【技术实现步骤摘要】
本申请涉及磁传感器，特别是涉及一种磁场参数确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
1、随着磁场测量技术的不断发展，三轴磁场传感器在地磁导航、无损检测、电力设备监测等领域中得到了广泛应用。
2、现有的三轴磁场传感器通常依赖于不同种类的磁敏感材料，分别针对面内磁场和平面外磁场进行测量。这种设计由于材料的物理特性和温度系数不同，导致传感器在温度变化或长期运行过程中难以保持一致的响应特性，从而影响三轴磁场的磁场参数的准确确定
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够保证三轴磁场的磁场参数的准确确定的磁场参数确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
2、第一方面，本申请提供了一种磁场参数确定方方法。所述方法包括：
3、获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数；其中，所述第一磁敏感薄膜集合包含两组第一磁敏感薄膜；所述第二磁敏感薄膜集合包含两组第二磁敏感薄膜；各所述第二磁敏感薄膜之间与各所述第一磁敏感薄膜之间均呈正交关系；
4、对所述三轴磁场第一参数和所述三轴磁场第二参数进行参数反解，得到三轴磁场的磁场参数。
5、在其中一个实施例中，所述获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数，包括：
6、对第一磁敏感薄膜集合进行图形化磁敏感检测，得到所述三轴磁场第一参
7、对第二磁敏感薄膜集合进行图形化磁敏感检测，得到所述三轴磁场第二参数；
8、其中，所述三轴磁场第一参数为针对x轴磁场和z轴磁场的参数；所述三轴磁场第二参数为针对y轴磁场和z轴磁场的参数。
9、在其中一个实施例中，所述第一磁敏感薄膜集合内的两组第一磁敏感薄膜具有相反的第一斜切角；所述第二磁敏感薄膜集合内的两组第二磁敏感薄膜具有相反的第二斜切角。
10、在其中一个实施例中，各所述第二磁敏感薄膜之间与各所述第一磁敏感薄膜之间均呈正交关系。
11、在其中一个实施例中，所述第一磁敏感薄膜与所述第二磁敏感薄膜由三轴磁敏感材料制备而成。
12、在其中一个实施例中，所述第一磁敏感薄膜与所述第二磁敏感薄膜的制备过程包括：
13、在单晶衬底上，采用分子束外延方法，或者，脉冲激光沉积技术对三轴磁敏感材料制备进行磁敏感薄膜沉积，得到所述第一磁敏感薄膜与所述第二磁敏感薄膜。
14、第二方面，本申请还提供了一种磁场参数确定方装置。所述装置包括：
15、获取模块，用于获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数；其中，所述第一磁敏感薄膜集合包含两组第一磁敏感薄膜；所述第二磁敏感薄膜集合包含两组第二磁敏感薄膜；
16、解析模块，用于对所述三轴磁场第一参数和所述三轴磁场第二参数进行参数反解，得到三轴磁场的磁场参数。
17、第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
18、获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数；其中，所述第一磁敏感薄膜集合包含两组第一磁敏感薄膜；所述第二磁敏感薄膜集合包含两组第二磁敏感薄膜；
19、对所述三轴磁场第一参数和所述三轴磁场第二参数进行参数反解，得到三轴磁场的磁场参数。
20、第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
21、获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数；其中，所述第一磁敏感薄膜集合包含两组第一磁敏感薄膜；所述第二磁敏感薄膜集合包含两组第二磁敏感薄膜；
22、对所述三轴磁场第一参数和所述三轴磁场第二参数进行参数反解，得到三轴磁场的磁场参数。
23、第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
24、获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数；其中，所述第一磁敏感薄膜集合包含两组第一磁敏感薄膜；所述第二磁敏感薄膜集合包含两组第二磁敏感薄膜；各所述第二磁敏感薄膜之间与各所述第一磁敏感薄膜之间均呈正交关系；
25、对所述三轴磁场第一参数和所述三轴磁场第二参数进行参数反解，得到三轴磁场的磁场参数。
26、上述磁场参数确定方法、装置、计算机设备和存储介质，通过获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数，以实现在采用同意的单一磁敏感薄膜的情况下，实现针对磁场的参数采集，避免了不同材料之间温度系数差异对测量精度的影响，并且，通过对三轴磁场第一参数和三轴磁场第二参数进行参数反解，即可得到三轴磁场的磁场参数，无需复杂的结构设计与操作难度，降低了获取磁场参数的制造成本和时间成本，相比起传统的三轴传感器，本申请无需复杂的制备工艺即可实现磁场参数的有效获取，并且，由于无需复杂的传感器标定操作，进一步提高了获取磁场参数的效率，通过统一的具有优质晶体取向和磁性性能的磁敏感薄膜材料，实现面内磁场和平面外磁场的同时测量，避免了不同材料之间的温度系数差异问题，保证三轴磁场的磁场参数的准确确定。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种磁场参数确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一磁敏感薄膜集合内的两组第一磁敏感薄膜具有相反的第一斜切角；所述第二磁敏感薄膜集合内的两组第二磁敏感薄膜具有相反的第二斜切角。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，各所述第二磁敏感薄膜之间与各所述第一磁敏感薄膜之间均呈正交关系。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一磁敏感薄膜与所述第二磁敏感薄膜由三轴磁敏感材料制备而成。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一磁敏感薄膜与所述第二磁敏感薄膜的制备过程包括：
7.一种磁场参数确定装置，其特征在于，所述装置包括：
8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种磁场参数确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取三轴磁场传感器基于第一磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第一参数，以及基于第二磁敏感薄膜集合获取的三轴磁场第二参数，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一磁敏感薄膜集合内的两组第一磁敏感薄膜具有相反的第一斜切角；所述第二磁敏感薄膜集合内的两组第二磁敏感薄膜具有相反的第二斜切角。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，各所述第二磁敏感薄膜之间与各所述第一磁敏感薄膜之间均呈正交关系。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一磁敏感薄膜与所述第二磁敏感薄膜由三轴磁敏感...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鹤，田兵，赵继光，赵亮，刘仲，王志明，尹旭，张佳明，骆柏锋，聂少雄，刘胜荣，何毅，关志华，蔡国源，张娜，
申请(专利权)人：中国南方电网有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。