【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆抓取，尤其涉及一种半导体晶圆制造用抓取装置。
技术介绍
1、半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，也就是常说的硅晶棒，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
2、在半导体晶圆制造过程中，实现晶圆的抓取是一项关键技术，将晶圆转移到不同加工车间或者不同的加工工序时，都需要通过晶圆抓取装置，对晶圆进行抓取，再通过车间顶部的轨道或者其他输送设备，输送到下一步工序继续进行加工。
3、但是，现有的生产设备中，常见的晶圆抓取装置，主要是采用真空吸盘吸附式进行晶圆抓取，此种方式抓取，在抓取转移中，在受到外在因素发生震动或者颠簸，晶圆意外脱落时，无法及时自动报警，以至于工人无法及时采取有效措施。
4、鉴于此，提出一种半导体晶圆制造用抓取装置。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了解决现有技术中，晶圆意外脱落时，无法及时自动报警的技术问题，而提出的一种半导体晶圆制造用抓取装置。
2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
3、一种半导体晶圆制造用抓取装置，包括第一箱体和吸盘，所述第一箱体内设有升降机构，所述升降机构用于驱动吸盘移动；所述第一箱体的内壁安装有激光对射传感器，当所述吸盘移动到第一箱体内时，吸盘底部晶圆与激光对射传感器平齐。
4、优先地，所述吸盘底部中心设置凹槽，所述凹槽内安装有ccd相机。
5、优先地，所述激光对射传感器分为激光对射传感器发射端和激光对射传感器接收端；所述激光对射传感器发射端和激光对射传感器接收端处于同一直线。
6、优先地，所述升降机构包括升降杆和电机；所述第一箱体顶部内壁固定连接有第二箱体，所述电机固定连接在第二箱体内；所述第二箱体内壁转动连接有螺纹套，所述升降杆螺纹连接在螺纹套内，所述吸盘固定连接在升降杆底部；所述电机的输出端固定连接有第二齿轮，所述螺纹套上固定连接有第一齿轮，所述第一齿轮与第二齿轮啮合连接。
7、优先地，所述吸盘底部圆周分布有气槽，所述第一箱体内安装有气泵；所述吸盘和升降杆内均设有相连通的通孔，所述气槽与通孔连通；所述气泵的输出端通过连接管与升降杆顶部连接，且与通孔连通。
8、优先地，所述升降杆侧壁固定连接有限位板，所述限位板位于第二箱体底部。
9、优先地，所述升降杆顶部固定连接有随动板，所述第二箱体内固定连接有导向杆，所述随动板在导向杆上滑动。
10、优先地，所述第二箱体内固定连接有隔板，所述隔板位于第一齿轮和第二齿轮的上方，且位于连接管下方。
11、优先地，所述第一箱体侧壁设有出气口。
12、与现有技术相比，本技术提供了一种半导体晶圆制造用抓取装置，具备以下有益效果：
13、1、该半导体晶圆制造用抓取装置，吸盘底部晶圆与激光对射传感器平齐，启动激光对射传感器，在输送转移过程中，一旦激光对射传感器接收端接收到激光，就说明晶圆已经脱落，然后及时报警，工人可以及时采取有效措施。
14、2、该半导体晶圆制造用抓取装置，只有ccd相机与激光对射传感器同时报警，才说明晶圆脱落，避免因为误差，造成激光对射传感器误判。
15、3、该半导体晶圆制造用抓取装置，当限位板与第二箱体底部相贴时，说明吸盘回到了初始位置，此时，激光对射传感器发射端发出的激光，正好被晶圆挡住。
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1.一种半导体晶圆制造用抓取装置，包括第一箱体(1)和吸盘(301)，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，所述吸盘(301)底部中心设置凹槽(5)，所述凹槽(5)内安装有CCD相机(501)。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，所述激光对射传感器分为激光对射传感器发射端(8)和激光对射传感器接收端(801)；
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，所述升降杆(3)顶部固定连接有随动板(6)，所述第二箱体(102)内固定连接有导向杆(601)，所述随动板(6)在导向杆(601)上滑动。
8.根据权利要求4-7任意一项所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，所述第二箱体(102)内固定连接有
9.根据权利要求1-7任意一项所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，所述第一箱体(1)侧壁设有出气口(9)。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆制造用抓取装置，包括第一箱体(1)和吸盘(301)，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，所述吸盘(301)底部中心设置凹槽(5)，所述凹槽(5)内安装有ccd相机(501)。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，所述激光对射传感器分为激光对射传感器发射端(8)和激光对射传感器接收端(801)；
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆制造用抓取装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的一种半导体晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨善，
申请(专利权)人：深圳洁盟技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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