【技术实现步骤摘要】
本说明书实施例涉及覆铜陶瓷基板，具体为一种覆铜陶瓷基板及功率模块。
技术介绍
1、覆铜陶瓷基板，是使用dcb（direct copper bond）技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料。覆铜陶瓷基板具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高，覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点，可用于半导体致冷器、电子加热器，大功率电力半导体模块等多项工业电子领域。
2、如图4所示，现有的覆铜陶瓷基板大都包括一陶瓷基板和覆盖在陶瓷基板顶面的铜箔层以及覆盖在陶瓷基板底面的铜箔层，该结构的覆铜陶瓷基板散热效果较差。特别是对于散热要求较高的大功率模块，该结构的覆铜陶瓷基板可能达不到散热要求。
3、为此，现有技术有提出在底面的铜箔层中开设微通道来提高覆铜陶瓷基板的散热效果，但是，该结构的覆铜陶瓷基板会使得翘曲度值大大增加。
技术实现思路
1、本说明书实施例针对现有技术的不足之处，提出了一种能够提高散热效果且不会影响翘曲度值的覆铜陶瓷基板及功率模块。
2、本说明书实施例还提出了一种覆铜陶瓷基板，包括：
3、铜箔层；
4、第一陶瓷基板，与铜箔层的底面连接，且第一陶瓷基板的底面开设有贯穿第一陶瓷基板边侧的第一通槽；
5、第二陶瓷基板，与第一陶瓷基板的底面连接，且第二陶瓷基板的顶面开设有贯穿第二陶瓷基板边侧的第二通槽，第二通槽与第一通槽对接形成冷却水通道。
6、作为优选，第一陶瓷基板的顶面设有第一焊料层。<...
【技术保护点】
1.一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第一陶瓷基板（3）的顶面设有第一焊料层（6）。
3.根据权利要求2所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第一陶瓷基板（3）通过所述第一焊料层（6）与所述铜箔层（1）真空钎焊连接。
4.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第二陶瓷基板（4）的顶面设有第二焊料层（7）。
5.根据权利要求4所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第二陶瓷基板（4）通过所述第二焊料层（7）与所述第一陶瓷基板（3）真空钎焊连接。
6.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第一通槽包括若干第一直槽部和若干第一弯槽部，一所述第一弯槽部连接相邻两所述第一直槽部，且位于所述第一通槽长度方向第一端的所述第一直槽部贯穿所述第一陶瓷基板（3）的边侧以形成第一槽口A1，位于所述第一通槽长度方向第二端的所述第一直槽部贯穿所述第一陶瓷基板（3）的边侧以形成第一槽口B1。
7.根据权利要求6所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在
8.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第一陶瓷基板（3）的厚度为0.5-1毫米。
9.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第二陶瓷基板（4）的厚度为0.5-1毫米。
10.一种功率模块，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一权利要求所述的覆铜陶瓷基板，还包括与所述铜箔层（1）顶面连接的芯片（2）。
...【技术特征摘要】
1.一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第一陶瓷基板（3）的顶面设有第一焊料层（6）。
3.根据权利要求2所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第一陶瓷基板（3）通过所述第一焊料层（6）与所述铜箔层（1）真空钎焊连接。
4.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第二陶瓷基板（4）的顶面设有第二焊料层（7）。
5.根据权利要求4所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第二陶瓷基板（4）通过所述第二焊料层（7）与所述第一陶瓷基板（3）真空钎焊连接。
6.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述第一通槽包括若干第一直槽部和若干第一弯槽部，一所述第一弯槽部连接相邻两所述第一直槽部，且位于所述第一通槽长度方向第一端的所述第一直槽部贯穿所述第一陶瓷基板（3）的边侧以形成第一槽口a1，位于所述第一通槽长度方向第二端的所述第一直槽部贯穿所述第一陶瓷基板（3）的边侧以形成第一槽口b1...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄世东，王顾峰，李志豪，
申请(专利权)人：浙江德汇电子陶瓷有限公司，
类型：新型
国别省市：
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