【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，且更特别地涉及波纹电容器。
技术介绍
1、电容器具有广泛范围的应用，例如在集成电路中与其它组件组合的用途。用于实施大电容的电容器占据裸片上的大区域。这增加裸片面积和/或可能需要每一裸片都较大，由此减少可由单个晶片制造的裸片的数目。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化形式介绍所公开概念的简要选择，所述概念将在以下包含所提供的图式的具体实施方式中进一步描述。各种所公开的装置和方法可有利地在半导体处理的上下文中应用，其中可在集成电路(ic)中制造电容器。本文中所描述的一些实例可应用于制造ic中的波纹电容器的电容器堆叠。虽然可预期此类实例实现相对于电容器的横向占据面积更大的电容器板表面积，但除非在特定权利要求中明确叙述，否则不要求特定结果。
2、本文中所描述的实例是一种ic。ic包含第一波纹导电层和第二波纹导电层及波纹介电层。第一波纹导电层和第二波纹导电层位于半导体衬底上方。波纹介电层位于第一波纹导电层与第二波纹导电层之间。
3、本文中所描述的另一实例是一种ic。ic包含位于半导体衬底上方的平行板电容器。平行板电容器包含第一波纹导电层、第二波纹导电层和波纹介电层。第一波纹导电层和第二波纹导电层位于半导体衬底上方。波纹介电层位于第一波纹导电层与第二波纹导电层之间。
4、本文中所描述的另一实例是一种制造ic的方法。在半导体衬底上方形成波纹介电结构。在波纹介电结构上方保形地形成第一导电层。第一导电层包含波纹上部表面。在第一导电层
5、前述
技术实现思路
相当广泛地概述本公开的实例的各种特征，以便可更好地理解以下具体实施方式。下文中将描述此类实例的额外特征和优点。所描述实例可易于用作用于修改或设计在所附权利要求书的范围内的其它实例的基础。
【技术保护点】
1.一种集成电路IC，其包括：
2.根据权利要求1所述的IC，其进一步包括位于所述半导体衬底与所述第一波纹导电层之间的波纹介电结构，所述波纹介电结构具有位于所述半导体衬底的平面顶部表面上的第一表面和接触所述第一波纹导电层的第二表面。
3.根据权利要求2所述的IC，其进一步包括位于所述半导体衬底与所述第一波纹导电层之间的第三导电层，所述第一波纹导电层通过所述波纹介电结构的波谷接触所述第三导电层。
4.根据权利要求3所述的IC，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的IC，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其中，在横向方向上，所述波纹上部表面遵循正弦波函数。
6.根据权利要求1所述的IC，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其中，沿从波峰到相邻波峰的横向方向，所述波纹上部表面不具有小于500nm的曲率半径。
7.根据权利要求1所述的IC，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其
8.根据权利要求1所述的IC，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其中所述波纹上部表面具有波峰和与所述波峰相邻的波谷，从所述波峰到所述波谷的高度为至少50nm。
9.根据权利要求1所述的IC，其中：
10.根据权利要求1所述的IC，其进一步包括晶体管，其中所述第一波纹导电层、所述波纹介电层和所述第二波纹导电层形成电容器，所述晶体管在电路中连接到所述电容器。
11.根据权利要求10所述的IC，其中所述第一波纹导电层由互连金属层实施，所述互连金属层提供与所述晶体管的导电连接。
12.根据权利要求1所述的IC，其中所述波纹介电层包括氧化硅、氮化硅、氧化铪或其组合。
13.一种集成电路IC，其包括：
14.根据权利要求13所述的IC，其进一步包括
15.根据权利要求14所述的IC，其进一步包括：
16.根据权利要求13所述的IC，其中，沿横向方向，所述第一波纹导电层的上部表面遵循正弦波形状。
17.根据权利要求13所述的IC，其中，沿从第一波峰穿过波谷到第二波峰的横向方向，所述第一波纹导电层的上部表面不包含曲率半径小于500nm的弯曲部。
18.根据权利要求13所述的IC，其中所述第一波纹导电层的上部表面的表面积是所述第一波纹导电层的所述上部表面的所述表面积所处的横向面积的至少1.5倍。
19.一种制造集成电路IC的方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述波纹介电结构包含：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路ic，其包括：
2.根据权利要求1所述的ic，其进一步包括位于所述半导体衬底与所述第一波纹导电层之间的波纹介电结构，所述波纹介电结构具有位于所述半导体衬底的平面顶部表面上的第一表面和接触所述第一波纹导电层的第二表面。
3.根据权利要求2所述的ic，其进一步包括位于所述半导体衬底与所述第一波纹导电层之间的第三导电层，所述第一波纹导电层通过所述波纹介电结构的波谷接触所述第三导电层。
4.根据权利要求3所述的ic，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的ic，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其中，在横向方向上，所述波纹上部表面遵循正弦波函数。
6.根据权利要求1所述的ic，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其中，沿从波峰到相邻波峰的横向方向，所述波纹上部表面不具有小于500nm的曲率半径。
7.根据权利要求1所述的ic，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其中所述波纹上部表面的表面积是所述波纹上部表面的横向占据面积的至少1.5倍。
8.根据权利要求1所述的ic，其中所述第一波纹导电层具有波纹上部表面，所述波纹介电层位于所述波纹上部表面上方，且其中所述波纹上部表面具有波峰和与所述波峰相邻的波...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·霍亨贝格尔，M·恩泽尔伯格海姆，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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