System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 铜箔的生产工艺及铜箔制造技术_技高网

铜箔的生产工艺及铜箔制造技术

技术编号:44756034 阅读:2 留言:0更新日期:2025-03-26 12:41
本申请属于铜箔技术领域,具体涉及铜箔的生产工艺及铜箔,铜箔的生产工艺包括如下步骤:将铜原料与硫酸反应生成硫酸铜溶液;对所述硫酸铜溶液进行电解,得到生箔;对所述生箔进行表面处理,所述表面处理包括粗化工艺,在所述粗化工艺中:粗化液包括添加剂C和添加剂D,所述添加剂C包括钨酸钠、钼酸钠、钼酸铵、硫酸锡、硫酸钛中的一种或两种及以上混合溶液,所述添加剂C的浓度为10‑60ppm;所述添加剂D包括羟乙基纤维素、乙二醇等高分子有机物,所述添加剂D的浓度为30‑50ppm;对经过所述表面处理之后的生箔进行目标温度处理,得到铜箔。通过本方案中的铜箔生产工艺,能够降低高温处理之后铜箔抗剥离强度衰减率。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于铜箔,具体涉及一种铜箔的生产工艺及铜箔


技术介绍

1、铜箔作为线路板中电子与信号传导的载体,是印刷电路板(pcb)制造中的重要原料,是覆铜板(ccl)产品的三大关键组成材料之一,被称为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。随着电子技术的不断发展,高频高速类产品的需求不断增加,对低信号损耗线路的要求不断提高,从而对板材表面铜箔的各项物性(性能)有了更高的要求。

2、但在铜箔的生产工艺中,在对铜箔进行高温处理之后会造成抗剥离强度下降严重,造成抗剥离强度不合格,造成爆板等问题。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种铜箔的生产工艺及铜箔,能够减少在高温处理铜箔之后铜箔抗剥离强度下降的问题。

2、本申请第一方面提供了一种铜箔的生产工艺,包括如下步骤:

3、将铜原料与硫酸反应生成硫酸铜溶液;

4、对所述硫酸铜溶液进行电解,得到生箔;

5、对所述生箔进行表面处理,所述表面处理包括粗化工艺,在所述粗化工艺中:粗化液包括添加剂c和添加剂d,所述添加剂c包括钨酸钠、钼酸钠、钼酸铵、硫酸锡、硫酸钛中的一种或两种及以上混合溶液,所述添加剂c的浓度为10-60ppm;所述添加剂d包括羟乙基纤维素、乙二醇等高分子有机物,所述添加剂d的浓度为30-50ppm;

6、对经过所述表面处理之后的生箔进行目标温度处理,得到铜箔。

7、在本申请的一种示例性实施例中,在所述粗化液中:铜浓度为11-18g/l,且硫酸浓度为100-150g/l;

8、在所述粗化工艺中:粗化入侧电流密度为33-40a/dm2,粗化出侧电流密度为所述粗化入侧电流密度的0.6-0.8倍。

9、在本申请的一种示例性实施例中,所述将铜原料与硫酸反应生成硫酸铜溶液之后,还包括如下步骤:

10、将得到的所述硫酸铜溶液进行第一次过滤,并向第一次过滤之后的硫酸铜溶液中加入第一添加剂,所述第一添加剂包括添加剂a和添加剂b,所述添加剂a包括大分子明胶,添加剂b包括小分子骨胶原蛋白肽,所述添加剂a和添加剂b的浓度比为1:1,所述第一添加剂浓度为0.67-1.06ppm;

11、向加入有第一添加剂的硫酸铜溶液进行第二次过滤。

12、在本申请的一种示例性实施例中,向第一次过滤之后的硫酸铜溶液中加入第一添加剂的步骤中还包括:

