【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器。
技术介绍
1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)芯片上通常会有冗余存储单元，这些冗余存储单元可以在dram芯片产生缺陷存储单元时替换缺陷存储单元以达到修复dram的目的。在对dram芯片进行修复时，会借助到一次性可编程器件(one timeprogrammable，opt)，如反熔丝单元。目前，可编程器件包括一个选择晶体管和一个编程管，占用面积较大。
2、另外，随着集成电路技术的快速发展，芯片尺寸不断缩小，可编程器件之间的间距随之减少，这样，一方面，编程管会与其他邻近的管子发生误击穿，影响反熔丝单元的修复效果；另一方面，编程管与选择晶体管之间的耦合严重，影响可编程器件的性能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器。
2、第一方面，本公开实施例提供一种可编程器件，包括：
3、位线；
4、选择晶体管，所述选择晶体管的第一源漏极与所述位线电连接；
5、选择信号线，所述选择信号线与所述选择晶体管的栅极电连接；
6、多个二极管；
7、多个反熔丝单元，所述反熔丝单元的第一端通过对应的所述二极管与所述选择晶体管的第二源漏极电连接；
8、多条字线，所述字线与对应的所述反熔丝单元的第二端电连接。
9、在
10、与所述选择晶体管相邻设置的所述反熔丝单元对应的所述二极管的第二区域与所述第二源漏极共用。
11、在一些实施例中，还包括：金属层；
12、与所述选择晶体管不相邻的所述反熔丝单元对应的所述二极管的第二区域与所述第二源漏极通过所述金属层连接。
13、在一些实施例中，还包括：多个第一导电柱；
14、所述第一导电柱与所述第二区域连接，且多个所述第一导电柱共同连接至所述金属层。
15、在一些实施例中，所述选择晶体管与多个所述反熔丝单元设置在同一有源区，沿第一方向依次间隔排布；所述可编程器件还包括：
16、第二导电柱，连接于所述第一源漏极与所述位线之间；
17、第一连接结构，连接于所述选择晶体管的栅极与所述选择信号线之间；
18、第二连接结构，连接于所述反熔丝单元的第二端与所述字线之间。
19、在一些实施例中，所述选择晶体管包括第一栅极介质层和位于所述第一栅极介质层表面的第一栅极导电层；
20、所述反熔丝单元括第二栅极介质层和位于所述第二栅极介质层表面的第二栅极导电层；其中，所述第二栅极介质层的厚度小于所述第一栅极介质层的厚度。
21、在一些实施例中，所述第一区域与所述有源区为n型掺杂；所述第二区域与所述第一源漏极为p型掺杂。
22、第二方面，本公开实施例提供一种可编程器件阵列，包括：
23、沿第二方向依次排布的多个如第一方面所述的可编程器件；
24、其中，沿所述第二方向排布的一行所述选择晶体管的栅极相互连接；沿所述第二方向排布的一行所述反熔丝单元的所述第二端相互连接。
25、在一些实施例中，沿第二方向排布的一行所述选择晶体管的栅极连接至同一条所述选择信号线；
26、沿第二方向排布的一行所述反熔丝单元的所述第二端连接至同一条所述字线。
27、第三方面，本公开实施例提供一种可编程器件的操作方法，应用于上述第一方面所述的可编程器件；所述方法包括：
28、在编程操作时，将需要编程的反熔丝单元对应的位线设置为第一电压，向所述选择信号线施加第二电压，并向所述需要编程的反熔丝单元对应的字线施加第三电压，以击穿所述需要编程的反熔丝单元，同时，向所述可编程器件中的其它的所述字线施加所述第一电压，以不击穿除所述需要编程的反熔丝单元之外的其它反熔丝单元；所述需要编程的反熔丝单元为多个所述反熔丝单元的任意一个；
29、在读取操作时，将需要读取的反熔丝单元对应的所述位线设置为所述第一电压，向所述选择信号线施加第二电压，向所述需要读取的反熔丝单元对应的所述字线施加第四电压，以读取所述需要读取的反熔丝单元中的数据，同时，向所述可编程器件中的其它的所述字线施加所述第一电压；
30、其中，所述第三电压大于所述第二电压、所述第二电压大于所述第一电压；所述第一电压为零电压或接地电压；所述第三电压与所述第一电压的差值大于或等于所述需要编程的反熔丝单元的击穿电压；所述第二电压与所述第一电压的差值大于或等于所述选择晶体管的开启电压。
31、第四方面，本公开实施例提供一种可编程器件阵列的操作方法，应用于上述第二方面所述的可编程器件阵列；所述方法包括：
32、在编程操作时，将需要编程的反熔丝单元对应的位线设置为第一电压，向所述选择信号线施加第二电压，并向所述需要编程的反熔丝单元对应的字线施加第三电压，以击穿所述需要编程的器件，同时，向所述可编程器件阵列中的其它的所述字线施加所述第一电压，向所述可编程器件阵列中的其它的所述位线施加第五电压，以不击穿除所述需要编程的反熔丝单元之外的其它反熔丝单元；所述需要编程的反熔丝单元为多个所述反熔丝单元中的任意一个；
