【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件清洗领域，具体涉及一种耐腐蚀涂层的处理方法。
技术介绍
1、半导体制造工艺中，半导体处理腔室部件暴露于高能量侵蚀性等离子体环境和腐蚀性环境中，为了保护腔室部件不受这些侵蚀性环境的影响，通常在腔室部件的表面涂覆有保护性涂层。氧化钇(y2o3)因其具有较好的抗冲蚀性，通常用于腔室部件涂层中。然而，目前机台服役的含氧化钇涂层喷淋头存在使用寿命短、无法再次返修利用的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种耐腐蚀涂层的处理方法，以提高半导体涂层器件的使用寿命、使其能够再次返修利用。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种耐腐蚀涂层的处理方法，包含：
3、提供一待处理工件，所述待处理工件包含一本体、覆盖于所述本体表面的耐腐蚀涂层；
4、将所述待处理工件的耐腐蚀涂层浸没于过氧化氢水溶液中；
5、提供一紫外光源，对所述耐腐蚀涂层进行辐照，所述过氧化氢水溶液裂解产生超氧自由基，所述超氧自由基能够修复所述耐腐蚀涂层的氧缺陷。
6、可选地，所述工件在工艺过程中易在其表面沉积有聚合物时，对所述耐腐蚀涂层进行辐照，在光催化下，所述过氧化氢水溶液还裂解产生羟基自由基，所述羟基自由基降解所述聚合物。
7、可选地，所述聚合物包含碳氟聚合物。
8、可选地，对所述耐腐蚀涂层进行辐照时还包括：超声处理。
9、可选地，所述超声功率为20w～50w。
10、可选地，所述处理
11、可选地，所述催化剂包含fe2+。
12、可选地，所述耐腐蚀涂层为含氧钇基涂层或含氧铝基涂层中的任意一种。
13、可选地，所述紫外光源包含短波紫外光源、中波紫外光源、长波紫外光源中的至少一种，所述短波紫外光源的波长为280nm～100nm，所述中波紫外光源的波长为315nm～280nm，所述长波紫外光源的波长为400nm～315nm。
14、可选地，所述紫外光源的波长小于300nm。
15、可选地，所述紫外光源的波长为254nm；所述紫外光源的强度为50w～80w。
16、可选地，所述过氧化氢水溶液的浓度为20wt％～50wt％。
17、可选地，所述待处理工件的光催化时间为40min～60min。
18、可选地，所述待处理工件的光催化温度为20℃～30℃。
19、可选地，所述待处理工件包含喷淋头、气管法兰、陶瓷板、内衬套、静电吸盘组件、覆盖环、绝缘环、气体分配板中的至少一种。
20、与现有技术相比，本专利技术的有益效果至少包含：
21、(1)本专利技术将具有氧缺陷的耐腐蚀涂层置于过氧化氢水溶液中，再经紫外光辐照，使得半导体涂层的氧空位被激发具有催化活性，所述过氧化氢水溶液在光激发下发生裂解生成超氧自由基和羟基自由基，所述超氧自由基与半导体涂层的氧空位进行键合，补充半导体涂层缺失的氧，对氧缺陷进行修复，提高耐腐蚀涂层的耐腐蚀性能。可以用于对新工件的氧缺陷进行预处理修复，或者对翻修工件进行翻新修复；进一步地，所述羟基自由基可以对半导体涂层在工艺过程中产生的表面聚合物进行氧化降解，因此，可以用于对经过长期等离子体刻蚀环境侵蚀后受损的工件进行修复翻新。
22、(2)本专利技术的处理方法温和，在常温常压下即可实现晶格修复与表面聚合物去除，避免了在高温高压的等离子环境中进行修复从而导致的半导体零部件的损坏，在保证半导体零部件不受损坏的前提下进行氧缺陷的半导体涂层的修复，与传统的表面抛光技术相比，半导体涂层的厚度和粗糙度几乎没有变化，也不会因采用抛光工艺导致二次污染的问题。
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1.一种耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述工件在工艺过程中易在其表面沉积有聚合物时，对所述耐腐蚀涂层进行辐照，在光催化下，所述过氧化氢水溶液还裂解产生羟基自由基，所述羟基自由基降解所述聚合物。
3.如权利要求2所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述聚合物包含碳氟聚合物。
4.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，对所述耐腐蚀涂层进行辐照时还包括：超声处理。
5.如权利要求4所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述超声功率为20W～50W。
6.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包含：向所述过氧化氢水溶液中加入催化剂，以加快过氧化氢的裂解反应。
7.如权利要求6所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述催化剂包含Fe2+。
8.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为含氧钇基涂层或含氧铝基涂层中的任意一种。
9.如权利要求1所述的耐腐蚀
10.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述紫外光源的波长小于300nm。
11.如权利要求10所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述紫外光源的波长为254nm；所述紫外光源的强度为50W～80W。
12.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述过氧化氢水溶液的浓度为20wt％～50wt％。
13.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述待处理工件的光催化时间为40min～60min。
14.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述待处理工件的光催化温度为20℃～30℃。
15.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述待处理工件包含喷淋头、气管法兰、陶瓷板、内衬套、静电吸盘组件、覆盖环、绝缘环、气体分配板中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述工件在工艺过程中易在其表面沉积有聚合物时，对所述耐腐蚀涂层进行辐照，在光催化下，所述过氧化氢水溶液还裂解产生羟基自由基，所述羟基自由基降解所述聚合物。
3.如权利要求2所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述聚合物包含碳氟聚合物。
4.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，对所述耐腐蚀涂层进行辐照时还包括：超声处理。
5.如权利要求4所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述超声功率为20w～50w。
6.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包含：向所述过氧化氢水溶液中加入催化剂，以加快过氧化氢的裂解反应。
7.如权利要求6所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述催化剂包含fe2+。
8.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为含氧钇基涂层或含氧铝基涂层中的任意一种。
9.如权利要求1所述的耐腐蚀涂层的处理方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙祥，王枫，李文阁，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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