13、加入活性炭,所述活性炭的添加浓度为所述第一添加剂浓度的1-1.3倍。

14、在本申请的一种示例性实施例中,所述添加剂a的分子量为10-25万da,所述添加剂b的分子量为1200-1800da。

15、在本申请的一种示例性实施例中,将加入有所述第一添加剂的所述纯净硫酸铜溶液进行第二次过滤的工艺步骤包括:

16、采用精度为0.45μm超滤膜对加入有所述第一添加剂的所述纯净硫酸铜溶液进行第二次过滤。

17、在本申请的一种示例性实施例中,所述表面处理还包括酸洗;

18、其中,在所述酸洗工艺中:硫酸浓度为80-150g/l,且双氧水质量浓度为5%-12%,双氧水与硫酸的比例为1:1-1.25。

19、在本申请的一种示例性实施例中,所述表面处理还包括固化;

20、在所述固化工艺中:铜离子浓度为60-85g/l,且硫酸浓度为70-90g/l;

21、其中,固化入侧电流密度为38-45a/dm2,固化出侧电流密度为所述固化入侧电流密度的0.8-0.95倍。

22、在本申请的一种示例性实施例中,所述表面处理还包括灰化、钝化和有机化中的至少一种;

23、在所述灰化工艺中包括:采用电镀锌镍合金层,电流密度为1.5-2.5a/dm2;和/或

24、在所述钝化工艺中包括:钝化电流密度为3.0-6.0a/dm2;和/或

25、在所述有机化工艺中包括:采用硅烷对生箔毛面进行涂覆;所述硅烷采用γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、n-2氨乙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷等与水配制的混合溶液,所述硅烷的浓度为5‰-10‰。

26、本申请第二方面提供了一种铜箔,由上述任一项所述的制备工艺制备得到。

27、本申请方案包括铜箔的生产工艺及铜箔至少具有以下有益效果:

28、本申请在对生箔表面处理的粗化工艺中加入添加剂c和添加剂d,加入有添加剂c和添加剂d的铜箔在高温处理之后的抗剥离强度衰退率降低,也即通过向粗化工艺中加入添加剂c和添加剂d,能够降低高温处理下铜箔的抗剥离强度衰减率,保证铜箔的抗剥离强度。

29、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本申请的实践而习得。

30、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。

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【技术保护点】

1.一种铜箔的生产工艺,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,在所述粗化液中:铜浓度为11-18g/L,且硫酸浓度为100-150g/L;

3.根据权利要求1所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,所述将铜原料与硫酸反应生成硫酸铜溶液之后,还包括如下步骤:

4.根据权利要求3所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,向第一次过滤之后的硫酸铜溶液中加入第一添加剂的步骤中还包括:

5.根据权利要求3所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,所述添加剂A的分子量为10-25万Da,所述添加剂B的分子量为1200-1800Da。

6.根据权利要求1所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,将加入有所述第一添加剂的所述纯净硫酸铜溶液进行第二次过滤的工艺步骤包括:

7.根据权利要求1所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,所述表面处理还包括酸洗;

8.根据权利要求1述的铜箔的生产工艺,其特征在于,所述表面处理还包括固化;

9.根据权利要求1述的铜箔的生产工艺,其特征在于,所述表面处理还包括灰化、钝化和有机化中的至少一种;

10.一种铜箔,其特征在于,由权利要求1至9任一项所述的制备工艺制备得到。

...

【技术特征摘要】

1.一种铜箔的生产工艺,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,在所述粗化液中:铜浓度为11-18g/l,且硫酸浓度为100-150g/l;

3.根据权利要求1所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,所述将铜原料与硫酸反应生成硫酸铜溶液之后,还包括如下步骤:

4.根据权利要求3所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,向第一次过滤之后的硫酸铜溶液中加入第一添加剂的步骤中还包括:

5.根据权利要求3所述的铜箔的生产工艺,其特征在于,所述添加剂a的分子量为10-25万da,所述添加...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢文宾尹卫华
申请(专利权)人:深圳惠科新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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