【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装，尤其涉及一种二极管封装结构及其封装工艺。
技术介绍
1、半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到的独立芯片封装体的过程，具体的封装工艺流程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺被切割为小的晶片（die），然后通过装片工艺将晶片贴装在对应位置，再按产品结构要求来设计电路连接，并通过包封工艺进行塑封，即对独立的晶片用塑封料外壳加以封装保护，塑封后还需要进行一系列操作，如封装完成后进行成品测试，通常经过入检、测试和包装等工序，最后入库出货，二极管是半导体的其中一种类型。
2、现有的半导体器件封装结构，由于通过传统的电镀和包封工艺形成封装结构，上下连接电路的电势差较大、电路延伸走线随意，导致器件之间、电路各部层之间以及器件与电路之间的电场、互感强，整个结构的的寄生电容较大，达不到超低电容的产品要求。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中的问题，本专利技术提供了一种二极管封装结构及其封装工艺。
2、为实现上述目的，本专利技术提出的一种二极管封装结构，包括封装体，所述封装体内从下到上依次包封有：
3、芯片：该芯片的输出端上通过植球工艺电性连接有导电球；
4、重布线层：所述重布线层与导电球电性连接，且重布线层电镀设置在芯片上方靠近芯片边缘位置，重布线层避开芯片中心金属区；
5、导电柱：所述导电柱竖直的电性连接在重布线层的一端，导电柱直径与重布线层直径相同；
6、焊脚：所述焊脚电
7、进一步的，所述导电柱为直接在重布线层的一端电镀形成的铜柱或在包封料上钻孔暴露重布线层后贴装形成的过孔柱，且导电柱的直径≤80μm。
8、进一步的，所述导电球、重布线层、导电柱以及焊脚在芯片输出端上方依次电镀堆叠。
9、更进一步的，所述导电球、重布线层以及导电柱的总高度≥100μm。
10、更进一步的，所述封装体总厚度≤0.25mm。
11、进一步的，所述焊脚外露于封装体的表面上电镀锡或金凸起。
12、一种二极管封装工艺，包括以下步骤：
13、芯片包封：在芯片输出端上通过植球工艺电性连接有导电球后，使用包封料完全包封芯片和导电球，包封料固化后，在包封面水平机械研磨暴露出导电球顶部；
14、重布线层电镀：在暴露导电球顶部的包封面上电镀与导电球电性连接的重布线层，重布线层电镀设置在芯片上方靠近芯片边缘位置，重布线层避开芯片中心金属区；
15、导电柱电镀：在重布线层的一端设置电性连接的导电柱，导电柱的直径与重布线层直径相同，继续使用包封料完全包封重布线层和导电柱，包封料固化后，在包封面水平机械研磨暴露出导电柱顶面；
16、焊脚电镀：在暴露导电柱顶面的包封面电镀与导电柱电性连接的焊脚，继续包封焊脚并研磨暴露出焊脚顶面，形成最终的封装体产品单元。
17、进一步的，所述导电柱电镀步骤中，导电柱为直接在重布线层的一端电镀形成的铜柱或包封重布线层后在包封料上钻孔暴露重布线层并贴装形成的过孔柱，且导电柱的直径≤80μm。
18、进一步的，所述焊脚电镀步骤中，导电球、重布线层、导电柱以及焊脚在芯片输出端上方依次电镀堆叠。
19、更进一步的，所述导电柱电镀步骤中，导电球、重布线层以及导电柱的总高度≥100μm。
20、更进一步的，所述焊脚电镀步骤中，最终形成的封装体总厚度≤0.25mm。
21、进一步的，所述焊脚电镀步骤中，焊脚外露于封装体的表面上电镀锡或金凸起。
22、本专利技术：
23、1. 重布线层在芯片输出端处导电球上靠近芯片边缘位置电镀延伸，避开芯片中心金属区域，有效减少重布线层与芯片中心金属之间的电场、互感作用引发的寄生电容；
24、2. 焊脚包封在包封料内，将封装体通过焊脚焊接到工作区域时，提高焊接后的推力和表层结合力，使得焊接结构更加稳定。
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1.一种二极管封装结构，包括封装体，其特征在于，所述封装体内从下到上依次包封有：
2.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述导电柱为直接在重布线层的一端电镀形成的铜柱或在包封料上钻孔暴露重布线层后并在钻孔内形成过孔柱，且导电柱的直径≤80μm。
3.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述导电球、重布线层、导电柱以及焊脚在芯片输出端上方依次电镀堆叠。
4.根据权利要求3所述的二极管封装结构，其特征在于，所述导电球、重布线层以及导电柱的总高度≥100μm。
5.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述封装体总厚度≤0.25mm。
6.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述焊脚外露于封装体的表面上电镀锡或金凸起。
7.一种二极管封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述导电柱电镀步骤中，导电柱为直接在重布线层的一端电镀形成的铜柱或包封重布线层后在包封料上钻孔暴露重布线层并在钻孔内形成过孔柱，且导电柱
9.根据权利要求7所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述焊脚电镀步骤中，导电球、重布线层、导电柱以及焊脚在芯片输出端上方依次电镀堆叠。
10.根据权利要求9所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述导电柱电镀步骤中，导电球、重布线层以及导电柱的总高度≥100μ。
11.根据权利要求7所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述焊脚电镀步骤中，最终形成的封装体总厚度≤0.25mm。
12.根据权利要求7所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述焊脚电镀步骤中，焊脚外露于封装体的表面上电镀锡或金凸起。
...【技术特征摘要】
1.一种二极管封装结构，包括封装体，其特征在于，所述封装体内从下到上依次包封有：
2.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述导电柱为直接在重布线层的一端电镀形成的铜柱或在包封料上钻孔暴露重布线层后并在钻孔内形成过孔柱，且导电柱的直径≤80μm。
3.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述导电球、重布线层、导电柱以及焊脚在芯片输出端上方依次电镀堆叠。
4.根据权利要求3所述的二极管封装结构，其特征在于，所述导电球、重布线层以及导电柱的总高度≥100μm。
5.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述封装体总厚度≤0.25mm。
6.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述焊脚外露于封装体的表面上电镀锡或金凸起。
7.一种二极管封装工艺，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张光耀，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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