System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种功率器件保护电路及器件保护板制造技术_技高网

一种功率器件保护电路及器件保护板制造技术

技术编号:44741971 阅读:2 留言:0更新日期:2025-03-26 12:32
本申请提供了一种功率器件保护电路及器件保护板。所述功率器件保护电路包括:基础保护电路,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2、场效应管Q1、第一三极管Q2以及第二三极管Q3;数字温度传感器U1,所述电压调节器U2,数字电位计U3,所述运算放大器U4,微控制器U5。本申请提供的功率器件保护电路,可以实现高精度的时序控制及温度补偿,提高对氮化镓功率器件的保护效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路保护领域,具体而言,涉及一种功率器件保护电路及器件保护板


技术介绍

1、随着半导体技术的不断进步,氮化镓(gan)材料因其优异的电气性能,成为研发微电子器件、光电子器件的重要材料之一。特别是基于gan的微波功率放大器,对供电时序、稳定性和温度适应性有着严格的要求。然而,现有的gan供电偏置保护电路往往存在不足,比如无法实现恒流恒压,导致稳定性较差;另外,温度补偿电路设计复杂,增加了成本和维护难度。这些问题限制了gan器件在某些高性能应用场景下的广泛应用。

2、因此,本申请提供了一种功率器件保护电路及器件保护板,以解决上述技术问题之一。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种功率器件保护电路及器件保护板,能够解决上述提到的至少一个技术问题。具体方案如下:

2、根据本申请的具体实施方式,第一方面,本申请提供一种功率器件保护电路,包括:

3、基础保护电路,包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电阻r9、电容c1、电容c2、场效应管q1、第一三极管q2以及第二三极管q3;数字温度传感器u1,所述数字温度传感器u1的电源引脚vcc连接到供电端v+,所述数字温度传感器u1的地引脚gnd1接地,所述数字温度传感器u1的数据引脚scl连接到微控制器u5的i2c接口a4,所述数字温度传感器u1的数据引脚sda连接到所述微控制器u5的i2c接口a5;所述电压调节器u2,所述电压调节器u2的输入引脚in通过保险丝连接到第二电压输出端vgg,所述电压调节器u2的输出引脚out连接到所述供电端v+,所述电压调节器u2的调整引脚adj通过分压电阻网络的电阻r1、电阻r2、电容c1,并通过电阻r9连接到地gnd,所述电阻r2的另一端连接负压端v-;数字电位计u3,所述数字电位计u3的电源引脚vcc连接到供电端v+,所述数字电位计u3的地引脚gnd2接地,所述数字电位计u3的数据引脚clk、data、load分别对应连接到所述微控制器u5的spi接口d10、d11、d13,所述数字电位计u3的滑动端w0连接到运算放大器u4的非反相输入引脚in+;所述运算放大器u4,所述运算放大器u4的正电源引脚vcc连接到所述供电端v+,所述运算放大器u4的负电源引脚gnd3接地,所述运算放大器u4的输出引脚out连接到第四电阻r4和第六电阻r6的一端;其中,所述场效应管q1的栅极与所述微控制器u5的gpio引脚d8相连接,所述第一三极管q2与所述第二三极管q3通过基极相连接,所述微控制器u5的pwm输出引脚d9通过电阻r10连接到第一三极管q2的基极和第二三极管q3的基极;所述第一三极管q2的发射极e通过电阻r4连接到所述场效应管q1的漏极,所述第一三极管q2的集电极c通过电阻r5接地;所述第二三极管q3的发射极e通过所述电阻r6连接到所述场效应管q1的漏极,并连接到第一电压输出端vdd,所述第二三极管q3的集电极c连接到所述第一电容c1的一端,并连接到第二电压输出端vgg以及电阻r8的一端;所述场效应管q1的源极连接到所述供电端v+,且连接到电阻r3和电容c2的一端,所述场效应管q1的栅极还分别与所述电阻r3和所述电容c2的另一端相连接。

4、一种实施方式中,所述基础保护电路包括开关时序电路;所述开关时序电路,由所述场效应管q1、所述电阻r1、所述电阻r2、所述电阻r3、所述电阻r9以及所述电容c1组成;其中,所述场效应管的栅极与所述电阻r1的一端连接;所述场效应管的源极与供电端连接;所述场效应管的漏极与恒压恒流电路连接;电阻r1的一端与电阻r3的一端连接;电阻r1的另一端与电阻r2的一端连接;电阻r2的另一端与负压端连接;电阻r3的另一端与供电端连接;电容c1的一端与电阻r2的一端连接;电容c1的另一端接地连接;其中,电阻r2与电阻r1之间的连接节点为预设节点,当所述预设节点的电压满足预设条件时,所述场效应管导通。

