu,C)-1234超导材料。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(Cu,C)-1234超导材料粉末的粒径为2-20 μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热压烧结的升温速率为3-10℃/min。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,热压烧结是在热压炉中进行的,热压烧结过程中保持压头位置不变。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热压烧结的保温时间为1-24 h,保压时间为1-24 h。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的制备方法,其特征在于,在步骤2之前还包括在所述小尺寸(Cu,C)-1234超导粉末中加入金属掺杂剂的步骤;

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述金属掺杂剂的加入量为所述(Cu,C)-1234超导材料粉末的0-11%。

9.一种大尺寸(Cu,C)-1234超导材料,其特征在于,采用权利要求1至6任意一项所述的大尺寸(Cu,C)-1234超导材料的制备方法制备而成,所述大尺寸(Cu,C)-1234超导材料的尺寸直径大于8 mm,密度超过4.0 g/cm3,致密度大于80%,维氏硬度超过300。

10.一种大尺寸(Cu,C)-1234超导材料,其特征在于,采用权利要求7或8所述的大尺寸(Cu,C)-1234超导材料的制备方法制备而成,所述大尺寸(Cu,C)-1234超导材料的尺寸直径大于8 mm,密度超过4.0 g/cm3;所述大尺寸(Cu,C)-1234超导材料含有Sn和Pb中的至少一种元素,其中Sn和/或Pb分布在晶粒孔隙处。

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【技术特征摘要】

1.一种大尺寸(cu,c)-1234超导材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(cu,c)-1234超导材料是六面顶压机制备出的小尺寸(cu,c)-1234超导材料。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(cu,c)-1234超导材料粉末的粒径为2-20 μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热压烧结的升温速率为3-10℃/min。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,热压烧结是在热压炉中进行的,热压烧结过程中保持压头位置不变。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热压烧结的保温时间为1-24 h,保压时间为1-24 h。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的制备方法,其特征在于,在步骤2之前还包括在所述小尺寸(cu,c)-1...

【专利技术属性】
技术研发人员:果辰姚超马衍伟王栋樑
申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
类型:发明
国别省市:

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