半导体结构及其形成方法技术

方法包括：在器件管芯的半导体衬底上形成功能电路，其中，功能电路位于器件管芯的功能电路区中；在半导体衬底上方形成无源器件，其中，无源器件位于器件管芯的无源器件区中；在功能电路区中和器件管芯的表面处形成第一多个接合焊盘，其中，第一多个接合焊盘具有第一图案密度；以及在无源器件区中和器件管芯的表面处形成第二多个接合焊盘。第二多个接合焊盘具有低于第一图案密度的第二图案密度。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体芯片可以包括有源器件和无源器件，诸如晶体管、电容器、电感器等。在半导体芯片中，晶体管形成在半导体芯片的半导体衬底的表面上。无源器件可以形成在半导体芯片上方。可以在无源器件和有源器件上方形成可以用于接合至诸如半导体芯片、中介层、封装衬底等的另一封装组件的接合焊盘。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在器件管芯的半导体衬底上形成功能电路，其中，所述功能电路位于所述器件管芯的功能电路区中；在所述半导体衬底上方形成无源器件，其中，所述无源器件位于所述器件管芯的无源器件区中；在所述功能电路区中和所述器件管芯的表面处形成第一多个接合焊盘，其中，所述第一多个接合焊盘具有第一图案密度；以及在所述无源器件区中和所述器件管芯的表面处形成第二多个接合焊盘，其中，所述第二多个接合焊盘具有低于所述第一图案密度的第二图案密度。

2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：器件管芯，包括：功能电路区；第一多个接合焊盘，位于所述功能电路区中，其中，所述功能电路区具有接合焊盘的第一图案密度；功能电路，位于所述功能电路区中并且位于所述第一多个接合焊盘下面；无源器件区；无源器件，位于所述无源器件区中；第二多个接合焊盘，位于所述无源器件区中和所述无源器件上方，其中，所述无源器件区具有接合焊盘的第二图案密度，并且所述第二图案密度低于所述第一图案密度；过渡区，位于所述功能电路区和所述无源器件区之间；以及第三多个接合焊盘，位于所述过渡区中，其中，所述过渡区具有接合焊盘的第三图案密度，并且所述第三图案密度低于所述第一图案密度并且大于所述第二图案密度。

3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；多个金属层，位于所述半导体衬底上方；电感器，位于所述多个金属层上方；第一多个接合焊盘，其中，由所述第一多个接合焊盘占据的第一芯片区与所述电感器重叠，并且所述第一多个接合焊盘具有第一间距；第二多个接合焊盘，位于包围所述第一多个接合焊盘的第二芯片区中，其中，所述第二多个接合焊盘具有小于所述第一间距的第二间距；以及第三多个接合焊盘，位于包围所述第二多个接合焊盘的第三芯片区中，其中，所述第三多个接合焊盘具有小于所述第二间距的第三间距。

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【技术保护点】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三图案密度大于所述第二图案密度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三多个接合焊盘是伪焊盘。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述过渡区具有包围所述无源器件区的环形形状。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三图案密度是梯度的，其中所述过渡区的更靠近所述无源器件区的部分中的图案密度低于所述过渡区的更靠近所述功能电路区的部分中的密度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述无源器件包括形成电感器，并且其中，形成所述电感器包括形成并且互连多个再分布线。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述器件管芯接合至封装组件，其中，所述第一多个接合焊盘和所述第二多个接合焊盘物理接合至所述封装组件的额外接合焊盘。

9.一种半导体结构，包括：

10.一种半导体结构，包括：

【技术特征摘要】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三图案密度大于所述第二图案密度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三多个接合焊盘是伪焊盘。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述过渡区具有包围所述无源器件区的环形形状。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三图案密度是梯度的，其中所述过渡区的更靠近所述无源器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁国强，叶松峯，宋大豪，吴国龙，傅新钧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：