【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，更具体地说，它涉及一种氧化铝陶瓷加热环及加工方法。
技术介绍
1、目前，高纯氧化铝陶瓷具有广泛的应用领域，在半导体行业，医疗行业，液晶显示屏行业，新能源行业，集成电路行业等高科技行业中发挥着重要的作用。氧化铝陶瓷由于其高强度、高硬度、耐高温、耐刻蚀、高热稳定等优异性能使得在半导体刻蚀设备零部件当中会优先考虑氧化铝材料，相较而言，氮化铝陶瓷的热导率会远远大于氧化铝，但是由于氧化铝耐刻蚀性的不可代替，在半导体刻蚀设备当中依然会选择氧化铝陶瓷作为加热部件。
2、传统的氧化铝陶瓷加热环在加热效率这方面性能并不突出，而针对材料本身也很难有明显的突破，只能从其结构方面进行考虑，而在半导体刻蚀设备高精密陶瓷零部件当中任何微小的改动都可能对产品本身结构性能产生影响。
技术实现思路
1、为了克服上述不足，本专利技术提供了一种氧化铝陶瓷加热环及加工方法，提高了氧化铝陶瓷加热环的导热性能，氧化铝陶瓷加热环的热传导均匀，加热效率高。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：一种氧化铝陶瓷加热环， 包括陶瓷基体，陶瓷基体上表面设置一级下沉环槽，一级下沉环槽底部设置二级下沉环槽，二级下沉环槽底部周向均布设置若干下沉槽，下沉槽内安装加热体，二级下沉环槽中设置导热铝涂层，一级下沉环槽中设置氧化铝涂层，氧化铝涂层遮盖导热铝涂层。
3、氧化铝陶瓷加热环内置加热体，加热体加热后通过导热铝涂层进行热量传导，从而使氧化铝陶瓷加热环各个位置温度均匀。在二
4、本专利申请的技术方案提高了氧化铝陶瓷加热环的导热性能，氧化铝陶瓷加热环的热传导均匀，加热效率高。
5、作为优选，陶瓷基体上和加热体对应设置基座，基座凸出陶瓷基体下表面。
6、基座的设置增加了加热体安装位置的陶瓷基体厚度，保证了加热体安装的可靠性。
7、作为优选，下沉槽底部设置通孔，加热体呈t形结构，加热体大径部分置于下沉槽中，加热体小径部分与通孔适配插装。
8、加热体与通孔连接，更加稳定可靠。t形的加热体安装在下沉槽位置，不会出现脱离现象。
9、作为优选，加热体与下沉槽焊接。
10、采用焊接的方式实现加热体的紧固，连接可靠，有利于热量的传导。
11、作为优选，加热体为镍棒。
12、镍棒在电热加热装置中具有很好的耐高温性、耐腐蚀性和电阻率稳定性。
13、作为优选，一级下沉环槽深度0.5mm-0.6mm，径向宽度13mm-15mm，一级下沉环槽的径向宽度小于陶瓷基体径向宽度4mm-6mm。二级下沉环槽加工深度0.1mm-0.15mm，二级下沉环槽径向宽度小于一级下沉环槽径向宽度1mm-3mm。
14、一级下沉环槽和二级下沉环槽的尺寸大小设置合理，有利于热量传导到表面，保证热量传导效率。
15、作为优选，陶瓷基体上表面内边缘处设置向上凸起的凸环。
16、凸环的设置便于陶瓷基体的安装定位。
17、一种氧化铝陶瓷加热环加工方法，实现对氧化铝陶瓷加热环的加工，包括以下步骤：s1，在陶瓷基体上加工出若干个基座；s2，在陶瓷基体上表面上加工出一级下沉环槽，并在一级下沉环槽底部加工出二级下沉环槽，并在二级下沉环槽底部加工出若干个下沉槽，下沉槽与基座一一对应设置；s3，在基座中心钻孔形成通孔；s4，将陶瓷基体洗净检查后，把加热器安装到下沉槽，加热器下部穿过通孔，并将加热器和陶瓷基体焊接到一起；s5，在二级下沉环槽内加工导热铝涂层，并在一级下沉环槽内加工氧化铝涂层，氧化铝涂层遮盖导热铝涂层；s6，对氧化铝涂层进行磨削加工，保证平面度小于0.05mm；s7，清洗陶瓷基体去除表面残留。
18、在二级下沉环槽中设置导热铝涂层，铝材料的导热系数高，有利于热量的快速传导，相对于铜和银来说，价格便宜，成本低。一级下沉环槽中设置氧化铝涂层，氧化铝涂层遮盖导热铝涂层，对导热铝涂层起到了保护作用。涂层完成后产品的平面度会很难控制，对氧化铝涂层进行磨削加工，有利于保证氧化铝涂层表面的平面度。涂层后续加工过程中产品的洁净度很难控制，需要防止产品受到污染，加工完成后及时清洗，最大程度避免产品受到污染。
19、通过本方法加工得到的氧化铝陶瓷加热环提高了传统氧化铝陶瓷加热环的导热性能，同时在加工过程中，保证了产品的平面度、平行度以及洁净度。
20、作为优选，s5和s6采用气相沉积工艺进行加工，或者采用熔射工艺进行加工。
21、选用合适的方法实现导热铝涂层和氧化铝涂层的加工，保证产品性能。
