【技术实现步骤摘要】
本申请涉及薄膜电阻，具体而言涉及一种薄膜电阻器件及其制备方法。
技术介绍
1、诸如铬硅薄膜电阻之类的薄膜电阻因其高电阻率、低电阻温度系数、高稳定性、无寄生效应和易于成膜等优良特性，在混合集成电路中得到广泛应用。
2、对于相关技术中的薄膜电阻器件，其薄膜电阻结构通常位于相邻两个金属互连层之间的绝缘层中。相关技术中的薄膜电阻器件的制备方法通常包括如下步骤：先形成覆盖位于第一绝缘层上的第一金属互连层的第二绝缘层并对其平坦化，然后在第二绝缘层上形成薄膜电阻结构，然后形成覆盖薄膜电阻结构的第三绝缘层并对其平坦化，然后形成自第三绝缘层上表面延伸至第一金属互连层的第一接触孔和自第三绝缘层上表面延伸至薄膜电阻结构的第二接触孔，并在其中填充接触金属，之后在第三绝缘层上形成第二金属互连层，第二金属互连层的第一部分通过接触金属与第一金属互连层导电连接，第二金属互连层的第二部分通过接触金属与薄膜电阻结构导电连接。
3、相关技术中薄膜电阻器件的制备方法存在的问题在于：1)第三绝缘层的厚度通常较薄，第三绝缘层平坦化时容易过度研磨损伤到薄膜电阻结构；2)刻蚀形成第一接触孔和第二接触孔时，由于第二接触孔深度过小，且深度明显小于第一接触孔，薄膜电阻结构处容易过刻蚀，造成薄膜电阻结构损伤。
4、因此需要进行改进，以至少部分地解决上述问题。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着
2、为了至少部分地解决上述问题，根据本专利技术的第一方面，提供了一种薄膜电阻器件的制备方法，其包括：
3、提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上的第一金属互连层；
4、在所述第一金属互连层上和暴露的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，并对所述第二绝缘层的上表面进行平坦化；
5、在所述第二绝缘层上表面的部分区域形成薄膜电阻结构；
6、在所述薄膜电阻结构上和所述第二绝缘层暴露的上表面形成第三绝缘层；
7、形成自所述第三绝缘层上表面延伸至所述第一金属互连层的第一接触孔，并在所述第一接触孔中填充第一接触金属；
8、在所述第三绝缘层上表面形成第二金属互连层，其中，所述第二金属互连层通过所述第一接触金属与所述第一金属互连层导电连接；
9、在所述第二金属互连层上和暴露的所述第三绝缘层上形成第四绝缘层，并对所述第四绝缘层的上表面进行平坦化；
10、形成自所述第四绝缘层上表面延伸至所述第二金属互连层的第二接触孔和自所述第四绝缘层上表面延伸至所述薄膜电阻结构的第三接触孔，并在所述第二接触孔和所述第三接触孔中分别填充第二接触金属和第三接触金属；
11、在所述第四绝缘层上表面形成第三金属互连层，其中，所述第三金属互连层的第一部分通过所述第二接触金属与所述第二金属互连层导电连接，所述第三金属互连层的第二部分通过所述第三接触金属与所述薄膜电阻结构导电连接。
12、示例性的，所述第二接触孔的孔径大于所述第三接触孔的孔径。
13、示例性的，所述薄膜电阻结构包括电阻器层、第一接触垫和第二接触垫，所述电阻器层位于所述第二绝缘层的上表面，所述第一接触垫和所述第二接触垫均位于所述电阻器层的上表面，且间隔设置；
14、所述第三接触孔有两个，两个所述第三接触孔分别延伸至所述第一接触垫和所述第二接触垫处。
15、示例性的，所述第一接触垫和所述第二接触垫均包括层叠设置的导电层和抗反射涂层；
16、所述第三接触孔延伸至所述导电层处，所述第三接触金属的底部与所述导电层接触。
17、示例性的，所述电阻器层的材质包括铬硅、镍硅、氮化钛、钛钨、氮化坦和氮化坦硅中的至少一种；
18、所述导电层为氮化钛层。
19、示例性的，所述第一金属互连层的上表面与平坦化后的所述第二绝缘层的上表面之间的距离为550nm-650nm。
20、示例性的，在所述薄膜电阻结构上和所述第二绝缘层暴露的上表面形成的所述第三绝缘层厚度为200nm-300nm。
21、示例性的，所述第二金属互连层的上表面与平坦化后的所述第四绝缘层的上表面之间的距离为700nm-800nm。
22、示例性的，所述半导体结构还包括衬底，所述第一金属互连层与所述衬底之间的第一绝缘层中设置有多个第四接触孔，所述第四接触孔中填充有第四接触金属，所述第一金属互连层通过所述第四接触金属与所述衬底导电连接。
23、根据本专利技术的第二方面，提供了一种薄膜电阻器件，所述薄膜电阻器件通过如上所述的制备方法制备。
24、根据本专利技术的薄膜电阻器件及其制备方法，一方面，在形成第三绝缘层后，不直接对其进行平坦化，而是形成自第三绝缘层上表面延伸至第一金属互连层的第一接触孔，并在第一接触孔中填充第一接触金属，从而，可以有效避免平坦化损坏薄膜电阻结构；另一方面，在形成第四绝缘层后，再形成自第四绝缘层上表面延伸至第二金属互连层的第二接触孔和自第四绝缘层上表面延伸至薄膜电阻结构的第三接触孔，并在第二接触孔和第三接触孔中分别填充第二接触金属和第三接触金属，第三接触孔深度大于第二金属互连层和第三金属互连层之间的距离，从而，在刻蚀形成第三接触孔时薄膜电阻结构处不易过刻蚀，不易造成薄膜电阻结构损伤。进而，通过本申请制备方法形成的薄膜电阻器件可以具有更高的性能稳定性和更高的产品良率。
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1.一种薄膜电阻器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
10.一种薄膜电阻器件，其特征在于，所述薄膜电阻器件通过权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜电阻器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，张文博，张一凡，李婧，许继辉，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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