瞬态电压抑制器件制造技术

本申请公开了用于瞬态电压抑制器削波器的钝化设计，公开了一种瞬态电压抑制器器件、装置、结构及其相关方法。该器件包括基板硅层、第一硅基区层和第二硅基区层，基板硅层被耦合到第一硅基区层并耦合到第二硅基区层。该器件还包括创建在第一硅基区层中的第一吸杂层、创建在第二硅基区层中的第二吸杂层，耦合到第一硅基区层和第一吸杂区的第一金属化层，以及耦合到第二硅基区层和第二吸杂层的第二金属化层。该器件还包括形成在第一硅基区层和第二硅基区层以及基板硅层中的一个或多个隔离沟槽，其中一个或多个隔离沟槽中的每个隔离沟槽包括多层钝化层。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及功率半导体分立器件领域，并且特别是涉及瞬态电压抑制器器件。

技术介绍

1、半导体器件，诸如瞬态电压抑制器(tvs)器件，被用于保护敏感电路节点免受一次性和限时过电压故障的影响。这种tvs二极管也被用于现代高功率igbt电路中，以防止集电极电路中的过载。对这种tvs二极管的要求可以包括具有低偏差和低温度系数的高击穿电压，以及具有低钳位电压的高浪涌电流能力。此外，在许多应用中，tvs器件可以被设计为防止重复浪涌事件，在重复浪涌事件之后，会导致tvs器件易于劣化。然而，当前的tvs器件存在高制造成本和增加的提前期的问题。

技术实现思路

1、提供以下概述，以简化的形式介绍将在以下详细描述中进一步描述的概念选择。本概述不旨在识别所要求保护的主题的关键或必要特征，也不旨在帮助确定所要求保护的主题的范围。

2、在一些实施方式中，当前主题涉及瞬态电压抑制器件。该器件可以包括基板硅层(substrate silicon layer)、第一硅基区层(base layer)和第二硅基区层，该基板硅层耦合到第一硅基区层并且耦合到第二硅基区层；创建在第一硅基区层中的第一吸杂层；创建在第二硅基区层中的第二吸杂层；第一金属化层，其耦合到第一硅基区层和第一吸杂层；第二金属化层，其耦合到第二硅基区层和第二吸杂层；以及一个或多个隔离沟槽，其形成在第一硅基区层和第二硅基区层以及基板硅层中，一个或多个隔离沟槽中的每个隔离沟槽包括多层钝化层。

3、在一些实施方式中，当前主题可以包括以下可选特征中的一个或多个。基板硅层可以是n型基板。第一硅基区层和第二硅基区层可以是p基区层。

4、在一些实施方式中，基板硅层可以被配置为包围第一基区层和第二基区层中的每个的至少一部分。

5、在一些实施方式中，基板硅层和第一硅基区层的耦合可以被配置为形成第一p-n结。基板硅层和第二硅基区层的耦合可以被配置为形成第二p-n结。

6、在一些实施方式中，第一吸杂层和第二吸杂层可以是p型层。第一吸杂层和第二吸杂层可以是p+层。

7、在一些实施方式中，第一吸杂层可以设置在第一金属化层和第一硅基区层之间。第二吸杂层可以设置在第二金属化层和第二硅基区层之间。第一金属化层和第二金属化层可以包括以下层材料中的至少一种：钛、镍、银、钛、镍、银中的任何一种的一种或多种合金及其任何组合，以及它们任何组合。

8、在一些实施方式中，钝化层的多层结构可以是具有第一钝化层和第二钝化层的两层结构。第一钝化层可以是正硅酸乙酯(teos)层，并且第二钝化层可以为半绝缘多晶硅(sipos)层。

9、在一些实施方式中，该器件可以是瞬态电压抑制器件。该器件可以是双向瞬态电压抑制器件。该器件可以是单向瞬态电压抑制器件。

10、本文所述主题的一个或多个变体的细节在以下附图和说明书中进行阐述。本文所述主题的其他特征和优点将从说明书和附图以及权利要求中显而易见。

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【技术保护点】

1.一种瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板硅层是n型基板。

3.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一硅基区层和所述第二硅基区层是p基区层。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板硅层被配置为包围所述第一硅基区层和所述第二硅基区层中的每个的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板硅层和所述第一硅基区层的耦合被配置为形成第一P-N结；以及

6.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一吸杂层和所述第二吸杂层是p型层。

7.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一吸杂层和所述第二吸杂层是P+层。

8.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一吸杂层设置在所述第一金属化层和所述第一硅基区层之间；并且

9.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述多层钝化层是具有第一钝化层和第二钝化层的两层结构。

10.根据权利要求9所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一钝化层是正硅酸四乙酯层，并且所述第二钝化层是半绝缘多晶硅层。

11.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述瞬态电压抑制器件是双向瞬态电压抑制器件。

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【技术特征摘要】

1.一种瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板硅层是n型基板。

3.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一硅基区层和所述第二硅基区层是p基区层。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板硅层被配置为包围所述第一硅基区层和所述第二硅基区层中的每个的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板硅层和所述第一硅基区层的耦合被配置为形成第一p-n结；以及

6.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一吸杂层和所述第二吸杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚生安，高骏华，徐海朋，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：