33、在读取操作时，将需要读取的反熔丝单元对应的所述位线设置为所述第一电压，向所述选择信号线施加第二电压，向所述需要读取的反熔丝单元对应的所述字线施加第四电压，以读取所述需要读取的反熔丝单元中的数据，同时，向所述可编程器件阵列中的其它的所述字线施加所述第一电压；并向所述可编程器件阵列中的其它的所述位线施加所述第四电压；
34、其中，所述第三电压大于所述第二电压、所述第二电压大于所述第一电压；所述第一电压为零电压或接地电压；所述第三电压与所述第一电压的差值大于或等于所述需要编程的反熔丝单元的击穿电压；所述第三电压与所述第五电压的差值小于所述可编程器件阵列中任意一个所述反熔丝单元的击穿电压；所述第二电压与所述第一电压的差值大于或等于所述选择晶体管的开启电压。
35、第五方面，本公开实施例提供一种存储器，包括：上述第二方面所述的可编程器件阵列。
36、本公开实施例提供的可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器，其中，可编程器件包括：位线；选择晶体管，选择晶体管的第一源漏极与位线电连接；选择信号线，选择信号线与选择晶体管的栅极电连接；多个二极管；多个反熔丝单元，反熔丝单元的第一端通过对应的二极管与选择晶体管的第二源漏极电连接；多条字线，字线与对应的反熔丝单元的第二端电连接。由于本公开实施例中的可编程器件包括一个选择晶体管和多个反熔丝单元，如此，可以缩小可编程器件的面积，并可以降低选择晶体管和反熔丝单元之间耦合作本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种可编程器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述二极管设置于基板中，包括与所述反熔丝单元相邻设置的第一区域以及与所述第一区域相邻设置的第二区域；
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括：金属层；
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，还包括：多个第一导电柱；
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述选择晶体管与多个所述反熔丝单元设置在同一有源区，沿第一方向依次间隔排布；所述可编程器件还包括：
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述选择晶体管包括第一栅极介质层和位于所述第一栅极介质层表面的第一栅极导电层；
7.根据权利要求5或6所述的器件，其特征在于，所述第一区域与所述有源区为N型掺杂；所述第二区域与所述第一源漏极为P型掺杂。
8.一种可编程器件阵列，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的阵列，其特征在于，
10.一种可编程器件的操作方法，其特征在于，应用于权利要求1至7任一项所述的可编程器件；所述方法包
11.一种可编程器件阵列的操作方法，其特征在于，应用于权利要求8或9任一项所述的可编程器件；所述方法包括：
12.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的可编程器件阵列。
...【技术特征摘要】
1.一种可编程器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述二极管设置于基板中，包括与所述反熔丝单元相邻设置的第一区域以及与所述第一区域相邻设置的第二区域；
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括：金属层；
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，还包括：多个第一导电柱；
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述选择晶体管与多个所述反熔丝单元设置在同一有源区，沿第一方向依次间隔排布；所述可编程器件还包括：
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述选择晶体管包括第一栅极介质层和位于所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜焕德，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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