【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于蚀刻液，具体涉及一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液及其应用。
技术介绍
1、氧化硅具有高电介质常数、低漏电流等优点，在半导体工艺中可作为mosfet中的栅氧化物，也可用作ic制程中的电介质层等。氮化钨具有高硬度、高熔点和良好的化学稳定性，在半导体器件中，可发挥多种作用。氮化钨可在晶体管中作为源极和漏极的接触层，氮化钨也可作为金属化层，用于连接半导体器件的不同部分。
2、常选用缓冲氧化物蚀刻液（boe）进行湿法刻蚀，去除薄栅氧区域的氧化层，并在表面进行一定时间的过刻蚀。常规boe蚀刻液对氮化钨层的腐蚀过快，氧化层过刻后氮化钨表面均一性较差，会影响后续成膜工艺。本专利技术为解决此问题，引入了可抑制氮化钨层腐蚀的缓蚀剂。该配方选择性优异，同时可提高氮化钨的蚀刻均一性。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液可抑制氮化钨腐蚀，并提高氮化钨的蚀刻均一性。
2、本专利技术涉及一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：1-10%的氢氟酸、18-22%的氟化铵、0.02-0.2%的缓蚀剂，剩余为超纯水。
3、进一步地，本专利技术涉及上述蚀刻液，氢氟酸为电子级，质量浓度为48-50%。
4、进一步地，本专利技术涉及上述蚀刻液，氟化铵为电子级，质量浓度为39-41%。
5、进一步地，本专利技术涉及上述蚀刻液，超纯水在25℃的电阻率不低于18兆欧。
6、
7、进一步地，本专利技术涉及上述蚀刻液，氢氟酸用于蚀刻氧化硅层；氟化铵用于提供氟离子，稳定蚀刻液的蚀刻速率；缓蚀剂有较强的配位能力和吸附性能，缓蚀剂中的氮原子与氮化钨表面的钨原子形成配位键，从而吸附在氮化钨表面，这种化学吸附作用可有效地阻止蚀刻液与氮化钨的接触，从而抑制了氮化钨的蚀刻速率。此外，缓蚀剂的吸附改变了氮化钨表面的电荷分布和化学性质，进一步影响蚀刻液与氮化钨的反应活性。
8、进一步地，本专利技术涉及使用的氧化硅薄膜为thermal oxide、teos、bpsg。
9、进一步地，本专利技术涉及上述蚀刻液，蚀刻液对氧化硅层和氮化钨层具有高选择性，蚀刻速率选择比＞4000。具体涉及对氮化钨层有均一性要求的结构蚀刻。
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1.一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液成分为1-10%的氢氟酸、18-22%的氟化铵、0.02-0.2%的缓蚀剂，剩余为超纯水。
2.根据权利要求1所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液成分中的氢氟酸为电子级，质量浓度为48-50%。
3.根据权利要求1所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液成分中的氟化铵为电子级，质量浓度为39-41%。
4.根据权利要求1中所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述的超纯水在25℃的电阻率不低于18兆欧。
5.根据权利要求1中所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂为选自2-氨基-4-氧代-3,4-二氢蝶啶-6-羧酸、蝶啶-4-醇、2-氨基-4-羟基蝶啶、2-氨基-4-羟基蝶啶-6-羧酸、2,4-二羟基蝶啶的至少一种。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液对氧化硅薄膜蚀刻中的应用。
7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于：所述
8.根据权利要求6所述的应用，其特征在于：所述的氧化硅薄膜包括Thermal Oxide、TEOS、或BPSG中的任意一种。
9.一种如权利要求1-5任一项所述的高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液对氧化硅层和氮化钨层薄膜蚀刻中选择性蚀刻氧化硅层的应用，蚀刻速率选择比＞4000。
...【技术特征摘要】
1.一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液成分为1-10%的氢氟酸、18-22%的氟化铵、0.02-0.2%的缓蚀剂，剩余为超纯水。
2.根据权利要求1所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液成分中的氢氟酸为电子级，质量浓度为48-50%。
3.根据权利要求1所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液成分中的氟化铵为电子级，质量浓度为39-41%。
4.根据权利要求1中所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于，所述的超纯水在25℃的电阻率不低于18兆欧。
5.根据权利要求1中所述的一种高蚀刻均匀性的缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：许真，张庭，贺兆波，李金航，武昊冉，董攀飞，蒲帅，杨翠翠，陈小超，陈麒，刘春丽，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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