【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质。
技术介绍
1、有时在处理容器的上部设置灯加热器，进行加热处理容器内的基板的处理(例如参照专利文献1)。
2、然而，在加热基板时，有时来自灯加热器的热射线被基板反射，设置于处理容器的上部的密封部件被加热而劣化。
3、专利文献1：国际公开第2020/188816号
技术实现思路
1、本公开提供一种能够抑制密封部件的劣化的技术。
2、根据本公开的一个方式，提供一种技术，其具备：
3、载置台，其能够载置基板；
4、加热部，其位于比所述载置台靠上方处，向载置于所述载置台的所述基板放射热射线来进行所述基板的加热；
5、处理容器，其被配置于所述加热部的下方，收容所述载置台，至少与所述加热部相邻的部分由不透明石英构成；
6、密封部，其构成为通过所述不透明石英来抑制从所述基板反射的热射线的透过，通过密封部件来保持所述处理容器与所述加热部之间的气密性。
7、根据本公开，能够抑制密封部件的劣化。
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
16.根据权利要求10所述的
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
19.一种计算机能够读取的记录介质，记录有程序，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特...
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