【技术实现步骤摘要】
本公开实施例是关于半导体技术，特别是关于一种半导体装置。
技术介绍
1、由于半导体产业已经发展到纳米技术工艺世代(technology process nodes)以追求更高的装置密度、更高的性能、以及更低的成本，来自制造及设计问题的挑战导致三维设计的发展，例如鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor,finfet)。finfet装置通常包括具有高深宽比的半导体鳍片且其中形成通道以及源极/漏极区。利用通道表面积增加的优势，在鳍片结构的侧面上方且沿着侧面(例如，包绕)形成栅极，以产生更快、更可靠、以及更好控制的半导体晶体管装置。然而，随着尺寸的缩小，相邻接触部件之间的临界尺寸(critical dimension,cd)变得更小。为了实现集成电路(integrated circuits,ics)的高性能，由于后段工艺(back-end-of-line,beol)中相邻接触部件的cd较小而导致较高的电阻以及寄生电容已成为一个关键问题。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提出一种半导体装置结构，以解决上述至少一个问题。
2、一个实施例是一种半导体装置结构，所述结构包括第一源极/漏极部件、设置在第一源极/漏极部件上方的第一层间介电层、延伸穿过第一层间介电层且与第一源极/漏极部件电性接触的第一导电部件，其中第一导电部件相对于半导体装置结构的平面图具有l形轮廓。所述结构还包括延伸穿过第一层间介电层且邻近第一导电部件设置的栅极电极层，其中第一导电部件的顶
3、在一些实施例中，所述半导体装置结构更包括：第二层间介电层，设置在第一层间介电层上方；以及抵接接触件，具有顶表面以及底表面，抵接接触件延伸穿过第二层间介电层且与第一导电部件的顶表面以及栅极电极层的顶表面接触。
4、在一些实施例中，抵接接触件的底表面、第一导电部件的顶表面与栅极电极层的顶表面为实质上共平面。
5、在一些实施例中，该第一导电部件包括具有一第一宽度的一第一部以及具有一第二宽度的一第二部，该第二宽度小于该第一宽度。
6、在一些实施例中，该第一部设置为比该第二部更靠近该栅极电极层。
7、在一些实施例中，该第一导电部件的该第一部与该栅极电极层直接接触。
8、在一些实施例中，所述半导体装置结构更包括：一栅极介电层，设置在该第一导电部件的该第一部与该栅极电极层之间，且该栅极介电层与该第一导电部件的该第一部以及该栅极电极层直接接触。
9、另一个实施例是一种半导体装置结构，所述结构包括设置在基底上方的第一源极/漏极部件、设置在第一源极/漏极部件上方的抵接接触件。所述抵接接触件(buttedcontact)包括包括第一材料的第一部以及包括第二材料的第二部。所述结构还包括设置在第一源极/漏极部件与抵接接触件的第一部之间的第一导电部件、以及邻近第一导电部件设置且与抵接接触件的第二部接触的栅极电极层。
10、在一些实施例中，所述半导体装置结构更包括：一第二源极/漏极部件；
11、一导孔接触部件，设置在该第二源极/漏极部件之上；以及一第二导电部件，设置在该第二源极/漏极部件与该导孔接触之间，其中该导孔接触部件的一顶表面与该抵接接触件的一顶表面为实质上共平面。
12、在一些实施例中，该抵接接触件具有一底表面，该底表面与该第一导电部件的顶表面以及该栅极电极层的顶表面共平面。
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1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，该抵接接触件的该底表面、该第一导电部件的该顶表面、与该栅极电极层的该顶表面为实质上共平面。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一导电部件包括具有一第一宽度的一第一部以及具有一第二宽度的一第二部，该第二宽度小于该第一宽度。
5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一部设置为比该第二部更靠近该栅极电极层。
6.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一导电部件的该第一部与该栅极电极层直接接触。
7.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：
8.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：
10.如权利要求8或9所述的半导体装置结构，其特征在于，该抵接接触件具有一底表面，该底表面与该第一导电部件的顶表面以及该栅极电极层
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，该抵接接触件的该底表面、该第一导电部件的该顶表面、与该栅极电极层的该顶表面为实质上共平面。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一导电部件包括具有一第一宽度的一第一部以及具有一第二宽度的一第二部，该第二宽度小于该第一宽度。
5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一部设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡国强，叶震亚，江木吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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