【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、以下列出了所公开的技术。
2、[专利文献1]：日本特开2004-335776号公报。
3、[专利文献2]：pct国际公开2011-142006号。
4、在半导体装置中，半导体芯片被安装在管芯焊盘上并且被利用密封体密封，在这种情况下沟槽被形成在管芯焊盘中。例如，专利文献1公开了一种半导体设备，其中树脂锁沟槽和焊接沟槽被在提供框架中，半导体颗粒被安装在该框架上。专利文献2公开了一种半导体装置，其中多个沟槽被提供在管芯焊盘中，半导体芯片被安装在该管芯焊盘上。
技术实现思路
1、半导体装置的性能要求之一是可靠性。半导体设备的可靠性指它在预先确定的周期中连续执行在规范或类似物中预先定义的功能的能力。例如，半导体芯片被通过管芯键合材料(诸如焊接材料)固定到管芯焊盘上。从提高半导体装置的可靠性的角度出发，在管芯键合材料与管芯焊盘之间优选没有剥离发生。
2、其他目的和新颖特征将从本说明书的描述和附图中显而易见。
3、根据一个实施例的半导体装置包括：管芯焊盘；以及半导体芯片，被安装在管芯焊盘的第一表面上。此处，管芯焊盘的第一表面具有：第一区域，包括与半导体芯片的中心重合的点；第二区域，位于第一区域周围并且包括分别与四个角重合的点；以及第三区域，位于第二区域周围。此外，多个沟槽在管芯焊盘中的第二区域处被形成。此外，多个沟槽中的每一者在没有到达第一区域和第三区域中的每一者的位置处终止。
4、根据一个实施例，半导体装置的性能可以被提高。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一区域的平整度高于所述第二区域的平整度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中第一凸起部分和第二凸起部分被提供到所述多个沟槽中的每一者的两侧上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述多个第四区域中的每一者的平整度高于所述多个划分区域中的每一者的平整度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.一种半导体装置的制造方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述(b)还包括：
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一区域的平整度高于所述第二区域的平整度。
11.根据权利要求10所述的方法，其中第一凸起部分和第二凸起部分被提供到所述多个沟槽中的每一者的两侧上。
12.根据权利要求10所述的方法，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一区域的平整度高于所述第二区域的平整度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中第一凸起部分和第二凸起部分被提供到所述多个沟槽中的每一者的两侧上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述多个第四区域中的每一者的平整度高于所述多个划分区...
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