【技术实现步骤摘要】
本申请涉及适于在移动通信设备等中用作频率滤波器等用途的弹性波器件的改良。
技术介绍
1、在具有wlp(wafer level package：晶圆级封装)结构的弹性波(surfaceacoustic wave/saw)器件中，存在如专利文献1所示的结构。
2、在该专利文献1(日本特开2002-217673号公报)的装置中，在器件芯片的一面上设置树脂制的罩体，并且使形成于上述一面的idt电极位于由该罩体形成的内部空间内。在这种弹性波器件中，要求实现薄型化。
3、另外，当与其他器件一起构成模块时，这种弹性波器件需要对模块基板上形成的密封树脂的模塑压力具有一定的抵抗力。
4、另外，这种弹性波器件需要改善tcf特性(频率温度特性)及散热性。
技术实现思路
1、本申请所要解决的主要问题点在于，如何提供一种新结构及其制造方法，该新结构能够在这种wlp结构的弹性波器件中，保持对上述模塑压力具有一定抵抗力的同时，尽可能地实现薄型化，并且能够合理地改善tcf特性和散热性。
2、第一个方面，本申请提供一种弹性波器件，具备：
3、器件芯片，具备在一面上至少包括idt电极的多个功能元件、比所述功能元件的厚度大的厚膜布线、以及环绕所述功能元件和所述厚膜布线的形成区域且与所述厚膜布线的厚度相同的环绕金属层；
4、薄膜层，由绝缘材料或高电阻材料构成，形成于所述厚膜布线和所述环绕金属层上；以及
5、顶盖基板，通过所述薄膜层接合到所
6、所述顶盖基板由高电阻硅、陶瓷或玻璃构成。
7、在其中的一些实施例中，所述薄膜层由硅构成，
8、并且所述薄膜层中与所述顶盖基板相接的面、以及所述顶盖基板中与所述薄膜层相接的面的表面粗糙度ra均为0.0001nm以上且0.5nm以下。
9、在其中的一些实施例中，所述厚膜布线和所述环绕金属层通过光刻技术形成的导电性金属膜构成。
10、在其中的一些实施例中，所述顶盖基板的厚度设为，所述器件芯片的另一面与所述厚膜布线和所述环绕金属层中相接于所述薄膜层的面之间的距离的2倍以上。
11、在其中的一些实施例中，所述器件芯片的所述一面的面积中，所述厚膜布线和所述环绕金属层的形成区域的面积所占比例为25％以上且60％以下。
12、在其中的一些实施例中，所述膜厚布线和所述环绕金属层在与所述器件芯片的一面正交方向的厚度为3μm-6μm。
13、在其中的一些实施例中，所述薄膜层通过溅射工艺形成。
14、在其中的一些实施例中，所述器件芯片使用钽酸锂或铌酸锂作为压电体。
15、第二个方面，本申请提供了一种弹性波器件的制造方法，适用于制造上述第一个方面所述的弹性波器件，包括：
16、第一步骤，在待形成器件芯片的晶片的一面上，形成功能元件、厚膜布线和环绕金属层；
17、第二步骤，在所述第一步骤之后，形成薄膜层；
18、第三步骤，在所述第二步骤之后，将待形成顶盖基板的集合基板的一面与所述薄膜层接合；以及
19、第四步骤，在所述第三步骤之后，通过对所述晶片的另一面进行研削，使所述晶片变薄。
20、在其中的一些实施例中，所述对所述晶片的另一面进行研削之后，还包括：
21、在所述集合基板上形成贯通孔；在所述贯通空的孔底去除所述薄膜层；在所述贯通孔内形成凸块。
22、根据本申请，可以提供一种具有wlp结构的弹性波器件，该器件能够在保持对模塑压力具有一定抵抗力的同时，尽可能地实现薄型化，并且能够合理地改善tcf特性和散热性。
23、本申请的一个或多施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
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1.一种弹性波器件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述厚膜布线和所述环绕金属层通过光刻技术形成的导电性金属膜构成。
4.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述膜厚布线和所述环绕金属层在与所述器件芯片的一面正交方向的厚度为3μm-6μm。
7.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述薄膜层通过溅射工艺形成。
8.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述器件芯片使用钽酸锂或铌酸锂作为压电体。
9.一种弹性波器件的制造方法，适用于制造上述权利要求1-8任一项所述的弹性波器件，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的弹性波器件的制造方法，其特征在于，所述对所述晶片的另一面进行研削之后，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种弹性波器件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述厚膜布线和所述环绕金属层通过光刻技术形成的导电性金属膜构成。
4.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述膜厚布线和所述环绕金属层在与所述器件芯片的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊谷浩一，中村博文，
申请(专利权)人：三安日本科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
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