【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅基oled，具体地说，本专利技术涉及一种硅基oled微显示器阳极结构的制备方法及硅基oled微显示器阳极结构。
技术介绍
1、硅基oled显示技术具有自发光、高对比度、高反应速度等特点，被广泛应用在虚拟现实(vr)、增强现实(ar)等设备上。在现有的硅基oled中，采用带有cmos电路的硅基板做为衬底，往上依次叠加阳极反射层、oled蒸镀层、封装层、cf(color filter)色阻层及封装盖板层等。
2、现有的阳极反射层制备方法之一，采用cu膜层与cmos基板相连，再镀al膜层作为阳极反射层，随后采用化学机械抛光将多余部分除去，使其平坦化，再往上依次制作强微腔层及其他oled层(如图8)，该制作过程需配备完整的化学机械抛光工艺设备，相应的成本也会增加。
3、现有的阳极反射层制备方法之二，采用ti/al/tin与cmos基板相连，再制备ito层作为微腔调节层(如图9)。此方法无法限制出射光的方向。斜向出射光容易发生相邻像素间光串扰的现象，降低色域及显示亮度。
4、希望提供一种改进的硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，特别是关于如何减少工艺步骤和材料消耗，降低成本，有效改善光串扰问题，提高产品色域及亮度。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，目的是减少工艺步骤和材料消耗，降低成本。
2、为了实现上述目的，本专利技术采取
3、s1、提供一驱动电路衬底；
4、s2、在所述驱动电路衬底的一侧形成第一复合膜层，第一复合膜层包括sio膜层和sin膜层；
5、s3、在所述第一复合膜层远离所述驱动电路衬底的一侧形成金属膜层，然后形成阳极膜层；
6、s4、在所述阳极膜层远离所述驱动电路衬底的一侧填充阳极像素区域内的开孔，然后形成透明无机膜层；
7、s5、在所述透明无机膜层远离所述驱动电路衬底的一侧制备导通连接结构；
8、s6、在所述导通连接结构远离所述驱动电路衬底的一侧制备ito层，ito层覆盖所述透明无机膜层；
9、s7、刻蚀所述ito层、所述透明无机膜层、所述阳极膜层、所述sio膜层和所述sin膜层，sin膜层处形成坡度角。
10、所述步骤s2中，通过cvd工艺在所述驱动电路衬底上制备所述sio膜层和所述sin膜层，然后再通过光刻工艺进行刻蚀。
11、所述步骤s3中，通过pvd工艺制备所述金属膜层，然后通过光刻工艺在金属膜层上形成图案，形成独立的所述阳极膜层，图案用于将相邻的阳极像素区域隔离开。
12、所述步骤s3中，所述金属膜层为ti/al/tin形成的复合膜层。
13、所述金属膜层中，al膜层的厚度为400a以上。
14、所述步骤s4中，所述透明无机膜层为sio膜层。
15、所述步骤s5中，通过pvd工艺和光刻工艺制备所述导通连接结构，导通连接结构穿过所述透明无机膜层后与所述第一复合膜层接触。
16、所述导通连接结构为ti/tin形成的复合膜层。
17、所述步骤s6中，通过pvd工艺和光刻工艺制备所述ito层。
18、本专利技术还提供了一种硅基oled微显示器阳极结构，采用上述方法形成。
19、本专利技术的硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，制作新型阳极反射层，可以减少工艺步骤和材料消耗，降低成本，有效改善光串扰问题，提高产品色域及亮度。
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1.硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过CVD工艺在所述驱动电路衬底上制备所述SiO膜层和所述SiN膜层，然后再通过光刻工艺进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，通过PVD工艺制备所述金属膜层，然后通过光刻工艺在金属膜层上形成图案，形成独立的所述阳极膜层，图案用于将相邻的阳极像素区域隔离开。
4.根据权利要求1至3任一所述的硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述金属膜层为Ti/AL/TiN形成的复合膜层。
5.根据权利要求4所述的硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述金属膜层中，Al膜层的厚度为400A以上。
6.根据权利要求1至5任一所述的硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述透明无机膜层为SiO膜层。
7.根据权利要求1至6任一所述的
8.根据权利要求6所述的硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述导通连接结构为Ti/TiN形成的复合膜层。
9.根据权利要求1至8任一所述的硅基OLED微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，通过PVD工艺和光刻工艺制备所述ITO层。
10.硅基OLED微显示器阳极结构，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的方法形成。
...【技术特征摘要】
1.硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，通过cvd工艺在所述驱动电路衬底上制备所述sio膜层和所述sin膜层，然后再通过光刻工艺进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中，通过pvd工艺制备所述金属膜层，然后通过光刻工艺在金属膜层上形成图案，形成独立的所述阳极膜层，图案用于将相邻的阳极像素区域隔离开。
4.根据权利要求1至3任一所述的硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中，所述金属膜层为ti/al/tin形成的复合膜层。
5.根据权利要求4所述的硅基oled微显示器阳极结构的制备方法，其特征在于，所述金属膜层中，al膜层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亮亮，荣长亭，陈蒙，陆炎，丁茂银，孙新然，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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