【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及分段温度补偿带隙基准电压产生电路及线性稳压器。
技术介绍
1、带隙基准电压产生电路广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，用于向芯片中的其他电路提供基准电压(或称为参考电压)。
2、随着电路精度要求越来越高，传统技术带隙基准电压产生电路已无法满足电路性能需求。带隙基准电压产生电路包括晶体管，晶体管电压随着温度变化明显，导致在整个温度范围内基准电压变化明显，无法向其他电路提供稳定的基准电压。且传统带有温度补偿的带隙基准电压产生电路结构复杂、功耗高。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种分段温度补偿带隙基准电压产生电路及线性稳压器，以在整个温度范围内，对带隙基准电压产生电路进行温度补偿，提高带隙基准电压产生电路输出电压的稳定性，且电路结构简单、功耗低。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种分段温度补偿带隙基准电压产生电路，包括：基准电压产生电路、补偿电阻和补偿电路；
3、所述基准电压产生电路的第一端与第一电源连接，所述基准电压产生电路的第二端与第二电源连接，所述基准电压产生电路还包括控制电压输出端；
4、所述控制电压输出端与所述补偿电阻的第一端连接，所述补偿电阻的第二端与所述第一电源连接，所述补偿电阻的第二端用于输出基准电压；
5、所述补偿电路包括基础电路和至少两个级联连接的分段补偿电路，所述基础电路包括第一开关和第一电阻，所述第一开关的控制端与所述控制电压输出端连
6、所述分段补偿电路包括至少两个级联连接的温度补偿电路，所述温度补偿电路包括第二开关和第二电阻，所述第二开关和所述第二电阻串联连接于所述控制电压输出端和所述第二电源之间，第一级温度补偿电路的第二开关的控制端与第一中间节点连接，其余级温度补偿电路的第二开关的控制端与上一级温度补偿电路的的第二中间节点连接，所述第一中间节点为所述第一开关和所述第一电阻连接的公共端，所述第二中间节点为属于同一所述温度补偿电路的第二开关和第二电阻连接的公共端；
7、所述补偿电路用于根据温度变化控制所述基础电路的导通状态以及分段补偿电路的导通个数，以调节所述基准电压的大小。
8、可选的，所述第一开关、各所述第二开关均为三极管。
9、可选的，所述基准电压产生电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第三电阻和第四电阻；
10、所述第一晶体管的第一极作为所述基准电压产生电路的第一端，所述第一晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接，所述第一晶体管的第二极还与所述第一晶体管的第三极连接，所述第三晶体管的第二极与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端作为所述基准电压产生电路的第二端；
11、所述第二晶体管的第一极与所述第一晶体管的第一极连接，所述第二晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极连接，所述第二晶体管的第三极与所述第一晶体管的第三极连接，所述第四晶体管的第二极与所述第四电阻的第一端连接，所述第三晶体管的第三极和所述第四晶体管的第三极连接，所述第三晶体管的第三极作为所述控制电压输出端。
12、可选的，所述分段温度补偿带隙基准电压产生电路，还包括反馈调节模块，所述反馈调节模块的第一端与所述基准电压产生电路的第一端连接，所述反馈调节模块的第二端与所述第二电源连接，所述反馈调节模块的反馈端与所述基准电压产生电路的内部节点连接，所述反馈调节模块的第三端与所述第一中间节点连接，所述反馈调节模块用于根据所述基准电压产生电路中的电流的大小调节所述反馈调节模块的电阻的大小，以调节所述基准电压产生电路中的电流大小。
13、可选的，所述反馈调节模块包括：第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的第一极作为所述反馈调节模块的第一端，所述第五晶体管的第二极与所述第六晶体管的第一极连接，所述第五晶体管的第三极作为所述反馈调节模块的反馈端；
14、所述第六晶体管的第二极作为所述反馈调节模块的第二端，所述第六晶体管的第三极作为所述反馈调节模块的第三端。
15、可选的，所述第二开关为三极管，所述第六晶体管和所述第二开关的极性不同。
16、可选的，所述分段温度补偿带隙基准电压产生电路，还包括补偿电容，所述补偿电容的第一端与所述反馈调节模块的反馈端连接，所述补偿电容的第二端与所述第二电源连接。
17、可选的，所述分段温度补偿带隙基准电压产生电路，还包括第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第七晶体管和第八晶体管；
18、所述第七晶体管的第一极与所述第一电源连接，所述第七晶体管的第二极与所述第七晶体管的第三极连接；
19、所述第八晶体管的第一极与所述第七晶体管的第二极连接，所述第八晶体管的第二极与所述补偿电阻的第二端连接，所述第八晶体管的第三极与所述基准电压产生电路的第一端连接。
20、可选的，所述分段温度补偿带隙基准电压产生电路，还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第九晶体管和第十晶体管，所述第九晶体管的第一极与所述第一电源连接，所述第九晶体管的第二极与所述第一开关的第一端连接，所述第九晶体管的第三极与所述第九晶体管的第二极连接；
