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有机纳米纤维的存储和转移制造技术

技术编号:4476312 阅读:189 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及将纳米纤维从模板衬底(30)转移至柔性存储介质(32)的方法。该方法包括:a)提供负载纳米纤维(31)的模板衬底(30)和柔性存储介质;b)定位所述柔性存储介质(32),使得所述柔性存储介质的第一存储区域面对所述模板衬底的第一负载区域;以及c)按压所述柔性存储介质(32)的所述第一存储区域以与所述模板衬底(30)的所述第一负载区域接触,以及将所述柔性存储介质的所述第一存储区域从与所述模板衬底的所述第一负载区域的接触处移开,从而将纳米纤维(31)从模板衬底(30)转移至柔性存储介质(32),由此提供一种被加载的柔性存储介质。通过提供解决关于用于将来应用的纳米纤维的紧凑存储的问题的方案,本发明专利技术对于提供一种储存和处理用于商业实施为工作器件的纳米纤维的方法是有利的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机纳米纤维的存储和转移专利
本专利技术涉及纳米纤维的存储,特别是涉及将纳米纤维从模板衬底转移至存 储介质。 专利技术背景光电子元件的生产、表征和连接的日益增加的兴趣。对亚微米或纳米尺度的光 电子器件中的光学活性元件的要求包括诸如容易的光调谐性、强的发光效率、 分子基元件的柔性以及光应当以预定的方式产生和传播。有机光学活性元件可 以满足所述要求。通常困难在于在所希望的衬底上直接形成有机亚微米或纳米级光学活性 元件或器件是不可能、不方便的或经济上不可行的。对此解决办法是,在不同的衬底-形成衬底或者模板上形成光学活性的元 件,并且随后将该元件转移至所希望的衬底。已公布的专利申请WO 2006/048015公开了从模板衬底上释放全部有机纳 米纤维,使得随后可以将其转移至目标衬底或液体溶液的剥离过程。的生产位置、在不同的生产时间、在不同的生产运行等中进行不同的生产步骤。 在这种情况下,在活性元件的生产和将活性元件引入电子器件之间,可能出现 与在第 一个衬底上生产的纳米或亚微米级元件或器件的存储相关的问题。本专利技术的专利技术人已经认识到用于处理亚微米或纳米级元件的改进方法是 有利的,并且随后作出了本专利技术。
技术实现思路
本专利技术寻求提供一种处理全部有机纳米纤维的改进方法,并且可以看作为 本专利技术目的的是,全部有机纳米纤维可以以如下方式转移至存储介质,使得所 述有机纳米纤维的如下特性中的至少一种保持为基本上未改变的形式形态特6性、光学特性、电学和/或机械特性。本专利技术的进一步目的是为现有技术提供 一种替代品。具体地,可以看作本专利技术目的的是,提供一种将纳米纤维从模板 衬底转移至柔性存储介质的方法,其解决了现有技术的上述或其他的问题。优选地,本专利技术单一或组合地緩解或减轻上述或其它不足中的一个或多 个。因此,在第一方面,提供一种将纳米纤维从模板衬底转移至柔性存储介质的方法,该方法包i舌a) 提供负载纳米纤维的模板衬底和柔性存储介质;b) 定位所述柔性存储介质使得所述柔性存储介质的第一存储区域面对所 述模板衬底的第 一 负载区域;c) 按压所述柔性存储介质的所述第一存储区域以与所述模板衬底的所述 第 一 负载区域接触,以及将所述柔性存储介质的所述第 一存储区域从与所述模 板衬底的所述第一负载区域的接触处移开,从而将所述纳米纤维从所述模板衬 底转移至所述柔性存储介质,由此提供一种被加载的柔性存储介质。所述模板衬底可以是适于负载纳米纤维的任何类型衬底。所述模板衬底可 以是电介质衬底,并且所述衬底可以具有极性表面,即维持电场的表面。所述 衬底可以是在环境条件下不稳定的,因此,为了提供负载纳米纤维的才莫板衬底 所需要的步骤中的至少一个步骤可以包括制备模板衬底和在真空条件下生长 纳米纤维,例如在低于10-5托的压力下,例如低于10々托或者甚至更低的压力。 所述才莫板底可以是云母衬底,例如白云母型云母衬底。但是,所述模板衬底可 以是任何类型极性衬底,例如保持非零电荷和非零表面偶极矩的表面,例如 {111}面封端的岩盐晶体、{0001}面封端的纤锌矿晶体、{110}面封端的萤石晶 体等的表面。术语"纳米纤维,,应当被广义解释为包括具有至少一个纳米级特征维度的 细长物体或聚集体。此外,前缀"纳米,,应当被广义解释且至少包括亚微米尺寸 的物体,因为这是纳米
