【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
1、已知有一种使用电阻变化元件作为存储元件的半导体存储装置。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的问题在于提供一种提高写入到存储单元的数据的可靠性的半导体存储装置。
2、实施方式的半导体存储装置包含存储单元与控制电路。存储单元包含开关元件及电阻变化元件。控制电路构成为，在读出动作中，对存储单元执行第1读出而产生对应于第1数据的第1电压，在第1读出后执行第1写入而对存储单元写入第2数据，在第1写入后对存储单元执行第2读出而产生对应于第2数据的第2电压，并基于第1电压与第2电压判定第1数据。在读出动作中，控制电路在第1数据与第2数据不同的情况下，执行包含对存储单元写入第1数据的第2写入、与对于存储单元的验证读出的第1动作。控制电路通过验证读出而产生对应于第3数据的第3电压，基于第3电压、与第1电压或第2电压判定第3数据，在第1数据与第3数据相同的情况下结束读出动作，在第1数据与第3数据不同的情况下再次执行第1动作。
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
7.根据权利要求5或6所述的半导体存储装置，其中
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
6.根据权利要求1所述的半导体存储...
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