5、一种实施方式中,所述基础保护电路包括恒压恒流电路;所述恒压恒流电路,由所述第一三极管q2、所述第二三极管q3、所述电阻r4、所述电阻r5以及所述电阻r6组成;其中,所述第一三极管q2的基极分别与所述第二三极管q3的基极以及所述第一三极管q2的集电极连接;所述第一三极管q2的发射极与所述电阻r4的一端连接,所述电阻r4的另一端与所述场效应管q1的漏极连接;所述第一三极管q2的集电极与所述电阻r5的一端连接,所述电阻r5的另一端接地;所述第二三极管q3的发射极与所述电阻r6的一端连接,所述电阻r6的另一端与所述场效应管q1的漏极连接,且所述第二三极管q3的发射极连接第一电压输出端vdd;所述第二三极管q3的集电极经由电阻r7与所述第一电容c1的一端连接,且所述第二三极管q3的集电极经由所述电阻r7连接第二电压输出端vgg。

6、一种实施方式中,所述基础保护电路包括温度补偿电路;所述温度补偿电路,包括所述第一三极管q2以及所述第二三极管q3;其中,所述第一三极管q2的基极分别与所述第二三极管q3的基极以及所述第一三极管q2的集电极连接;所述第一三极管q2的发射极与所述场效应管q1的漏极连接;所述第一三极管q2的集电极接地;所述第二三极管q3的发射极与所述场效应管q1的漏极连接,且所述第二三极管q3的发射极连接第一电压输出端vdd;所述第二三极管q3的集电极由所述电阻r7与所述第一电容c1的一端连接,且所述第二三极管q3的集电极由所述电阻r7连接第二电压输出端vgg。

7、一种实施方式中,所述电阻r7的一端与所述第二三极管的集电极连接,所述电阻r7的另一端与所述电容c1的一端连接,且所述电阻r7的另一端连接第二电压输出端vgg;所述电阻r8的一端与所述电阻r7的另一端连接,且连接所述第二电压输出端vgg;所述电阻r9,所述电阻r9的一端与所述电容c1的另一端连接,所述电阻r9的另一端与所述电阻r8的另一端连接,由所述电阻r9与所述电容c1组成的支路,与所述电阻r8并联。

8、根据本申请的具体实施方式,第二方面,本申请提供一种器件保护板,配置有第一方面任一项所述的功率器件保护电路。

9、本申请实施例的上述方案与现有技术相比,至少具有以下有益效果:本申请提供的功率器件保护电路通过集成数字温度传感器、电压调节器、数字电位计、运算放大器和微控制器,实现了精确的温度补偿、稳定的电压和电流输出、灵活的电阻控制以及可靠的开关时序控制,显著提高了电路的性能、稳定性和可靠性,同时简化了设计和调试过程,适用于各种场景下的氮化镓器件保护。

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【技术保护点】

1.一种功率器件保护电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的功率器件保护电路,其特征在于,所述基础保护电路包括开关时序电路;

3.根据权利要求1所述的功率器件保护电路,其特征在于,所述基础保护电路包括恒压恒流电路;

4.根据权利要求1所述的功率器件保护电路,其特征在于,所述基础保护电路包括温度补偿电路;

5.根据权利要求1所述的功率器件保护电路,其特征在于,所述电阻R7的一端与所述第二三极管的集电极连接,所述电阻R7的另一端与所述电容C1的一端连接,且所述电阻R7的另一端连接第二电压输出端VGG;

6.一种器件保护板,其特征在于,配置有权利要求1至5所述的功率器件保护电路。

【技术特征摘要】

1.一种功率器件保护电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的功率器件保护电路,其特征在于,所述基础保护电路包括开关时序电路;

3.根据权利要求1所述的功率器件保护电路,其特征在于,所述基础保护电路包括恒压恒流电路;

4.根据权利要求1所述的功率器件保护电路,其特征在于,所述基础保...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴丽影沈今明沈依杨陈义亮闫诺
申请(专利权)人:无锡市诺一智能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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