【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，更具体地说，是涉及一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法。
技术介绍
1、快速退火（rta）工艺中的氧气浓度控制是关键因素，它直接影响着半导体材料的处理质量和产品的最终性能。由于rta设备的传片过程是在常压下进行的，氧气会通过传片口进入到反应腔室中，而氧气得不到有效控制则会直接影响工艺表现。目前，现有的处理方式是常压下进行传片，传片口内外压力相同，当晶圆传入反应腔室后关闭传片口的门阀，用于支撑晶圆的升降销下落，使晶圆落在承托环上，此时，反应腔室内通入氮气，使用大流量氮气吹扫反应腔室并使用泵进行抽气，同时监测反应腔室内氧气浓度，当氧气浓度达到指定要求3~5ppm后开始工艺。然而，在传片时，由于过多氧气随着晶圆进入反应腔室，导致氧气浓度下降到指定要求的时间较长，造成晶圆产能较低；此外，晶圆落在承托环上后，再进行大流量氮气吹扫反应腔室，此时晶圆下方与承托环形成一定的空间会存在少量氧气难以被去除，影响设备生产效率，降低产能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的在于提供一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法，旨在解决在传片完成后，反应腔室氧气浓度下降耗时较长，且晶圆下方与承托环形之间存在少量氧气，影响设备生产效率，降低产能的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法，包括以下步骤：
3、步骤s1.向反应腔室内持续通入工艺气体，采集反应腔室的内部压力以及传片口处的外部压力，使反应腔室的内部压力高于传片
4、步骤s2.打开传片口，将晶圆送入反应腔室，并放置在升降销上，此时，晶圆间隔设置于承托环上方；
5、步骤s3.关闭传片口，开启排气装置，并持续通入工艺气体；
6、步骤s4.采集反应腔室内的氧气浓度，当氧气浓度达到预设值后，下降升降销，使晶圆落在承托环上；
7、步骤s5.开始工艺。
8、可选地，步骤s1中，控制反应腔室的内部压力高于传片口处的外部压力5torr。
9、可选地，步骤s4中，通过氧气分析仪持续监测反应腔室内的氧气浓度，其中，反应腔室内的氧气浓度的预设值范围在3~5ppm。
10、可选地，工艺气体为氮气。
11、可选地，反应腔室的侧壁上设置有第一进气口，第一进气口与传片口相对设置。
12、可选地，排气装置包括排气管路，排气管路设置在反应腔室的外部，排气管路与传片口连通。
13、可选地，排气管路位于传片口的下方。
14、可选地，反应腔室的底部设置有第二进气口。
15、可选地，第二进气口的数量为多个。
16、可选地，多个第二进气口沿反应腔室的底部周向均匀分布。
17、与现有技术相比，本专利技术提供的一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法的有益效果在于：
18、在晶圆传片过程，通过使反应腔室内外存在一定的压力差，且控制反应腔室的内部压力高于传片口处的外部压力，从而可避免过多氧气进入到反应腔室内，导致氧气浓度下降时间较长；当晶圆放置在升降销上时，持续通入工艺气体吹扫反应腔室，当反应腔室内的氧气浓度达到预设值后，下降升降销，使晶圆落在承托环上再开始工艺，以避免晶圆背部与反应腔室的底部基台之间存在氧气残留。通过上述方法的结合，不仅可以避免氧气进入到反应腔室内，还可以避免氧气残留，使腔室内氧气浓度快速下降，可以显著降低工艺时间，从而有效提高设备产能，提高了半导体制造的效率和经济效益。
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1.一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述步骤S1中，控制所述反应腔室的内部压力高于所述传片口处的外部压力5Torr。
3.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过氧气分析仪持续监测所述反应腔室内的氧气浓度，其中，所述反应腔室内的氧气浓度的预设值范围在3~5ppm。
4.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述工艺气体为氮气。
5.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述反应腔室的侧壁上设置有第一进气口，所述第一进气口与所述传片口相对设置。
6.根据权利要求5所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述排气装置包括排气管路，所述排气管路设置在所述反应腔室的外部，所述排气管路与所述传片口连通。
7.根据权利要求6所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述排气管路位于所述传片口的下方
8.根据权利要求5所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述反应腔室的底部设置有第二进气口。
9.根据权利要求8所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述第二进气口的数量为多个。
10.根据权利要求9所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，多个所述第二进气口沿所述反应腔室的底部周向均匀分布。
...【技术特征摘要】
1.一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述步骤s1中，控制所述反应腔室的内部压力高于所述传片口处的外部压力5torr。
3.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述步骤s4中，通过氧气分析仪持续监测所述反应腔室内的氧气浓度，其中，所述反应腔室内的氧气浓度的预设值范围在3~5ppm。
4.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述工艺气体为氮气。
5.根据权利要求1所述的用于降低反应腔室内氧气含量的方法，其特征在于，所述反应腔室的侧壁上设置有第一进气口，所述第一进气口与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭鑫，崔小康，周令义，王美玲，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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