System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:44726941 阅读:3 留言:0更新日期:2025-03-21 17:52
实施方式提供能够实现小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置包括第1、2基板、第1、2半导体元件、连接导体和密封部。第1基板包括第1绝缘基板及设置于第1绝缘基板的表面的第1导电层。第2基板包括第2绝缘基板及设置于第2绝缘基板的表面的第2导电层。第1半导体元件设置于第1基板与第2基板之间。第1半导体元件包括第1半导体层、第1、2电极和第1控制电极。第2半导体元件设置于第2基板与第1半导体元件之间。第2半导体元件包括第2半导体层、第3、4电极和第2控制电极。连接导体设置于第1半导体元件与第2半导体元件之间。连接导体将第1电极与第4电极电连接。密封部覆盖第1、2基板的一部分及第1、2半导体元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及半导体装置


技术介绍

1、正在开发将多个功率半导体的芯片相互连接并密封而成的半导体装置。该半导体装置例如用作构成功率变换电路的一部分的电源模组(功率模组)。期望使半导体装置小型化。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的课题在于提供能够实现小型化的半导体装置。

2、实施方式所涉及的半导体装置包括第1基板、第2基板、第1半导体元件、第2半导体元件、连接导体和密封部。所述第1基板具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面。所述第1基板包括第1绝缘基板、以及设置于所述第1绝缘基板的表面且位于所述第2面的第1导电层。所述第2基板具有第3面以及与所述第3面相反侧的第4面。所述第2基板包括第2绝缘基板、以及设置于所述第2绝缘基板的表面且位于所述第4面的第2导电层。在从所述第2基板朝向所述第1基板的第1方向上,所述第1导电层位于所述第1绝缘基板与所述第2绝缘基板之间。在所述第1方向上,所述第2导电层位于所述第1基板与所述第2绝缘基板之间。所述第1半导体元件在所述第1方向上设置于所述第1基板与所述第2基板之间。所述第1半导体元件包括第1半导体层、第1电极、第2电极和第1控制电极。所述第1电极在所述第1方向上位于所述第1半导体层与所述第2基板之间。所述第2电极设置于所述第1半导体层与所述第1基板之间,且与所述第1导电层的一部分电连接。所述第1控制电极设置于所述第1半导体层与所述第1基板之间,且与所述第1导电层的另一部分电连接。所述第2半导体元件在所述第1方向上设置于所述第2基板与所述第1半导体元件之间。所述第2半导体元件包括第2半导体层、第3电极、第4电极和第2控制电极。所述第3电极位于所述第2半导体层与所述第2基板之间,且与所述第2导电层的一部分电连接。所述第4电极在所述第1方向上设置于所述第2半导体层与所述第1半导体元件之间。所述第2控制电极在所述第1方向上位于所述第2半导体层与所述第1半导体元件之间,且与所述第2导电层的另一部分电连接。所述连接导体在所述第1方向上设置于所述第1半导体元件与所述第2半导体元件之间。所述连接导体将所述第1电极与所述第4电极电连接。所述密封部覆盖所述第1基板的一部分、所述2基板的一部分、所述第1半导体元件及所述第2半导体元件。所述密封部不覆盖所述第1基板的所述第1面及所述第2基板的所述第3面。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置,其中,具备:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,还具备:

4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,还具备:

5.如权利要求1所述的半导体装置,其中,还具备:

6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,还具备:

7.如权利要求6所述的半导体装置,其中,

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其中,具备:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,还具备:

4.如权利要求1所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:莨谷平辻村俊博
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:

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