【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种包括栅格结构的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器是可以接收光并生成电信号的基于半导体的传感器，并且可以包括具有多个像素的像素阵列、用于驱动像素阵列并生成图像的逻辑电路等。每个像素可以包括光电二极管、以及可以将由光电二极管生成的电荷转换为电信号的像素电路。
技术实现思路
1、一个或多个示例实施例提供了一种包括包含气隙的栅格结构的图像传感器。
2、根据示例实施例，一种图像传感器可以包括：光电转换元件，在衬底内；分离结构，在衬底内，并且在光电转换元件之间；绝缘结构，在衬底和分离结构上；多个滤色器，在绝缘结构上；栅格结构，包括设置在绝缘结构上的下水平结构、以及连接到下水平结构并覆盖多个滤色器之一的侧表面的竖直结构；上水平结构，覆盖多个滤色器的上表面；以及封盖层，覆盖上水平结构和栅格结构。栅格结构还可以包括被竖直结构、下水平结构和封盖层围绕的气隙。
3、根据示例实施例，一种图像传感器可以包括：光电转换元件，在衬底内；分离结构，在衬底内，并且在光电转换元件之间；绝缘结构，在衬底和分离结构上；多个滤色器，在绝缘结构上；保护层，覆盖绝缘结构和多个滤色器；以及封盖层，覆盖保护层。封盖层的下端可以在比多个滤色器的下表面高的高度处，并且保护层和封盖层限定多个滤色器之间的气隙。
4、根据示例实施例，一种图像传感器可以包括：下芯片，包括逻辑电路；以及上芯片，在下芯片上，该上芯片接合到下芯片。上芯片可以包括：光电转换元件，设置在衬底内；分离结构，设置
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述气隙的上限由所述封盖层限定。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述上水平结构从所述栅格结构的所述竖直结构延伸。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述栅格结构和所述上水平结构各自具有3nm至200nm的厚度。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个滤色器彼此间隔开。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述封盖层与所述多个滤色器间隔开，并且所述上水平结构介于所述封盖层与所述多个滤色器之间。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述封盖层包括与所述上水平结构的材料不同的材料。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述第二部分的下表面的至少一部分在与所述第一部分的下表面不同的高度处。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述第二部分的上表面的至少一部分在与所述第一部分的上表面不同的高度处。
11.根据
12.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述第二部分的下表面是凸起表面或凹陷表面。
13.根据权利要求8所述的图像传感器，
14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述第三部分的厚度与所述第二部分的厚度不同。
15.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括设置在所述封盖层上的平坦化层。
16.一种图像传感器，包括：
17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述保护层包括设置在所述绝缘结构上的下水平结构、从所述下水平结构延伸并覆盖所述多个滤色器的侧表面的竖直结构、以及从所述竖直结构和所述多个滤色器的上表面延伸的上水平结构。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，在平面图中，所述多个滤色器分别被所述竖直结构围绕。
19.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，在平面图中，所述气隙在所述竖直结构之间水平地延伸。
20.一种图像传感器，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述气隙的上限由所述封盖层限定。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述上水平结构从所述栅格结构的所述竖直结构延伸。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述栅格结构和所述上水平结构各自具有3nm至200nm的厚度。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个滤色器彼此间隔开。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述封盖层与所述多个滤色器间隔开，并且所述上水平结构介于所述封盖层与所述多个滤色器之间。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述封盖层包括与所述上水平结构的材料不同的材料。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述第二部分的下表面的至少一部分在与所述第一部分的下表面不同的高度处。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述第二部分的上表面的至少一部分在与所述第一部分的上表面不同的高度处。
【专利技术属性】
技术研发人员：梁原杶，徐载宽，金劝锡，李仑和，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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