【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led，尤其涉及一种反极性led芯片及其制备方法、照明设备。
技术介绍
1、随着led（light emitting diode，发光二极管）的逐步发展，led照明已完全替代了传统的照明光源。紧跟科技创新步伐，智能制造规模化、自动化、数字化的不断革新，当前led市场竞争尤为激烈，各个led芯片厂均追求更高光效的led芯片。
2、现有技术中反极性led芯片在mesa工序或者在外延片上会做精度比较高的图形，采用的工艺为icp（英文全称为：inductively coupled plasma）干法蚀刻工艺。其中一些高亮的反极性led芯片采用icp干法蚀刻工艺对p型窗口层进行蚀刻，以减少p型窗口层对光的吸收，进一步提升反极性led芯片的亮度。
3、但是，对p型窗口层进行icp干法蚀刻之后蚀刻面处会有大量的悬挂键，导致反极性led芯片的外量子效率降低，可靠性变差。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供了一种反极性led芯片及其制备方法、照明设备，提高反极性led芯片的亮度以及可靠性。具体方案如下：
2、本申请第一方面提供一种反极性led芯片的制备方法，所述反极性led芯片的制备方法包括：
3、提供一临时衬底；
4、在所述临时衬底的一侧形成外延片，所述外延片包括p型窗口层；
5、基于干法蚀刻工艺对所述p型窗口层进行蚀刻；
6、对蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面的粗糙度。<...
【技术保护点】
1.一种反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述反极性LED芯片的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述对蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面的粗糙度，包括：
3.根据权利要求2所述的反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述基于高温退火工艺对所述蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面的粗糙度，包括：
4.根据权利要求3所述的反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述惰性气体的流量范围为40slpm-60slpm。
5.根据权利要求1所述的反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述对蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面的粗糙度，包括：
6.根据权利要求5所述的反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述基于浸泡湿法溶液的方式对所述蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面的粗糙度，包括：
7.根据权利要求6所述的反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中H3PO4：H2O
8.根据权利要求1所述的反极性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述反极性LED芯片的制备方法还包括：
9.一种反极性LED芯片，其特征在于，所述反极性LED芯片是通过权利要求1-8任一项所述的反极性LED芯片的制备方法所获得的。
10.一种照明设备，其特征在于，所述照明设备包括权利要求9所述的反极性LED芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种反极性led芯片的制备方法，其特征在于，所述反极性led芯片的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的反极性led芯片的制备方法，其特征在于，所述对蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面的粗糙度，包括：
3.根据权利要求2所述的反极性led芯片的制备方法，其特征在于，所述基于高温退火工艺对所述蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面的粗糙度，包括：
4.根据权利要求3所述的反极性led芯片的制备方法，其特征在于，所述惰性气体的流量范围为40slpm-60slpm。
5.根据权利要求1所述的反极性led芯片的制备方法，其特征在于，所述对蚀刻面进行处理以去除所述蚀刻面上的悬挂键，降低所述蚀刻面...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，班国训，李皇，钟秉宪，徐晓刚，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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