System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种OIS线圈板的制作方法技术_技高网

一种OIS线圈板的制作方法技术

技术编号:44734187 阅读:4 留言:0更新日期:2025-03-21 17:59
本申请提供了一种OIS线圈板的制作方法,包括:对基板进行下料;对基板进行镭射通孔,用于在基板上获得定位孔;对基板进行压膜和曝光,曝光的位置与定位孔相对应,用于在基板上获得线路层;将基板进行DES、AOI、Desmear与PTH、SAP线路前处理,用于在基板上获得PTH孔;对基板进行压膜、曝光和显影;对基板进行第一次电镀,用于在基板上获得多个电镀铜区域;对基板进行去膜与闪蚀,且对基板进行AOI检测,用于对基板上的缺陷进行检查;对基板进行第二次电镀,且对基板进行压合:其中,第二次电镀用于使得电镀铜区域中的铜厚增加,且任一电镀铜区域与相邻的电镀铜区域之间的线距减小。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于ois线圈板的,尤其涉及一种ois线圈板的制作方法。


技术介绍

1、在现有技术中,随着手机对摄像头的要求越来越高,ois产品应用越来越广,中低端手机也在逐步导入应用,故市场需求越来越大。

2、针对目前摄像头模组中的ois产品部分,一般情况喜爱,只能进行铜厚30um左右的产品的生产,更高铜厚的此类产品目前暂无生产能力。

3、正常作业方法,只可以一次电镀成型,从而导致线宽线距和铜厚之间处于对立阶段,即铜厚更厚的产品,线宽无法做大。若铜厚和线宽之间设立不好,导致整板短路异常,产品报废。

4、针对上述问题,目前尚未提出有效的解决方案。

5、应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。


技术实现思路

1、本申请目的在于提供一种ois线圈板的制作方法,以解决以上的问题。

2、本申请提供的一种ois线圈板的制作方法,包括:

3、对基板进行下料;

4、对所述基板进行镭射通孔,用于在所述基板上获得定位孔;

5、对所述基板进行压膜和曝光,所述曝光的位置与所述定位孔相对应,用于在所述基板上获得线路层;

6、将所述基板进行des、aoi、desmear与pth、sap线路前处理,用于在所述基板上获得pth孔;

7、对所述基板进行压膜、曝光和显影;

8、对所述基板进行第一次电镀,用于在所述基板上获得多个电镀铜区域;

9、对所述基板进行去膜与闪蚀,且对所述基板进行aoi检测,用于对所述基板上的缺陷进行检查;

10、对所述基板进行第二次电镀,且对所述基板进行压合:

11、其中,所述第二次电镀用于使得所述电镀铜区域中的铜厚增加,且任一所述电镀铜区域与相邻的所述电镀铜区域之间的线距减小。

12、优选地,在“对所述基板进行aoi检测”步骤后,对所述基板进行除钯,用于避免无铜区域在所述第二次电镀时上铜。

13、优选地,在第一次电镀之后,任一所述电镀铜区域与相邻的所电镀铜区域之间的线距为15μm-25μm,所述铜厚为50μm。

14、优选地,在第二次电镀之后,任一所述电镀铜区域与相邻的所述电镀铜区域之间的线距为5μm-15μm,所述铜厚为50μm。

15、优选地,在第二次电镀之后,所述电镀铜区域线宽小于50um。

16、优选地,在“对所述基板进行第二次电镀”步骤中,采用电引线作为导体对所述第二次电镀进行导电。

17、与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:

18、1、本专利技术通过设置第一次电镀与第二次电镀的过程可以在基板上制成线距较小的电镀铜区域,在第一次电镀的过程中进行初步的铜厚与线距的制作,在第二次电镀的过程中,可以对电镀铜区域上的铜厚继续进行增涨,从而可以使得线距逐渐减小,进而在基板上获得较小线距的电镀铜区域。

19、2、本专利技术通过采用除钯液对基板上无铜区域进行清洗,从而可以对基板上的无铜区域中的钯离子进行清洗去除,除钯的过程可以保证产品无铜区域钯离子去除,防止第二次电镀时无铜区域电镀上铜,导致短路异常。

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【技术保护点】

1.一种OIS线圈板的制作方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的OIS线圈板的制作方法,其特征在于,在“对所述基板进行AOI检测”步骤后,对所述基板进行除钯,用于避免无铜区域在所述第二次电镀时上铜。

3.根据权利要求1所述的OIS线圈板的制作方法,其特征在于,在第一次电镀之后,任一所述电镀铜区域与相邻的所电镀铜区域之间的线距为15μm-25μm,所述铜厚为50μm。

4.根据权利要求1所述的OIS线圈板的制作方法,其特征在于,在第二次电镀之后,任一所述电镀铜区域与相邻的所述电镀铜区域之间的线距为5μm-15μm,所述铜厚为50μm。

5.根据权利要求1所述的OIS线圈板的制作方法,其特征在于,在第二次电镀之后,所述电镀铜区域线宽小于50um。

6.根据权利要求1所述的OIS线圈板的制作方法,其特征在于,在“对所述基板进行第二次电镀”步骤中,采用电引线作为导体对所述第二次电镀进行导电。

【技术特征摘要】

1.一种ois线圈板的制作方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的ois线圈板的制作方法,其特征在于,在“对所述基板进行aoi检测”步骤后,对所述基板进行除钯,用于避免无铜区域在所述第二次电镀时上铜。

3.根据权利要求1所述的ois线圈板的制作方法,其特征在于,在第一次电镀之后,任一所述电镀铜区域与相邻的所电镀铜区域之间的线距为15μm-25μm,所述铜厚为50μm。

4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:林仁宁
申请(专利权)人:福莱盈电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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