【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及针对半导体基板的等离子体处理方法。
技术介绍
1、当前，由于难以通过曝光进行直接解析，因此广泛使用2倍间距、4倍间距的图案缩小方法。这些被称为self-aligned double patterning(sadp)、self-aligned quadruplepatterning(saqp)，在形成微细图案的半导体制造工艺中成为必须的技术。
2、例如，在专利文献1或者非专利文献1中，示出了sadp的工艺流程。首先，按照被蚀刻膜、牺牲膜、抗蚀剂的顺序进行成膜及涂覆，对抗蚀剂进行显影，进行图案化。接着，将抗蚀剂作为掩模，对牺牲层进行蚀刻。去除抗蚀剂后，使用ald(atomic layer deposition)等在牺牲层图案上将氧化膜等成膜。所成膜的氧化膜等被称为间隔物。接着，通过蚀刻从间隔物选择性地去除在牺牲层图案的上部与牺牲层图案间的底部(即被蚀刻膜上)沉积的部分。进而，通过去除牺牲层，在被蚀刻膜上形成仅残留形成于牺牲层图案的侧壁的间隔物的结构。然后，将残留的间隔物作为掩模，对被蚀刻膜进行加工。通过使用这样的方法，能够形成原来的间距的1/2的尺寸(2倍间距)的图案。
3、在先技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2010-114424号公报
6、非专利文献
7、非专利文献1：t.shibata et al.，“ald-sio2 deposition and cd slimmingtechniques for double patter
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在现有技术文献所示的sadp的实施例中，在牺牲层的周围使用ald等方法形成作为掩模的氧化硅膜等。由于使用了ald的氧化硅膜的成膜和成膜后的蚀刻是利用不同的装置进行处理的，因此反复往复成膜装置和蚀刻装置。由此，设备专有面积(占地面积)变大，而且花费装置间搬运时间。
3、用于解决课题的方案
4、作为本专利技术的一实施方式的等离子体处理方法对具有被蚀刻膜和在被蚀刻膜的上方以图案的方式形成的牺牲层的被处理基板的被蚀刻膜进行等离子体蚀刻，其中，所述等离子体处理方法包括：第一步骤，其使用由含硅元素气体生成的等离子体使含硅元素膜沉积于牺牲层；第二步骤，其在第一步骤后，使用由含氮元素气体生成的等离子体使沉积在牺牲层上的含硅元素膜和沉积在被蚀刻膜上的含硅元素膜氮化；第三步骤，其在第二步骤后，使用由含氧元素气体生成的等离子体使含硅元素膜氧化；第四步骤，其在第三步骤后，去除被蚀刻膜上或牺牲层上的氮化硅膜；第五步骤，其在第四步骤后，去除牺牲层；以及第六步骤，其在第五步骤后，将形成在被蚀刻膜上的氧化硅膜作为掩模，对被蚀刻膜进行等离子体蚀刻。
5、专利技术效果
6、能够在真空中连续地进行可以执行sadp工艺的等离子体处理方法。其他课题和新的特征会从本说明书的记述及附图变得明确。
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1.一种等离子体处理方法，其对具有被蚀刻膜和在所述被蚀刻膜的上方以图案的方式形成的牺牲层的被处理基板的所述被蚀刻膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
10.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理方法，其对具有被蚀刻膜和在所述被蚀刻膜的上方以图案的方式形成的牺牲层的被处理基板的所述被蚀刻膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤清彦，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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