【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆偏移的检测装置及检测方法。
技术介绍
1、为了提高芯片的散热效率，减小芯片封装体积，减少芯片内部应力，提高电气性能，需要对晶圆进行减薄。晶圆减薄工艺并不是对晶圆的整个平面进行减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，减薄的部分形成晶圆主体，晶圆的边缘部分不进行减薄，不进行减薄的晶圆边缘部分形成薄化环。通过切割刀片对所述减薄后的晶圆进行一次切割，去除所述薄化环，对去除薄化环后的晶圆主体进行二次切割，形成多个单个芯片。
2、然而，在晶圆切割工艺过程中，存在生产效率降低的问题。因此如何提供技术方案，提高生产效率，成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是通过提供一种晶圆偏移的检测装置及检测方法，以提高生产效率。
2、为了解决上述问题，本专利技术实施例提供一种晶圆偏移的检测装置，所述晶圆具有定位槽；所述检测装置，包括：基板，用于承载所述晶圆；定位标识，位于所述基板上；探测单元，用于向所述基板的预设范围发射探测信号，以探测所述定位槽和所述定位标识是否位于所述预设范围内；采集单元，沿所述探测信号经所述预设范围内的基板透射或反射的路径上设置，用于在所述预设范围内的基板被所述探测单元探测时，获取所述预设范围内的所述定位槽和所述定位标识的图像信息，所述图像信息包括：所述定位槽的位置信息、所述定位标识的位置信息；处理单元，与所述采集单元连接，用于根据所述图像信息，确定所述晶圆的初始位置与所述图
3、可选的，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板承载晶圆的同侧。
4、可选的，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板相对的一侧，且所述采集单元位于所述基板承载晶圆的一侧，所述探测单元位于背向所述基板承载晶圆的一侧。
5、可选的，所述检测装置，还包括：固定环，用于固定承载有晶圆的基板，所述固定环的内直径大于所述晶圆的直径，以使所述定位标识设置于所述晶圆的边缘与所述固定环的内壁之间的基板上。
6、可选的，所述探测单元，包括：报警器，用于在满足下述一项或多项时报警：
7、探测单元探测所述定位槽和/或所述定位标识不在所述预设范围内时；
8、所述偏移量大于等于预设偏移量阈值时。
9、可选的，所述探测单元，包括：发射器，向所述基板的预设范围发射的探测信号，与所述定位标识的法线的夹角大于等于15度。
10、可选的，所述定位标识的形状包括：圆形、方形、椭圆形、三角形、多边形、箭头中的一种或多种。
11、相应的，本专利技术实施例还提供了一种晶圆偏移的检测方法，所述检测装置，包括：基板、定位标识、探测单元、采集单元、处理单元；所述晶圆具有定位槽；所述检测方法，包括：探测单元向所述基板的预设范围发射探测信号，以探测所述定位槽和所述定位标识是否位于所述预设范围内；采集单元在所述预设范围内的基板被所述探测单元探测时，获取所述预设范围内的所述定位槽和所述定位标识的图像信息，所述图像信息包括：所述定位槽的位置信息、所述定位标识的位置信息；处理单元根据所述图像信息，确定所述晶圆的初始位置与所述图像信息中的晶圆的位置之间的偏移量。
12、可选的，所述探测单元，包括：报警器；
13、所述探测单元向所述基板的预设范围发射探测信号，以探测所述定位槽和所述定位标识是否位于所述预设范围内的步骤，包括：
14、所述探测单元探测所述定位槽和/或所述定位标识不在所述预设范围内时，所述报警器报警；
15、所述处理单元根据所述图像信息，确定所述晶圆的初始位置与所述图像信息中的晶圆的位置之间的偏移量的步骤，包括：
16、所述偏移量大于等于预设偏移量阈值时，所述报警器报警。
17、可选的，所述检测装置，还包括：固定环；
18、在所述探测单元向所述基板的预设范围发射探测信号，以探测所述定位槽和所述定位标识是否位于所述预设范围内前，所述检测方法，还包括：
19、制定所述定位标识与所述定位槽偏移的预设偏移量阈值；
20、将所述基板置于所述固定环上；
21、将所述晶圆置于所述固定环内露出的所述基板上，所述晶圆的定位槽处与所述固定环的内壁设有距离；
22、所述定位标识，根据所述预设偏移量阈值和所述距离，设置于所述晶圆定位槽与所述固定环的内壁之间露出的基板上，且与所述晶圆的定位槽相对。
23、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
24、本专利技术实施例的检测装置，包括：基板、定位标识、探测单元、采集单元、处理单元。所述探测单元探测所述定位槽和所述定位标识是否位于所述预设范围内，减小了所述定位槽和所述定位标识不在所述预设范围内的晶圆，流向晶圆切割工序的概率，降低了晶圆的切割不良的概率，提高了生产效率。所述采集单元获取预设范围内的所述定位槽和所述定位标识的图像信息，所述处理单元根据所述图像信息，确定所述晶圆的初始位置与所述图像信息中的晶圆的位置之间的偏移量，减小了在所述基板上位置偏移量大于等于预设偏移量阈值的晶圆，流向晶圆切割工序的概率，降低了晶圆的切割不良的概率，同样提高了生产效率。
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1.一种晶圆偏移的检测装置，其特征在于，所述晶圆具有定位槽；
2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板承载晶圆的同侧。
3.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板相对的一侧，且所述采集单元位于所述基板承载晶圆的一侧，所述探测单元位于背向所述基板承载晶圆的一侧。
4.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置，还包括：固定环，用于固定承载有晶圆的基板，所述固定环的内直径大于所述晶圆的直径，以使所述定位标识设置于所述晶圆的边缘与所述固定环的内壁之间的基板上。
5.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元，包括：报警器，用于在满足下述一项或多项时报警：
6.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元，包括：发射器，向所述基板的预设范围发射的探测信号，与所述定位标识的法线的夹角大于等于15度。
7.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述定位标识的形状包括：圆形、方形、椭圆形、三角形、多边形、箭头中的
8.一种晶圆偏移的检测方法，应用于一种晶圆偏移的检测装置，其特征在于，所述检测装置，包括：
9.如权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述探测单元，包括：报警器；
10.如权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述检测装置，还包括：固定环；
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆偏移的检测装置，其特征在于，所述晶圆具有定位槽；
2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板承载晶圆的同侧。
3.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板相对的一侧，且所述采集单元位于所述基板承载晶圆的一侧，所述探测单元位于背向所述基板承载晶圆的一侧。
4.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置，还包括：固定环，用于固定承载有晶圆的基板，所述固定环的内直径大于所述晶圆的直径，以使所述定位标识设置于所述晶圆的边缘与所述固定环的内壁之间的基板上。
5.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：栾经纬，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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