【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及电子器件并且，更具体地，包括在互连网络中的电容器的电子器件，例如串行器/解串器或包括lc储能电路的任何器件。
技术介绍
1、串行器/解串器(serdes)是通常用在高速通信中以补偿有限输入/输出的功能模块对。这些模块在每个方向上在串行数据和并行接口之间转换数据。serdes主要用来通过单线或差分对来提供数据传输，以最小化i/o引脚和互连的数目。
2、被称为储能电路的lc电路是由连接在一起的电感器(l)和电容器(c)构成的电子电路。电路可以用作电谐振器，存储以电路的谐振频率振荡的能量。lc电路还用来生成在某个频率下的信号，例如时钟或高速信号，或用来从更复杂的信号中挑选出某个频率下的信号；该功能被称为带通滤波器。它们是在用在诸如振荡器、滤波器、调谐器和混频器的电路中的许多电子器件、特别是无线电设备中的关键部件。
技术实现思路
1、针对上述电子器件在使用中存在频率漂移等问题，本公开的实施例旨在提供具有改进的性能的电子器件。
2、一个实施例提供器件，该器件包括衬底；在衬底上的互连网络，互连网络包括至少第一级、至少第二级和第三级，第一级包括电容器，第三级包括金属屏蔽，第二级在第一级和衬底之间，第一级的一个或多个电容器通过屏蔽与衬底完全分离，第二级在第一级和第三级之间。
3、根据实施例，互连网络包括交替的金属化级和中间层，金属化级包括由绝缘区域横向围绕的金属区域，中间层包括绝缘层和延伸穿过绝缘层的过孔，第一级、第二级和第三级是金属化级。
...【技术保护点】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述互连网络包括交替的金属化级和中间层，所述金属化级包括由绝缘区域横向包围的金属区域，所述中间层包括绝缘层和过孔，所述过孔延伸穿过所述绝缘层，所述第一级、所述第二级和所述第三级是金属化级。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第三级位于所述第二级与所述衬底之间。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽通过中间层与所述衬底分离。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第二级仅包括关于所述第一级的所述一个或多个电容器的绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第二级的在所述一个或多个电容器与所述金属屏蔽之间的部分仅包括绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述一个或多个电容器和所述金属屏蔽仅通过绝缘材料分离。
8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述一个或多个电容器形成第一区域，所述第一区域被第二区域包围，没有电容器被定位在
9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述第二区域的宽度是至少2μm。
10.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第三级是所述互连网络的所述级中的离所述衬底最近的级。
11.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述一个或多个电容器是金属-氧化物-金属电容器。
12.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽被配置为被极化为恒定电压。
13.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽被配置为被极化为接地。
14.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述器件包括单个第二级。
15.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括串行器和/或解串器，所述一个或多个电容器的至少部分是所述串行器和/或所述解串器的部分。
16.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括LC储能电路，所述一个或多个电容器的至少部分是所述LC储能电路的部分。
17.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽被配置为被极化为低阻抗电压。
18.一种电子器件，其特征在于，包括：
19.根据权利要求18所述的电子器件，其特征在于，所述第二级的位于所述金属屏蔽与所述电容器之间的区域不包括任何金属结构。
20.根据权利要求18所述的电子器件，其特征在于，所述第一级的绝缘材料区域包围所述电容器，并且其中所述第一级的所述绝缘材料区域在垂直于第一平面和第二平面的所述竖直对准中通过所述金属屏蔽与所述衬底分离。
21.根据权利要求18所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽是连续的金属体。
...【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述互连网络包括交替的金属化级和中间层，所述金属化级包括由绝缘区域横向包围的金属区域，所述中间层包括绝缘层和过孔，所述过孔延伸穿过所述绝缘层，所述第一级、所述第二级和所述第三级是金属化级。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第三级位于所述第二级与所述衬底之间。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽通过中间层与所述衬底分离。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第二级仅包括关于所述第一级的所述一个或多个电容器的绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第二级的在所述一个或多个电容器与所述金属屏蔽之间的部分仅包括绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述一个或多个电容器和所述金属屏蔽仅通过绝缘材料分离。
8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述一个或多个电容器形成第一区域，所述第一区域被第二区域包围，没有电容器被定位在所述第二区域中，所述第二区域通过所述金属屏蔽与所述衬底分离。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述第二区域的宽度是至少2μm。
10.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第三级是所述互连网络的所述级中的离所述衬底最近的级。
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【专利技术属性】
技术研发人员：W·蒂斯，G·加西奥特，A·帕加尼尼，J·德罗，M·雷伯斯，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：新型
国别省市：
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