【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种放大器装置以及半导体装置，且特别是有关于一种应用于宽频带(wideband)的放大器装置以及半导体装置。
技术介绍
1、在射频信号处理的相关电路中，可使用放大单元将信号放大及处理后，输出至射频电路或天线以进行收发。在关于放大单元输出端的匹配部分，现有技术常单一导线进行放大单元与后级电路间的连接。在这样的情况下，当放大器装置在宽频带的应用下，较不易达成宽频带的特性。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种放大器装置以及半导体装置，可在宽频带的应用上，完成放大单元的匹配动作。
2、本专利技术的放大器装置包括放大单元、射频信号组合电路、第一导线以及第二导线。放大单元具有输入端以及输出端。射频信号组合电路具有第一输入端、第二输入端以及输出端。第一导线耦接在放大单元的输出端与射频信号组合电路的第一输入端间。第二导线耦接在放大单元的输出端与射频信号组合电路的第二输入端间。其中，第一导线的长度与第二导线的长度不相等。
3、本专利技术的半导体装置包括第一芯片、第二芯片、第一导线以及第二导线。第一芯片具有放大单元，其中放大单元具有输入端以及输出端。第二芯片具有射频信号组合电路，其中，射频信号组合电路具有第一输入端、第二输入端以及输出端，射频信号组合电路的第一输入端耦接至射频信号组合电路的第二输入端。第一导线具有第一端耦接至放大单元的输出端，第一导线的第二端耦接至射频信号组合电路的第一输入端。第二导线具有第一端耦接至放大单元的输出端，第二导线的第二端耦接至射
4、基于上述，本专利技术的放大器装置中，透过第一导线以连接放大单元的输出端与射频信号组合电路的第一输入端，并透过第二导线以连接放大单元的输出端与射频信号组合电路的该第二输入端。借由使第一导线与第二导线的长度不相同，可在执行放大单元的匹配动作中，可达到宽频带应用的特性。有效提升放大器装置的效能。
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1.一种放大器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一导线与该第二导线为键合线。
3.根据权利要求1所述的放大器装置，更包括：一耦合器，其输入端耦接于该射频信号组合电路的该输出端。
4.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元的该输出端分别耦接至一第一焊垫以及一第二焊垫，该射频信号组合电路的该第一输入端以及该第二输入端分别耦接至一第三焊垫以及一第四焊垫，
5.根据权利要求4所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元的该输出端耦接至该第一焊垫具有一第一走线长度，该放大单元的该输出端耦接至该第二焊垫具有一第二走线长度，该第一走线长度等于该第二走线长度。
6.根据权利要求4所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元的该输出端耦接至该第一焊垫具有一第一走线长度，该放大单元的该输出端耦接至该第二焊垫具有一第二走线长度，该第一走线长度与该第一导线的长度的总合大于该第二走线长度与该第二导线的长度的总合。
7.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该
8.根据权利要求7所述的放大器装置，其特征在于，其中该射频信号组合电路更包括：
9.根据权利要求7所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一导线与该第一电容于一射频信号频率形成一第一阻抗，该第二导线与该第二电容于该射频信号频率形成一第二阻抗，该第一阻抗与该第二阻抗不相等。
10.根据权利要求7所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一电容与该第二电容具有相同的电容值。
11.根据权利要求4所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元、该第一焊垫以及该第二焊垫设置于一第一芯片，该射频信号组合电路、该第三焊垫以及该第四焊垫设置于一第二芯片。
12.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一导线的长度为该第二导线长度的N倍，N介于1.4～1.7间。
13.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一导线与该第二导线的线径相同。
14.一种半导体装置，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导线以及该第二导线为键合线。
16.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一芯片还包括一第一焊垫以及一第二焊垫，该第二芯片还包括一第三焊垫以及一第四焊垫，其中该放大单元的该输出端分别耦接至该第一焊垫以及该第二焊垫，该射频信号组合电路的该第一输入端以及该第二输入端分别耦接至该第三焊垫以及该第四焊垫，该第一导线的第一端耦接至该第一焊垫，该第一导线的第二端耦接至该第三焊垫，该第二导线的第一端耦接至该第二焊垫，该第二导线的第二端耦接至该第四焊垫。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一焊垫以及该第二焊垫沿一第一直线进行设置，该第三焊垫以及该第四焊垫沿一第二直线进行设置，该第一直线与该第二直线相互垂直、相互平行或具有非零度的一夹角。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一芯片与该第二芯片共同设置一基板上，该第一导线与该第一焊垫间的一第一最大高度与该第二导线与该第二焊垫间的一第二最大高度不相同。
19.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导线的长度为该第二导线长度的N倍，N介于1.4～1.7间。
20.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二芯片更具有一第五焊垫，该第五焊垫耦接至该射频信号组合电路的该输出端，该半导体装置更包括一第三芯片，该第五焊垫透过一第三导线以耦接至该第三芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种放大器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一导线与该第二导线为键合线。
3.根据权利要求1所述的放大器装置，更包括：一耦合器，其输入端耦接于该射频信号组合电路的该输出端。
4.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元的该输出端分别耦接至一第一焊垫以及一第二焊垫，该射频信号组合电路的该第一输入端以及该第二输入端分别耦接至一第三焊垫以及一第四焊垫，
5.根据权利要求4所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元的该输出端耦接至该第一焊垫具有一第一走线长度，该放大单元的该输出端耦接至该第二焊垫具有一第二走线长度，该第一走线长度等于该第二走线长度。
6.根据权利要求4所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元的该输出端耦接至该第一焊垫具有一第一走线长度，该放大单元的该输出端耦接至该第二焊垫具有一第二走线长度，该第一走线长度与该第一导线的长度的总合大于该第二走线长度与该第二导线的长度的总合。
7.根据权利要求1所述的放大器装置，其特征在于，其中该射频信号组合电路包括：
8.根据权利要求7所述的放大器装置，其特征在于，其中该射频信号组合电路更包括：
9.根据权利要求7所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一导线与该第一电容于一射频信号频率形成一第一阻抗，该第二导线与该第二电容于该射频信号频率形成一第二阻抗，该第一阻抗与该第二阻抗不相等。
10.根据权利要求7所述的放大器装置，其特征在于，其中该第一电容与该第二电容具有相同的电容值。
11.根据权利要求4所述的放大器装置，其特征在于，其中该放大单元、该第一焊垫以及该第二焊垫设置于一第一芯片，该射频信号组合电路、该第三焊垫以及该第四焊垫设置于一第二芯片。
【专利技术属性】
技术研发人员：何柏谚，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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