【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、电子设备。
技术介绍
1、随着半导体行业的不断发展，现代半导体工艺对生产环境和工艺流程提出了更高的要求。这些要求主要体现在三个方面：首先，设备需要不断先进化以适应更精密的加工需求；其次，工艺需要持续优化以提高生产效率和产品质量；最后，生产环境必须严格控制温度、湿度，并确保无尘室达到规定的无尘级数。
2、在半导体工艺中，静电问题可能造成严重的器件损害。当芯片在制造过程中积累静电时，这些静电会通过尖端放电、累积效应和转移等方式对器件造成损伤。特别是在没有适当保护措施的情况下，静电可能会造成器件的永久性损坏，而且这种静电损伤不仅会影响单个芯片，还可能导致整个晶圆级别的击伤，最终在电性测试阶段显现出来，造成产品良率的显著下降。
3、特别是在tfap(薄膜声学封装)工艺中，工序更为精密，静电对tfap的影响越来越不能忽视。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法、电子设备，用于降低静电损伤，提高电学性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括多个芯片区，所述晶圆上形成有功能层，每个所述芯片区对应的功能层均包括暴露的第一焊盘和第二焊盘；在所述晶圆上形成第一图形定义层，所述第一图形定义层具有露出所述第一焊盘和第二焊盘的凹槽结构；在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构，所述凸块结构形成在所述凹槽结构上，且所
3、本专利技术实施例还提供一种半导体结构，包括所述半导体结构的形成方法。
4、本专利技术实施例还提供一种电子设备，包括所述半导体结构。
5、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
6、本专利技术实施例提供的一种半导体结构的形成方法中，提供晶圆，所述晶圆包括多个芯片区，所述晶圆上形成有功能层，每个所述芯片区对应的功能层均包括暴露的第一焊盘和第二焊盘；在所述晶圆上形成第一图形定义层，第一图形定义层具有露出所述第一焊盘和第二焊盘的凹槽结构，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构，所述凸块结构形成在所述凹槽结构上，且所述种子结构连接相邻所述凸块结构，从而各个凸块结构呈短路状态。因此，在对凸块结构进行热回流处理的步骤中，以及将晶圆的多个所述芯片区相分离的步骤中，即使在半导体结构中产生了静电，种子结构作为电流回路可以中和静电，将静电去除，避免静电损坏晶圆，有利于提高各个芯片的电学性能。此外，在将所述晶圆分成多个芯片后，去除所述种子结构，实现了在需要防静电的工艺阶段保留种子结构，在不需要防静电的工艺阶段去除种子结构的目的，使得各个凸块结构能够独立发挥导电功能，有利于芯片顺利进行后续的测试。
7、可选方案中，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述凸块结构后，对所述种子结构进行图形化处理，在所述芯片区内部形成种子线，且所述种子线将相邻所述凸块结构连接。本专利技术实施例提供的半导体结构的形成方法中，与所述种子结构相比，种子线占用的面积小，从而在对所述凸块结构进行热回流处理的过程中，种子线受到的应力较小，能够降低晶圆产生裂片的风险。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤中，所述种子结构为种子线。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述种子结构进行图形化处理的包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述种子结构，形成所述种子线。
7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
9.如权利要求1所述的半导体结构
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述凸块结构后，对所述凸块结构进行热回流处理前，去除所述第二种子层。
11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一种子层的材料包括Ti、Cr、Ni、Sn，所述第二种子层的材料包括Cu、Al、Ag、Mo、Pt。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述凸块结构露出的种子结构。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：
14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用研磨工艺对所述晶圆进行减薄处理。
15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述晶圆上形成第一图形定义层的步骤中，所述凹槽结构是上宽下窄的结构。
16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述晶圆上形成第一图形定义层的步骤包括：
17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一子掩膜层上形成第二子掩膜层的步骤中，所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。
18.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽结构的所述种子结构上形成凸块结构的步骤包括：
19.一种半导体结构，其特征在于，包括：采用如权利要求1至18任一项所述的半导体结构的形成方法。
20.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求19所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤中，所述种子结构为种子线。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述种子结构进行图形化处理的包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述种子结构，形成所述种子线。
7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构的步骤包括：
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一图形定义层和所述凹槽结构上保形覆盖种子结构的步骤包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述凸块结构后，对所述凸块结构进行热回流处理前，去除所述第二种...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹叶妃，谷成进，刘志敏，马经博，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：
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