【技术实现步骤摘要】
本揭示内容的一些实施方式提供半导体装置及其制备方法。
技术介绍
1、电子行业已经经历了对更小且更快的电子装置的日益增长的需求，此等电子装置能够同时支持更多愈来愈复杂且精密的功能。因此，在半导体行业中，制造低成本、高效能且低功耗的集成电路(integrated circuit；ic)为一个持续趋势。迄今为止，这些目标在很大程度上为通过缩小半导体ic尺寸(例如，最小特征大小)且因此提高生产效率且降低相关成本来实现的。然而，此缩放亦增加了半导体制造工艺的复杂性。因此，实现半导体ic及装置的持续进步需要半导体制造工艺及技术的类似进步。
技术实现思路
1、本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体装置，包括重分布层、钝化层以及金属材料的氧化层。重分布层包括金属材料，金属材料形成于基板上方。钝化层形成于重分布层上方。金属材料的氧化层，形成于在重分布层与钝化层之间的重分布层的多个侧壁上。
2、本揭示内容的一些实施方式提供一种制备半导体装置的方法，包括在基板上方形成包括金属材料的重分布层；在重分布层的多个侧壁上形成金属材料的氧化层；及在重分布层及氧化层上方沉积钝化层，其中氧化层形成于重分布层与钝化层之间。
3、本揭示内容的一些实施方式提供一种制备半导体装置的方法，包括：在基板上方形成包括铝铜的重分布层；氧化重分布层的多个侧壁以在重分布层的此些侧壁上形成铝氧化层；在重分布层及铝氧化层上方沉积钝化层，其中铝氧化层形成于重分布层与钝化层之间；及在重分布层的多个顶角或多个底角中执行无氢
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该金属材料包括铝，且该氧化层包括氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该金属材料包括铜，且该氧化层包括氧化铜。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该氧化层具有20埃至100埃之间的一厚度。
5.一种制备半导体装置的方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中形成该氧化层的步骤包括：执行一电浆氧化工艺以在该重分布层的多个侧壁上形成该氧化层。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中形成该氧化层的步骤包括：通过利用一铝前驱物及氧化剂的一原子层沉积或化学气相沉积工艺来沉积一氧化铝膜。
8.一种制备半导体装置的方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中氧化该重分布层的所述多个侧壁以形成该铝氧化层的步骤包括：执行一电浆氧化工艺以在该重分布层的所述多个侧壁上形成该铝氧化层。
10.如权利要求8所述的方法
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该金属材料包括铝，且该氧化层包括氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该金属材料包括铜，且该氧化层包括氧化铜。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该氧化层具有20埃至100埃之间的一厚度。
5.一种制备半导体装置的方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中形成该氧化层的步骤包括：执行一电浆氧化工艺以在该重分布层的多个侧壁上形成该氧化层。
【专利技术属性】
技术研发人员：吴曼筠，魏孝宽，林仁博，何偲瑜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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