【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶硅太阳能电池制造，特别是涉及一种tbc电池及其制备方法。
技术介绍
1、交叉指式背接触(interdigitated back contact，ibc)电池，为将p/n结、基底与发射区的接触电极以交指形状做在电池背面的新型电池，其核心技术为在电池背面制备出质量较好、成叉指状间隔排列的p区和n区。
2、目前，p型ibc电池以p型硅片作为原材料，并在n+区保留隧穿氧化层钝化接触结构，而p区采用的激光开槽的方式保留原硅片的掺杂，且在p区进行激光开膜并印刷铝浆，容易导致电池的开路电压值及光电转换效率降低。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种tbc电池及其制备方法，以解决现有p型ibc电池的开路电压值及光电转换效率较低的问题。
2、为了解决上述问题，本专利技术是通过如下技术方案实现的：
3、本专利技术提出了一种tbc电池的制备方法，其中，包括：
4、在p型硅片背面依次形成第一氧化硅层、第一多晶硅层后，对所述第一多晶硅层进行磷掺杂；
5、在磷掺杂后的p型硅片背面激光开槽，形成叉指状间隔排列的n+掺杂区域和p型掺杂区域；
6、在激光开槽后，在p型硅片背面依次形成第二氧化硅层、第二多晶硅层，并对所述第二多晶硅层进行硼掺杂；
7、对硼掺杂后的所述硅片背面进行酸洗及碱抛处理，形成叉指状间隔排列的n+掺杂区域和p+掺杂区域；
8、在进行酸洗及碱抛处理后，在硅片双面形成钝化
9、进一步地，在磷掺杂后的p型硅片背面激光开槽之前，所述方法还包括：
10、对磷掺杂后的所述硅片进行链式酸洗，并在p型硅片背面依次形成第三氧化硅、第一氮化硅层及第四氧化硅层；
11、在p型硅片背面依次形成第二氧化硅层、第二多晶硅层之前，所述方法还包括：
12、对激光开槽后的所述硅片进行链式酸洗及制绒处理。
13、进一步地，在对激光开槽后的所述硅片进行链式酸洗及制绒处理之后，且在硅片背面依次形成第二氧化硅层、第二多晶硅层之前，所述方法还包括：
14、在所述硅片正面形成第五氧化硅层。
15、进一步地，所述方法中，分别采用热氧化工艺形成所述第三氧化硅层、所述第四氧化硅层及所述第五氧化硅层。
16、进一步地，所述热氧化工艺的温度为300～500℃，氧气流量为5000～10000sccm/min。
17、进一步地，在p型硅片背面依次形成第一氧化硅层、第一多晶硅层之前，所述方法还包括：
18、对所述硅片进行碱抛处理。
19、进一步地，激光开槽的宽度为280～320微米，深度为1～3微米。
20、进一步地，所述的制备方法中，对磷掺杂后的所述硅片进行链式酸洗，包括：
21、采用质量百分数为2～5％的盐酸和质量百分数为2～5％的氢氟酸清洗磷掺杂后的所述硅片；和/或
22、对激光开槽后的所述硅片进行链式酸洗及制绒处理，包括：
23、采用质量百分数为2～5％的盐酸清洗激光开槽后的所述硅片，再采用koh及制绒添加剂进行槽式制绒处理；和/或
24、对硼掺杂后的所述硅片背面进行酸洗及碱抛处理，包括：
25、采用质量百分数为2～5％的盐酸和质量百分数为2～5％的氢氟酸清洗激光开槽后的所述硅片，再采用koh及碱抛添加剂进行碱抛处理。
26、进一步地，所述的制备方法中，在背面形成与所述p+掺杂区域导通的正极栅线、以及与所述n+掺杂区域导通的负极栅线，包括：
27、在硅片背面减反射膜层的第一区域印刷银铝浆，并在硅片背面减反射膜层的第二区域印刷银浆；所述第一区域的投影在所述p+掺杂区域范围内，所述第二区域的投影在所述n+掺杂区域范围内；
28、对在所述第一区域印刷有银铝浆，且在所述第二区域印刷有银浆的p型硅片进行高温烧结。
29、本专利技术还提出了一种tbc电池，其中，由上述的方法制备得到。
30、与现有技术相比，本专利技术实施例包括以下优点：
31、本专利技术实施例中，在p型硅片背面依次形成第一氧化硅层、第一多晶硅层后，对第一多晶硅层进行磷掺杂；在磷掺杂后的硅片背面激光开槽，形成叉指状间隔排列的n+掺杂区域和p型掺杂区域；在激光开槽后，在硅片背面依次形成第二氧化硅层、第二多晶硅层，并对所述第二多晶硅层进行硼掺杂；对硼掺杂后的硅片背面进行酸洗及碱抛处理，形成叉指状间隔排列的n+掺杂区域和p+掺杂区域；在进行酸洗及碱抛处理后，在硅片双面形成钝化膜层及减反射膜层，并在背面形成与所述p+掺杂区域导通的正极栅线、以及与所述n+掺杂区域导通的负极栅线，制得tbc电池。不仅在n区添加隧穿氧化层钝化接触并进行磷掺杂，还在p区添加隧穿氧化层钝化接触并进行硼掺杂，既增加了p区的钝化，又添加了p区的掺杂效果，因而能够提高电池的光电转换效率，并提升电池的开路电压值。
32、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
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1.一种TBC电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在磷掺杂后的所述硅片背面激光开槽之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在对激光开槽后的所述硅片进行链式酸洗及制绒处理之后，且在硅片背面依次形成第二氧化硅层、第二多晶硅层之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述方法中，分别采用热氧化工艺形成所述第三氧化硅层、所述第四氧化硅层及所述第五氧化硅层。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述热氧化工艺的温度为300～500℃，氧气流量为5000～10000sccm/min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在P型硅片背面依次形成第一氧化硅层、第一多晶硅层之前，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，激光开槽的宽度为280～320微米，深度为1～3微米。
8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对磷掺杂后的所述硅片进行链式酸洗，包括：
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