22、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：（1）本专利申请的技术方案提高了氧化铝陶瓷加热环的导热性能，氧化铝陶瓷加热环的热传导均匀，加热效率高；（2）在提高传统氧化铝陶瓷加热环的导热性能的同时，保证了产品的平面度、平行度以及洁净度。
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1.一种氧化铝陶瓷加热环， 包括陶瓷基体，其特征是，陶瓷基体上表面设置一级下沉环槽，一级下沉环槽底部设置二级下沉环槽，二级下沉环槽底部周向均布设置若干下沉槽，下沉槽内安装加热体，二级下沉环槽中设置导热铝涂层，一级下沉环槽中设置氧化铝涂层，氧化铝涂层遮盖导热铝涂层。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，陶瓷基体上和加热体对应设置基座，基座凸出陶瓷基体下表面。
3.根据权利要求2所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，下沉槽底部设置通孔，加热体呈T形结构，加热体大径部分置于下沉槽中，加热体小径部分与通孔适配插装。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，加热体与下沉槽焊接。
5.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，加热体为镍棒。
6.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，一级下沉环槽深度0.5mm-0.6mm，径向宽度13mm-15mm，一级下沉环槽的径向宽度小于陶瓷基体径向宽度4mm-6mm。
7.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是
8.根据权利要求1至7任意一项所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，陶瓷基体上表面内边缘处设置向上凸起的凸环。
9.一种氧化铝陶瓷加热环加工方法，实现对权利要求1至8任意一项所述的氧化铝陶瓷加热环的加工，其特征是，包括以下步骤：S1，在陶瓷基体上加工出若干个基座；S2，在陶瓷基体上表面上加工出一级下沉环槽，并在一级下沉环槽底部加工出二级下沉环槽，并在二级下沉环槽底部加工出若干个下沉槽；S3，在基座中心钻孔形成通孔；S4，把加热器安装到下沉槽，加热器下部穿过通孔；S5，在二级下沉环槽内加工导热铝涂层，并在一级下沉环槽内加工氧化铝涂层；S6，对氧化铝涂层进行磨削加工；S7，清洗陶瓷基体去除表面残留。
10.根据权利要求9所述的氧化铝陶瓷加热环加工方法，其特征是，S5和S6采用气相沉积工艺进行加工，或者采用熔射工艺进行加工。
...【技术特征摘要】
1.一种氧化铝陶瓷加热环， 包括陶瓷基体，其特征是，陶瓷基体上表面设置一级下沉环槽，一级下沉环槽底部设置二级下沉环槽，二级下沉环槽底部周向均布设置若干下沉槽，下沉槽内安装加热体，二级下沉环槽中设置导热铝涂层，一级下沉环槽中设置氧化铝涂层，氧化铝涂层遮盖导热铝涂层。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，陶瓷基体上和加热体对应设置基座，基座凸出陶瓷基体下表面。
3.根据权利要求2所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，下沉槽底部设置通孔，加热体呈t形结构，加热体大径部分置于下沉槽中，加热体小径部分与通孔适配插装。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，加热体与下沉槽焊接。
5.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，加热体为镍棒。
6.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷加热环，其特征是，一级下沉环槽深度0.5mm-0.6mm，径向宽度13mm-15mm，一级下沉环槽的径向宽度小于陶瓷基体径向宽度4mm-6mm。
...【专利技术属性】
技术研发人员：闵文远，马玉琦，李奇，
申请(专利权)人：杭州大和江东新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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