【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led，尤其涉及一种led芯片结构的制备方法及led芯片结构。
技术介绍
1、目前随着micro阵列芯片或像素矩阵车microled芯片技术的快速发展，对gan材料与工艺的要求不断提高。蓝宝石基gan材料由于其位错密度比较低，可以满足如今的microled对性能的高要求，因此越来越多的led都采用蓝宝石基制备。
2、但是microled的驱动大都为硅基cmos，如果led和驱动，两者采用waferto wafer的方式键合，在热键合过程中，由于蓝宝石基和硅基的热膨胀系数不同，会导致比较大的键合偏移；另外，驱动基板上驱动芯片并不是布满整个基板，一般只在中间位置布置驱动芯片，边缘都是其他电路结构和连线，而led基板上led芯片是布满整个基板的，跟驱动基板对应键合后，只有中间的一部分led芯片是工作的，边缘部分的led芯片是不工作的，造成了很大的浪费。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种led芯片结构的制备方法及led芯片结构，以解决现有技术中键合偏移大、边缘led芯片浪费的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过如下技术方案实现的：
3、根据本专利技术的第一方面，提供一种led芯片结构的制备方法，其包括：
4、提供led外延片；所述led外延片包括：衬底以及位于所述衬底上的led外延层；所述led外延层包括自下而上依次分布的第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层；
5、在所述led外延层中形成隔离沟槽，
6、所述像素隔离后，在所述led外延层一侧形成电极引出结构，所述电极引出结构的顶面高于所述第二半导体层；所述电极引出结构的底面接触所述像素单元的电极引出位置；所述电极引出结构包括：正电极引出结构、负电极引出结构，每一待工作的所述像素单元对应一所述正电极引出结构；每一所述led芯片单元区域内包括至少一所述负电极引出结构；
7、制备所述电极引出结构后，在所述电极引出结构上键合第一临时基板；
8、键合所述第一临时基板后，将所述衬底剥离；
9、基于所述led芯片单元区域，对所述led外延层和所述第一临时基板进行切割，切割为多个分离的led芯片单元；
10、提供第二临时基板，所述第二临时基板的材质与所述驱动基板的材质相同；
11、所述led芯片单元以所述第一临时基板朝上的方式键合到所述第二临时基板上；所述led芯片单元在所述第二临时基板上的位置与驱动芯片在所述驱动基板上的位置一一对应；
12、将所述led芯片单元键合到所述第二临时基板上后，去除所述第一临时基板。
13、可选的，提供第二临时基板中，所述第二临时基板上包括钝化墙，所述钝化墙在所述第二临时基板上形成多个网格，所述网格空间与驱动基板上的驱动芯片位置一一对应；所述钝化墙的高度低于所述led芯片单元的厚度；
14、所述led芯片单元以所述第一临时基板朝上的方式键合到所述第二临时基板上具体为：
15、所述led芯片单元以所述第一临时基板朝上的方式放入到所述网格中，并键合到所述第二临时基板上；所述led芯片单元与所述网格一一对应。
16、可选的，去除所述第一临时基板后，所述制备方法还包括：
17、所述第二临时基板上的所述led芯片单元的电极引出结构与驱动基板上的驱动芯片的电极凸点对准键合；
18、所述对准键合后，去除所述第二临时基板；
19、去除所述第二临时基板后，在所述隔离沟槽中填充底部填充材料。
20、可选的，在所述led外延层中形成隔离沟槽中，所述隔离沟槽依次贯穿所述第二半导体层、所述量子阱结构以及部分所述第一半导体层。
21、可选的，在所述led外延层中形成隔离沟槽与在所述led外延层一侧形成电极引出结构之间还包括：
22、在所述隔离沟槽的侧壁以及所述第二半导体层的边缘表面形成第一钝化层；
23、所述电极引出结构的底面接触所述像素单元的电极引出位置具体为：
24、所述正电极引出结构的底面接触所述第二半导体层的中间表面；所述负电极引出结构的底面接触位于所述隔离沟槽底部的所述第一半导体层。
25、可选的，在所述led外延层中形成隔离沟槽中，所述隔离沟槽依次贯穿所述第二半导体层、所述量子阱结构以及所述第一半导体层。
26、可选的，在所述led外延层中形成隔离沟槽与在所述led外延层一侧形成电极引出结构之间还包括：
27、形成第二钝化层；所述第二钝化层至少覆盖待工作的像素单元的第二半导体层和量子阱结构的侧壁；
28、形成所述第二钝化层后，在所述衬底上形成金属互连层；所述金属互连层用于将所述像素单元的所述第一半导体层电性连接起来；
29、所述电极引出结构的底面接触所述像素单元的电极引出位置具体为：
30、所述正电极引出结构的底面接触所述待工作的像素单元的第一半导体层的表面；所述负电极引出结构的底面接触所述金属互连层。
31、可选的，所述像素单元的第一半导体层的侧壁具有至少一台阶。
