【技术实现步骤摘要】
本技术涉及磁滞比较器领域，具体涉及一种磁滞比较器。
技术介绍
1、磁滞比较器是在其电路中引入了磁滞效应。磁滞效应，简单来说，就是材料在磁化过程中，其磁化状态不仅依赖于当前的磁场强度，还受到之前磁化历史的影响，导致磁化曲线呈现滞后现象。
2、在磁滞比较器的应用中，这种特性被用来增强比较器的稳定性和抗干扰能力。通过引入磁滞，比较器在判定输入信号的状态变化时，不再仅仅依赖于瞬间的信号值，而是会考虑信号的变化趋势和历史状态，从而在一定程度上避免由于噪声或干扰导致的误判。
3、磁滞比较器在多个领域都有应用。例如，在电力电子和电机控制中，磁滞比较器可以用于实现精确的电压和电流比较，提高控制系统的稳定性和性能。此外，在传感器和信号处理领域，磁滞比较器也可以用来滤除噪声，提高信号的质量。此外，磁滞比较器还被用于磁性传感器的信号处理中，特别是在汽车应用中，如变速箱速度、轮速、凸轮轴速度等的检测。在这些应用中，磁滞比较器能够有效地抑制由于振动等外界干扰引起的噪声，保证输出信号的准确性，从而确保系统的可靠性。
4、但是现有的磁滞比较器大部分输入电压范围较小，并且磁滞电压容易受工艺失调和温度失调影响，在实际应用中局限较大。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种磁滞比较器，旨在改善现有的磁滞比较器大部分输入电压范围较小，并且磁滞电压容易受工艺失调和温度失调影响，在实际应用中局限较大的问题。
2、为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
3、一
4、所述输入阈值与磁滞电压模块与外部第一偏置电压、第二偏置电压、正输入端电压和负输入端电压电性连接；所述折叠共源共栅放大器模块与外部第三偏置电压、第四偏置电压和第六偏置电压电性连接；所述第一级放大器模块和摆率提升模块与外部第五偏置电压电性连接；
5、所述输入阈值与磁滞电压模块、折叠共源共栅放大器模块、摆率提升模块和输出缓冲器模块的电源输入端均与vcc端口电性连接；
6、所述输入阈值与磁滞电压模块的输出端与第一级放大器模块和输出缓冲器模块电性连接，所述第一级放大器模块与折叠共源共栅放大器单元电性连接，所述折叠共源共栅放大器单元与摆率提升单元和输出缓冲器模块电性连接，所述摆率提升单元与输出缓冲器模块电性连接，所述输出缓冲器单元的输出端连接输出接口y。
7、进一步的，所述输入阈值与磁滞电压模块包括mos管p18、mos管p19、mos管p20、mos管p21、mos管p22、mos管p27、mos管p28、mos管p29、mos管p30、mos管p31和电阻r15、电阻r18、电阻r22、电阻r23、电阻r24、电阻r25；
8、所述mos管p18的源极、mos管p20的源极、mos管p27的源极和mos管p30的源极均与vcc端口电性连接；
9、所述mos管p18的栅极、mos管p20的栅极、mos管p27的栅极和mos管p30的栅极均与外部第一偏置电压电性连接；所述mos管p18的漏极与mos管p19的源极、mos管p21的漏极和mos管p22的源极、漏极电性连接；
10、所述mos管p19的栅极和mos管p31的栅极均与外部第二偏置电压电性连接；所述mos管p20的漏极和mos管p21的源极电性连接；所述mos管p21的栅极与mos管p28的栅极和比较器模块电性连接；所述mos管p22的栅极与mos管p29的栅极和比较器模块电性连接；
11、所述mos管p27的漏极与mos管p28的源极电性连接，所述mos管p28的漏极与mos管p29的源极、漏极、mos管p31的源极和mos管p30的漏极电性连接；
12、所述mos管p19的漏极与电阻r15的一端和第一级放大器模块电性连接，所述电阻r15的另一端与电阻r22、电阻r23的一端和第一级放大器模块电性连接，所述电阻r22的另一端与外部负输入端电性连接；
13、所述mos管p21的漏极与电阻r18、电阻r25、电阻r24的一端和比较器模块电性连接，所述电阻r18的另一端与第一级放大器模块电性连接，所述电阻r24的另一端与外部正输入端电性连接；
14、所述电阻r23、电阻r25的另一端均接地。
15、进一步的，所述第一级放大器模块包括mos管p23、mos管p24、mos管p25、mos管p26、三极管q9、三极管q10、三极管q11、三极管q12、三极管q13和电阻r11、电阻r13、电阻r16、电阻r17；
16、所述mos管p23的源极、mos管p25的源极和三极管q9的集电极、基极均与vcc端口电性连接；
17、所述mos管p23的栅极、mos管p24的栅极、mos管p25的栅极、mos管p26的栅极均与外部第五偏置电压电性连接；
18、所述mos管p23的漏极与mos管p24的源极电性连接，所述mos管p25的漏极与mos管p26的源极电性连接；
19、所述mos管p24的漏极与三极管q10的集电极、基极和三极管q11的基极电性连接，所述三极管q10的发射极与所述输入阈值与磁滞电压模块电性连接；
