半导体装置制造方法及图纸

技术编号：44764017 阅读：6 留言：0更新日期：2025-03-26 12:46

实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一～第四电极、第一～第三半导体区域、第一、第二绝缘部以及连接部。第三电极包含：第一电极区域，沿着第二方向延伸，在第三方向上与第二半导体区域排列；第二电极区域，沿着第三方向延伸，在第二方向上与第二半导体区域排列；以及第三电极区域，连接第一电极区域和第二电极区域。第一绝缘部包含：第一绝缘区域，包含第一、第二绝缘部分；第二绝缘区域，包含第三、第四绝缘部分；以及第三绝缘区域，包含第五、第六绝缘部分。第四电极与第一半导体区域以及第三电极排列。连接部具有：第一连接部，位于第三绝缘区域与第二绝缘部之间；以及第二连接部，位于第三绝缘区域与第一连接部之间。

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【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体装置被用于电力转换等。在半导体装置中，希望提高雪崩耐量。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；所述第一导电型的第三半导体区域；第二电极；第三电极；第一绝缘部；第四电极；第二绝缘部以及连接部。所述第一半导体区域设置在所述第一电极之上。所述第二半导体区域设置在所述第一半导体区域之上。所述第三半导体区域设置在所述第二半导体区域之上。所述第二电极设置在所述第三半导体区域之上。所述第二电极与所述第三半导体区域电连接。所述第三电极包含第一电极区域、第二电极区域和第三电极区域。所述第一电极区域沿着第二方向延伸。所述第二方向与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直。所述第一电极区域在第三方向上与所述第二半导体区域排列。所述第三方向与所述第一方向垂直且与所述第二方向交叉。所述第二电极区域沿着所述第三方向延伸。所述第二电极区域在所述第二方向上与所述第二半导体区域排列。所述第三电极区域连接所述第一电极区域和所述第二电极区域。所述第一绝缘部包含第一绝缘区域、第二绝缘区域以及第三绝缘区域。所述第一绝缘区域包含第一绝缘部分和第二绝缘部分。所述第一绝缘部分在所述第三方向上设置在所述第二半导体区域与所述第一电极区域之间。所述第二绝缘部分在所述第一

2、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；所述第一导电型的第三半导体区域；第二电极；第三电极；第一绝缘部；第四电极；第二绝缘部以及连接部。所述第一半导体区域设置在所述第一电极之上。所述第二半导体区域设置在所述第一半导体区域之上。所述第三半导体区域设置在所述第二半导体区域之上。所述第二电极设置在所述第三半导体区域之上。所述第二电极与所述第三半导体区域电连接。所述第三电极包含第一电极区域、第二电极区域和第三电极区域。所述第一电极区域沿着第二方向延伸。所述第二方向与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直。所述第一电极区域在第三方向上与所述第二半导体区域排列。所述第三方向与所述第一方向垂直且与所述第二方向交叉。所述第二电极区域沿着所述第三方向延伸。所述第二电极区域在所述第二方向上与所述第二半导体区域排列。所述第三电极区域连接所述第一电极区域和所述第二电极区域。所述第一绝缘部包含第一绝缘区域、第二绝缘区域以及第三绝缘区域。所述第一绝缘区域包含第一绝缘部分和第二绝缘部分。所述第一绝缘部分在所述第三方向上设置在所述第二半导体区域与所述第一电极区域之间。所述第二绝缘部分在所述第一方向上设置在所述第一半导体区域与所述第一电极区域之间。所述第二绝缘区域包含第三绝缘部分和第四绝缘部分。所述第三绝缘部分在所述第二方向上设置在所述第二半导体区域与所述第二电极区域之间。所述第四绝缘部分在所述第一方向上设置在所述第一半导体区域与所述第二电极区域之间。所述第三绝缘区域连接所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域。所述第三绝缘区域包含第五绝缘部分和第六绝缘部分。所述第五绝缘部分在第四方向上设置在所述第二半导体区域与所述第三电极区域之间。所述第四方向与所述第一方向垂直且与所述第二方向及所述第三方向交叉。所述第六绝缘部分在所述第一方向上设置在所述第一半导体区域与所述第三电极区域之间。所述第四电极在所述第二方向及所述第三方向上与所述第一半导体区域及所述第三电极排列。所述第二绝缘部在所述第二方向及所述第三方向上设置在所述第四电极与第一半导体区域之间及所述第四电极与所述第三电极之间。所述连接部在所述第二方向、所述第三方向及所述第四方向上设置于所述第三绝缘区域与所述第二绝缘部之间。所述连接部将所述第二电极与所述第二半导体区域电连接。所述连接部在所述第四方向上的宽度大于所述连接部在所述第二方向上的宽度以及所述连接部在所述第三方向上的宽度。

3、根据本实施方式，能够提供能够提高雪崩耐量的半导体装置。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.一种半导体装置，具备：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：安武拓哉，可知刚，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：

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