32、可选的，所述切割分离与所述led芯片单元以所述第一临时基板朝上的方式放入到所述网格中之间，还包括：所述led芯片单元贴在蓝膜上。
33、可选的，所述衬底为蓝宝石衬底。
34、可选的，所述第二临时基板为硅基板。
35、根据本专利技术的第二方面，提供一种led芯片结构，其采用上述任一项所述的制备方法制备而成。
36、本专利技术提供的led芯片结构的制备方法及led芯片结构，通过将led切割为一个一个led芯片单元，然后转移到与驱动基板材质相同的第二临时基板上，即实现了die towafer，只在第二临时基板上与驱动基板的驱动芯片对应的位置放置led芯片单元，驱动基板的其他电路或连线位置并没有放置led芯片单元，避免了led芯片单元的浪费，并且dieto wafer过程中，可以对die进行选择，选择较优的die，进而可以提高led芯片结构的性能；另外，转移后的第二临时基板上的led芯片与驱动基板上的驱动芯片进行对准键合，即实现了wafer to wafer的键合，键合效率高，并且由于第二临时基板和驱动基板的材质相同，两者热膨胀系数相同，键合过程中不存在热膨胀差异造成的偏移问题；进一步地，键合过程中led芯片单元所在的第二临时基板，并不是其制备过程中的衬底，其制备过程中的衬底可以与驱动基板的材质不同，可以根据需要选择使led性能更优的衬底，如：蓝宝石衬底等。
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1.一种LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供第二临时基板中，所述第二临时基板上包括钝化墙，所述钝化墙在所述第二临时基板上形成多个网格，所述网格空间与驱动基板上的驱动芯片位置一一对应；所述钝化墙的高度低于所述LED芯片单元的厚度；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第一临时基板后，所述制备方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述LED外延层中形成隔离沟槽中，所述隔离沟槽依次贯穿所述第二半导体层、所述量子阱结构以及部分所述第一半导体层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述LED外延层中形成隔离沟槽与在所述LED外延层一侧形成电极引出结构之间还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述LED外延层中形成隔离沟槽中，所述隔离沟槽依次贯穿所述第二半导体层、所述量子阱结构以及所述第一半导体层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述LED外延层中形成隔离沟槽与在所述L
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述像素单元的第一半导体层的侧壁具有至少一台阶，所述金属互连层覆盖所述台阶的表面。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述切割与所述LED芯片单元以所述第一临时基板朝上的方式键合到所述第二临时基板上之间，还包括：所述LED芯片单元贴在蓝膜上。
10.根据权利要求1至9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
11.一种LED芯片结构，其特征在于，采用如权利要求1至10任一项所述的制备方法制备。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供第二临时基板中，所述第二临时基板上包括钝化墙，所述钝化墙在所述第二临时基板上形成多个网格，所述网格空间与驱动基板上的驱动芯片位置一一对应；所述钝化墙的高度低于所述led芯片单元的厚度；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第一临时基板后，所述制备方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述led外延层中形成隔离沟槽中，所述隔离沟槽依次贯穿所述第二半导体层、所述量子阱结构以及部分所述第一半导体层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述led外延层中形成隔离沟槽与在所述led外延层一侧形成电极引出结构之间还包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈朋，郝茂盛，袁根如，张楠，杨磊，魏帅帅，马后永，马艳红，徐志伟，黄良斌，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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