20、所述三极管q11的集电极与电阻r11的一端和折叠共源共栅放大器单元电性连接，所述三极管q11的发射极与三极管q12的发射极、电阻r16的一端和电阻r17的一端电性连接，所述电阻r16的另一端与所述输入阈值与磁滞电压模块电性连接；所述电阻r17的另一端与所述输入阈值与磁滞电压模块电性连接；所述三极管q12的基极与三极管q13的基极、集电极和mos管p26的漏极电性连接；所述三极管q13的发射极与所述输入阈值与磁滞电压模块电性连接；所述三极管q12的集电极与电阻r13的一端和折叠共源共栅放大器单元电性连接；所述电阻r11的另一端和电阻r13的另一端均与三极管q9的发射极电性连接。
21、进一步的，所述折叠共源共栅放大器模块包括mos管p32、mos管p33、mos管p34、mos管p35、三极管q14、三极管q15、三极管q16、三极管q17、三极管q18和电阻r19、电阻r20；
22、所述mos管p32的源极和mos管p34的源极均与vcc端口电性连接；
23、所述三极管q16的基极与外部第六偏置电压电性连接；所述三极管q16的发射极与电阻r19的一端电性连接；所述三极管q16的集电极与三极管q14的发射极、三极管q15的发射极电性连接，所述三极管q14的基极、三极管q15的基极均与第一级放大器模块电性连接；所述三极管q14的集电极与mos管p32的漏极和mos管p33的源极电性连接；所述三极管q15的集电极与mos管p34的漏极和mos管p35的源极电性连接；
24、所述mos管p32的栅极和mos管p34的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种磁滞比较器，其特征在于，包括输入阈值与磁滞电压模块、第一级放大器模块、折叠共源共栅放大器模块、摆率提升模块和输出缓冲器模块；
2.根据权利要求1所述的磁滞比较器，其特征在于：所述输入阈值与磁滞电压模块包括MOS管P18、MOS管P19、MOS管P20、MOS管P21、MOS管P22、MOS管P27、MOS管P28、MOS管P29、MOS管P30、MOS管P31和电阻R15、电阻R18、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25；
3.根据权利要求1所述的磁滞比较器，其特征在于：所述第一级放大器模块包括MOS管P23、MOS管P24、MOS管P25、MOS管P26、三极管Q9、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q12、三极管Q13和电阻R11、电阻R13、电阻R16、电阻R17；
4.根据权利要求1所述的磁滞比较器，其特征在于：所述折叠共源共栅放大器模块包括MOS管P32、MOS管P33、MOS管P34、MOS管P35、三极管Q14、三极管Q15、三极管Q16、三极管Q17、三极管Q18和电阻R19、电阻R20；
5.根据
6.根据权利要求1所述的磁滞比较器，其特征在于：所述输出缓冲器模块包括MOS管P38、MOS管P39、MOS管P40、MOS管P41、MOS管P42、MOS管P43、MOS管P44、MOS管P45、MOS管N11、MOS管N12、MOS管N13、MOS管N14、MOS管N15、MOS管N16、MOS管N17和MOS管N18；
7.根据权利要求2所述的磁滞比较器，其特征在于：并且满足下列条件式；
8.根据权利要求3所述的磁滞比较器，其特征在于：并且满足下列条件式；
9.根据权利要求4所述的磁滞比较器，其特征在于：并且满足下列条件式；
...【技术特征摘要】
1.一种磁滞比较器，其特征在于，包括输入阈值与磁滞电压模块、第一级放大器模块、折叠共源共栅放大器模块、摆率提升模块和输出缓冲器模块；
2.根据权利要求1所述的磁滞比较器，其特征在于：所述输入阈值与磁滞电压模块包括mos管p18、mos管p19、mos管p20、mos管p21、mos管p22、mos管p27、mos管p28、mos管p29、mos管p30、mos管p31和电阻r15、电阻r18、电阻r22、电阻r23、电阻r24、电阻r25；
3.根据权利要求1所述的磁滞比较器，其特征在于：所述第一级放大器模块包括mos管p23、mos管p24、mos管p25、mos管p26、三极管q9、三极管q10、三极管q11、三极管q12、三极管q13和电阻r11、电阻r13、电阻r16、电阻r17；
4.根据权利要求1所述的磁滞比较器，其特征在于：所述折叠共源共栅放大器模块包括mos管p32、mos管p33、mos管p34、m...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪嘉栋，林纪豪，杨瑞聪，高耿辉，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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