中常见的。提及納米纤维,这种提法不打算限 制且应当解释为包括至少棒状、针状的形状,例如任何类型的细长或基本上细 长和弯曲的物体。所述纳米纤维可以是有机纳米纤维,例如提供作为生长工艺所得到的结 构,在该生长工艺中,所述纳米纤维是由各个有机分子建立起来的,以便获得细长或弯曲的分子聚集体。所述单个有机分子可以是具有兀-电子构型的分子。 所述有机分子可以是对亚苯基低聚物或官能化的对亚苯基低聚物类型。所述纳米纤维可以具有在1 0 ~ 100微米范围内或更长的平均长度。横截面 宽度可以为几百纳米,横截面高度为约100纳米。横截面的形状可以为通常的 长方形或方形。然而,可以设想任何截面形状。所述柔性存储介质可以是带状物形式,例如塑料带,包括PET带。塑料 带很便宜、易于获得且可靠。通过提供解决关于用于将来应用的纳米纤维的紧凑存储的问题的方案,本 专利技术的实施方式对于提供一种储存和处理用于商业实施为工作器件的纳米纤 维的方法是特别有利的,但是不完全有利的。该方法可以进一 步包括如下的随后步骤b2)改变所述柔性存储介质和任选的所述模板衬底的位置,使得所述柔性 存储介质的至少第二存储区域面对所述模板衬底的至少第二负载区域;c2 )按压所述柔性存储介质的所述第二存储区域以与所述模板衬底的所述 至少第二负载区域接触,以及将所述柔性存储介质的所述至少所述第二存储区 域从与所述模板衬底的所述至少第二负载区域的接触处移开;或者可选择地,包括如下步骤a3)在相同或者其他的模板衬底上提供纳米纤维;b3)改变所述柔性存储介质的位置,使得所述柔性存储介质的至少第二存 储区域面对所述模板衬底的第 一 负载区域;c3 )按压所述柔性存储介质的所述第二存储区域以与所述才莫板衬底的所述 第 一 负载区域接触,以及将所述柔性存储介质的所述至少第二存储区域从与所 述模板衬底的所述第一负载区域的接触处移开。接着,由此可以进行加载所述存储介质的多个区域,以便提供一种存储大 量包含纳米纤维的区域的柔性存储介质。已经加载柔性存储介质,被加载的柔性存储介质可以原则上存储不定期时 间。为了确保清洁或者其他原因,在受控的气氛中,例如在氮气氛中,在二氧 化碳气氛中,在惰性气氛中或者通常在非活性气氛中,可以进行柔性存储介质 的存储。所存储的纳米纤维可以通过如下步骤转移到目标衬底d) 提供目标衬底;e) 定位所述被加载的柔性存储介质,使得所述被加载的柔性存储介质的 第 一存储区域面对所述目标衬底的第 一 负载区域;f) 按压所述被加载的柔性存储介质的所述第一存储区域以与所述目标衬 底的所述第 一 负载区域接触,以及将所述柔性存储介质的所述第一存储区域从 与所述目标衬底的所述第一负载区域的接触处移开,由此将纳米纤维从所述被 加载的存储介质转移至所述目标衬底。所述转移步骤可以包括如下步骤e2 )改变所述被加栽的柔性存储介质以及任选的目标衬底的位置,使得所 述被加载的存储介质的至少第二存储区域面对所述目标衬底的至少第二负载 区域;f2 )按压所述被加载的柔性存储介质的所述第二存储区域以与所述目标衬 底的所述至少第二负载区域接触,以及将所述被加载的柔性存储介质的所述至 少第二存储区域从与所述目标衬底的所述至少第二负载区域的接触处移开。在一些实施方式中,至少一些将所述纳米纤维从所述柔性存储介质转移至 目标衬底的处理步骤可以类似于将所述纳米纤维从模板衬底转移至柔性存储 介质的处理步骤,除了起始衬底和结尾的衬底外。所述目标衬底可以是任何所希望的衬底如半导体衬底,例如硅衬底、GaAs 衬底、InP衬底等。然而,所述目标衬底也可以是绝缘体衬底如氧化铝衬底、 氧化硅村底、玻璃村底等。所述目标衬底也可以是金属衬底、氧化物衬底,例 如ITO-衬底等。可以在目标衬底上进行另外的加工,例如为了制造器件。对于能够提供一种解决将纳米纤维局部转移至原则上任意的目标衬底或 者至少各种目标衬底上本文档来自技高网
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【技术保护点】
将纳米纤维从模板衬底转移至柔性存储介质的方法,该方法包括: a)提供负载纳米纤维的模板衬底和所述柔性存储介质; b)定位所述柔性存储介质使得所述柔性存储介质的第一存储区域面对所述模板衬底的第一负载区域; c)按压所述柔性存 储介质的所述第一存储区域以与所述模板衬底的所述第一负载区域接触,以及将所述柔性存储介质的所述第一存储区域从与所述模板衬底的所述第一负载区域的接触处移开,由此将所述纳米纤维从所述模板衬底转移至所述柔性存储介质,并且由此提供一种被加载的柔性存储介质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:霍斯特贡特鲁巴恩卡斯珀蒂尔辛汉森
申请(专利权)人:南丹麦大学
类型:发明
国别省市:DK[丹麦]

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