21、所述第十晶体管的第一极与所述第一电源连接，所述第十晶体管的第二极与所述基准电压产生电路的第一端连接，所述第十晶体管的第三极与所述第九晶体管的第三极连接。
22、根据本专利技术的另一方面，提供了一种线性稳压器，包括上述任一项所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路。
23、本专利技术实施例的技术方案，通过设置分段补偿电路，实现对温度的分段补偿，减小宽温度变化范围下，基准电压的变化幅度，提高补偿精度，保证分段温度补偿带隙基准电压产生电路输出的基准电压的稳定性。同时，分段温度补偿电路仅包括开关和电阻，结构简单、占用面积小、功耗低。
24、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，包括：基准电压产生电路、补偿电阻和补偿电路；
2.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述第一开关、各所述第二开关均为三极管。
3.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述基准电压产生电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第三电阻和第四电阻；
4.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，还包括反馈调节模块，所述反馈调节模块的第一端与所述基准电压产生电路的第一端连接，所述反馈调节模块的第二端与所述第二电源连接，所述反馈调节模块的反馈端与所述基准电压产生电路的内部节点连接，所述反馈调节模块的第三端与所述第一中间节点连接，所述反馈调节模块用于根据所述基准电压产生电路中的电流的大小调节所述反馈调节模块的电阻的大小，以调节所述基准电压产生电路中的电流大小。
5.根据权利要求4所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述反馈调节模块包括：第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的
6.根据权利要求5所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述第二开关为三极管，所述第六晶体管和所述第二开关的极性不同。
7.根据权利要求4所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，还包括补偿电容，所述补偿电容的第一端与所述反馈调节模块的反馈端连接，所述补偿电容的第二端与所述第二电源连接。
8.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，还包括第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第七晶体管和第八晶体管；
9.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第九晶体管和第十晶体管，所述第九晶体管的第一极与所述第一电源连接，所述第九晶体管的第二极与所述第一开关的第一端连接，所述第九晶体管的第三极与所述第九晶体管的第二极连接；
10.一种线性稳压器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路。
...【技术特征摘要】
1.一种分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，包括：基准电压产生电路、补偿电阻和补偿电路；
2.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述第一开关、各所述第二开关均为三极管。
3.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述基准电压产生电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第三电阻和第四电阻；
4.根据权利要求1所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，还包括反馈调节模块，所述反馈调节模块的第一端与所述基准电压产生电路的第一端连接，所述反馈调节模块的第二端与所述第二电源连接，所述反馈调节模块的反馈端与所述基准电压产生电路的内部节点连接，所述反馈调节模块的第三端与所述第一中间节点连接，所述反馈调节模块用于根据所述基准电压产生电路中的电流的大小调节所述反馈调节模块的电阻的大小，以调节所述基准电压产生电路中的电流大小。
5.根据权利要求4所述的分段温度补偿带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述反馈调节模块包括：第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的第一极作为所述反馈...
【专利技术属性】
技术研发人员：白勤杰，
申请(专利权)人：宸芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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