【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子电路和使用该电路的电子装置。
技术介绍
1、传统的led驱动技术使用电流控制的晶体管来调节流经led的电流。请参见图1，晶体管通常在饱和区域工作，在理想情况下，漏极(drain electrode)电流完全由栅极(gateelectrode)-源极(source electrode)电压(从晶体管栅极到晶体管源极的电压)决定，并且不受漏-源电压(从晶体管漏极到晶体管源极的电压)变化的影响；这种工作原理确保了led驱动电流的恒定性，即使led的特性（例如led的正向电压）会因工艺变化或温度影响而变化，进而影响漏-源电压。电流控制晶体管和led是以串联方式电连接，因此led特性的任何变化都会影响漏-源电压，但不会影响驱动电流id。其中，vd、vdd、vg这里分别是漏极电压、电源电压和栅极电压。
2、但是，这种传统技术需要权衡取舍。与在非饱和区域工作相比，在饱和区域工作会产生更高的漏-源电压，从而导致电流控制晶体管的功耗增加。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种电子电路和一种电子装置，其发光元件由电流控制晶体管驱动，以满足低功耗的要求。
2、本专利技术提供了一种电子装置，包括基材、多个发光元件和多个驱动电路。多个发光元件设置在基材上，多个驱动电路分别对应且电性连接多个发光元件。发光元件会根据驱动信号而发光，驱动信号可以是驱动电流。驱动电路包括用于控制驱动信号的晶体管、检测单元和反馈控制单元。晶体管包括一个输入端和两个输出端，并通过两
3、本公开还提供一种电子电路，该电子电路包括多个发光元件和多个驱动电路，多个驱动电路分别对应并与多个发光元件电连接。发光元件会根据驱动信号(例如驱动电流)发光。驱动电路包括用于控制驱动信号的晶体管、检测单元和反馈控制单元。晶体管包括一个输入端和两个输出端，并通过两个输出端之一将驱动信号传送到一个或多个相对应的发光元件。晶体管定义了条特性曲线，该特性曲线由晶体管的输出电流与晶体管两个输出端之间的电压差值所定义。特性曲线进一步定义了工作区域与工作区域内的输出电导；输出电导为晶体管输出电流变化与晶体管电压差值变化的比值的绝对值。工作区域定义了第一区域和第二区域，第一区域的输出电导大于第二区域的输出电导。用于控制驱动信号的晶体管在第一区域内工作。检测单元会根据相对应的发光元件之一提供检测输出。反馈控制单元引导晶体管调控驱动电流。此外，电子电路可以被模块化。
4、上述的电子装置或电子电路还可以具有如下特征：
5、在一个实施例中，用于控制驱动信号的晶体管是双极结型晶体管(bipolarjunction transistors，bjt)、绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)或场效应晶体管(field-effect transistor，fet)。
6、在一个实施例中，场效应晶体管(fet)的类型包括金属氧化物半导体场效应晶体管管(mosfet)、金属半导体场效应晶体管管(mesfet)和薄膜晶体管(tft)，用以控制驱动信号的晶体管可以是其中之一。
7、在一个实施例中，用于控制驱动信号的晶体管为场效应晶体管管(fet)；晶体管的输入端为栅极，两个输出端为漏极和源极；晶体管特性曲线的第一区域为fet的线性区域，第二区域为fet的饱和区域。
8、在一个实施例中，驱动电路中的一个或多个至少部分设置在基材上。
9、在一个实施例中，检测单元感应来自相对应的发光元件之一发出的光，并根据感应的光提供检测输出。
10、在一个实施例中，检测单元包括光电二极管。
11、在一个实施例中，检测单元是形成于基材上的薄膜。
12、在一个实施例中，光电二极管是形成于基材上的薄膜。
13、在一个实施例中，检测单元感应到用于驱动相对应发光元件的驱动信号，并根据此驱动信号提供检测输出。
14、在一个实施例中，检测单元包括电阻器与反馈控制单元，电阻器与相对应的发光元件以串联方式电连接，以及反馈控制单元基于电阻器两端的电压降(voltage drop)指挥用于控制驱动信号的晶体管。
15、在一个实施例中，驱动电路的至少一部分形成在基材上。
16、在一个实施例中，驱动电路的至少一部分设置在集成电路上。
17、在一个实施例中，发光元件定义发光元件的电压降(voltage drop)，其中一个用于控制驱动信号的晶体管的电压差值小于或等于相对应的一个发光元件的电压降。
18、在一个实施例中，其中一个用于控制驱动信号的晶体管的电压差值小于或等于相对应的发光元件的电压降的三分之二。
19、在一实施例中，其中一个用于控制驱动信号的晶体管的电压差值小于或等于相应的发光元件的电压降的一半。
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1.一种电子装置，包括基材、多个发光元件与多个驱动电路；
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述晶体管为双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)或场效应晶体管(FET)。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述场效应晶体管(FET)包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)和薄膜晶体管(TFT)。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述晶体管为场效应晶体管(FET)，所述输入端为栅极，所述两个输出端为漏极和源极；所述第一区域表示所述场效应晶体管的线性区域，所述第二区域表示所述场效应晶体管的饱和区域。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述检测单元感应从对应的所述发光元件发出的光，并根据所述发光单元发出的光提供所述检测输出。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述检测单元感测驱动所述发光元件的所述驱动信号，并根据所述驱动信号提供所述检测输出。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述检测单元包括电阻器，所述电阻器以串联方式电性连接
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述驱动电路的至少一部分布设在集成电路上。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述发光元件定义电压降，所述晶体管的所述电压差值小于或等于对应的所述发光元件的所述电压降。
10. 一种电子电路，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，包括基材、多个发光元件与多个驱动电路；
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述晶体管为双极结型晶体管(bjt)、绝缘栅双极晶体管(igbt)或场效应晶体管(fet)。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述场效应晶体管(fet)包括金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、金属半导体场效应晶体管(mesfet)和薄膜晶体管(tft)。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述晶体管为场效应晶体管(fet)，所述输入端为栅极，所述两个输出端为漏极和源极；所述第一区域表示所述场效应晶体管的线性区域，所述第二区域表示所述场效应晶体管的饱和区域。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述检测单元感应从...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢嵘男，
申请(专利权)人：方略电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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