【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及lvdt，特别是涉及一种高线性度lvdt传感器。
技术介绍
1、lvdt是线性可变差动变压器缩写，属于直线位移传感器，lvdt拥有极高的分辨率以及可靠性，同时其结构简单成本低廉，在液压与气动领域应用广泛，但当前大量程lvdt为保证良好的线性度，通常传感器线圈长度需要大于量程的三倍以上，导致其长度较大给布置应用带来了困难，因此有必要对现有lvdt进行改进，在保证线性度的条件下缩短线圈长度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种高线性度lvdt传感器，以解决上述现有技术存在的问题，在保证线性度不变条件下进一步缩小整体长度，或在整体长度不变的条件下进一步提高线性度。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、本专利技术提供一种高线性度lvdt传感器，包括：外壳组件、连接杆、铁芯、骨架、初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈；所述骨架嵌套设置于所述外壳组件内，所述铁芯沿着长度方向能够移动地设置于所述骨架内；所述连接杆的一端连接于所述铁芯的一端，另一端自所述外壳组件中伸出；所述初级线圈绕于所述骨架上；所述第一次级线圈和所述第二次级线圈绕于所述初级线圈上形成两节叠层式lvdt；所述初级线圈包括一段初级主线圈和两段初级补偿线圈；两段所述初级补偿线圈对称设置于所述初级主线圈两侧，所述初级补偿线圈和所述初级主线圈之间具有间隔，一段所述初级补偿线圈、所述初级主线圈以及另一段所述初级补偿线圈依次串联。
4、优选的，所述骨架上套设有两段初级
5、优选的，所述初级线圈分隔环上开设有过线槽或过线孔，连接所述初级主线圈和所述初级补偿线圈的导线自所述过线槽或过线孔中穿过。
6、优选的，所述骨架上还套设有次级线圈分隔环；所述次级线圈分隔环位于所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间。
7、优选的，所述次级线圈分隔环和两个所述初级线圈分隔环与所述骨架为一体结构。
8、优选的，所述第一次级线圈和所述第二次级线圈以反向串联方式连接。
9、优选的，所述初级线圈分隔环突出于所述骨架表面的高度与所述初级线圈径向厚度尺寸相同。
10、优选的，所述外壳组件包括第一端盖、导磁外壳和第二端盖；所述导磁外壳呈两端开口的套筒状结构；所述第一端盖和所述第二端盖分别盖设于所述导磁外壳的两端，所述骨架嵌套设置于所述导磁外壳内，所述连接杆自所述第一端盖的中部伸出。
11、优选的，所述过线槽或过线孔沿着第一直线延伸设置，所述第一直线平行于所述铁芯的轴线。
12、优选的，所述初级主线圈长度为1～1.2倍铁芯长度，所述初级补偿线圈和所述初级主线圈之间间隔长度为0.3～0.4倍铁芯长度，所述初级线圈整体长度为lf所述第一次级线圈和所述第二次级线圈长度之和也为lf，所述lf为铁芯长度的1.9～2.1倍。
13、本专利技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
14、本专利技术所提供的高线性度lvdt传感器可以在保证线性度不变条件下进一步缩小整体长度，或在整体长度不变的条件下进一步提高线性度。
15、本专利技术在原有两节式层叠结构设计基础之上进行少量改进即可，无需增加额外零部件，改良成本低。
16、本专利技术也可以直接应用于现有两节叠层式lvdt，以扩大其有效量程。
17、本专利技术给出了关键参数近似比值，极大降低了设计难度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高线性度LVDT传感器，其特征在于：包括：外壳组件、连接杆、铁芯、骨架、初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈；所述骨架嵌套设置于所述外壳组件内，所述铁芯沿着长度方向能够移动地设置于所述骨架内；所述连接杆的一端连接于所述铁芯的一端，另一端自所述外壳组件中伸出；所述初级线圈绕于所述骨架上；所述第一次级线圈和所述第二次级线圈绕于所述初级线圈上；所述初级线圈包括一段初级主线圈和两段初级补偿线圈；两段所述初级补偿线圈对称设置于所述初级主线圈两侧，所述初级补偿线圈和所述初级主线圈之间具有间隔，一段所述初级补偿线圈、所述初级主线圈以及另一段所述初级补偿线圈依次串联。
2.根据权利要求1所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述骨架上套设有两段初级线圈分隔环；两段所述初级线圈分隔环分别设置于两段所述初级补偿线圈和所述初级主线圈之间。
3.根据权利要求2所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述初级线圈分隔环上开设有过线槽或过线孔，连接所述初级主线圈和所述初级补偿线圈的导线自所述过线槽或过线孔中穿过。
4.根据权利要求2所述的高线性度LVDT传感
5.根据权利要求4所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述次级线圈分隔环和两个所述初级线圈分隔环与所述骨架为一体结构。
6.根据权利要求1所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述第一次级线圈和所述第二次级线圈以反向串联方式连接。
7.根据权利要求2所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述初级线圈分隔环突出于所述骨架表面的高度与所述初级线圈径向厚度尺寸相同。
8.根据权利要求1所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述外壳组件包括第一端盖、导磁外壳和第二端盖；所述导磁外壳呈两端开口的套筒状结构；所述第一端盖和所述第二端盖分别盖设于所述导磁外壳的两端，所述骨架嵌套设置于所述导磁外壳内，所述连接杆自所述第一端盖的中部伸出。
9.根据权利要求3所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述过线槽或过线孔沿着第一直线延伸设置，所述第一直线平行于所述铁芯的轴线。
10.根据权利要求1所述的高线性度LVDT传感器，其特征在于：所述初级主线圈长度为1～1.2倍铁芯长度，所述初级补偿线圈和所述初级主线圈之间间隔长度为0.3～0.4倍铁芯长度，所述初级线圈整体长度为Lf，所述第一次级线圈和所述第二次级线圈长度之和也为Lf，所述Lf，为铁芯长度的1.9～2.1倍。
...【技术特征摘要】
1.一种高线性度lvdt传感器，其特征在于：包括：外壳组件、连接杆、铁芯、骨架、初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈；所述骨架嵌套设置于所述外壳组件内，所述铁芯沿着长度方向能够移动地设置于所述骨架内；所述连接杆的一端连接于所述铁芯的一端，另一端自所述外壳组件中伸出；所述初级线圈绕于所述骨架上；所述第一次级线圈和所述第二次级线圈绕于所述初级线圈上；所述初级线圈包括一段初级主线圈和两段初级补偿线圈；两段所述初级补偿线圈对称设置于所述初级主线圈两侧，所述初级补偿线圈和所述初级主线圈之间具有间隔，一段所述初级补偿线圈、所述初级主线圈以及另一段所述初级补偿线圈依次串联。
2.根据权利要求1所述的高线性度lvdt传感器，其特征在于：所述骨架上套设有两段初级线圈分隔环；两段所述初级线圈分隔环分别设置于两段所述初级补偿线圈和所述初级主线圈之间。
3.根据权利要求2所述的高线性度lvdt传感器，其特征在于：所述初级线圈分隔环上开设有过线槽或过线孔，连接所述初级主线圈和所述初级补偿线圈的导线自所述过线槽或过线孔中穿过。
4.根据权利要求2所述的高线性度lvdt传感器，其特征在于：所述骨架上还套设有次级线圈分隔环；所述次级线圈分隔环位于所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间。
5.根据权...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。