【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是指一种硅片固定装置和硅片刻蚀设备。
技术介绍
1、在硅片加工过程中，要加入掺杂剂进行调整硅片的电阻率，其中，掺杂剂加入较多的硅片被称为重掺的硅片，重掺的硅片因为掺杂较多的掺杂剂需要进行背封处理，即采用气相沉积法(chemical vapour deposition，cvd)的方式在硅片背面沉积一层薄膜，从而有效阻止掺杂剂向硅片外扩散。
2、在硅片背面沉积一层薄膜之后，后续的外延生长过程，硅片边缘沉积的薄膜还可能会影响硅片正面的外延层的单晶生长，因此，需要通过刻蚀的方式去除硅片边缘一定宽度的薄膜，以避免其对外延工艺的影响。
3、目前现有的刻蚀方法中，是将硅片放置于刻蚀设备的处理腔中，利用刻蚀设备的上盘、下盘对硅片进行挤压固定，并暴露出硅片的边缘区域，对暴露的边缘区域进行刻蚀，但是由于刻蚀设备的上盘、下盘尺寸是固定的，无法满足不同尺寸的硅片或者不同尺寸的边缘刻蚀区域的刻蚀需求。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种硅片固定装置和硅片刻蚀设备，用以解决现有技术中，对硅片进行边缘刻蚀时，无法满足不同尺寸的硅片或者不同尺寸的边缘刻蚀区域的刻蚀需求的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：
3、本专利技术实施例提供一种硅片固定装置，包括：
4、在竖直方向上相对设置的下承载台和上抵压台，硅片设置于所述下承载台朝向所述上抵压台的一面上；
5、所述上抵压台上设置有多个
6、控制器，所述控制器用于获取所述硅片的尺寸和所述硅片上待刻蚀的边缘区域的目标尺寸，根据所述目标尺寸和所述硅片的尺寸，控制所述多个抵压盘中的第一抵压盘下降抵压所述硅片的第一表面，以使所述第一表面暴露出所述目标尺寸的边缘区域，其中，所述第一表面为所述硅片朝向所述上抵压台的表面。
7、一些实施例中，所述多个抵压盘同轴设置。
8、一些实施例中，所述硅片的中心轴与所述多个抵压盘的中心轴位于同一直线上。
9、一些实施例中，在圆柱状结构的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离相等；
10、或，
11、在圆柱状结构的圆心朝向圆柱的边缘的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离逐渐增加；
12、或，
13、在圆柱状结构的圆心朝向圆柱的边缘的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离逐渐减小。
14、一些实施例中，在圆柱的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离位于0.5mm-3mm之间。
15、一些实施例中，所述上抵压台上还设置有厚度测量组件，所述厚度测量组件用于测量所述硅片的厚度值；
16、所述控制器与所述厚度测量组件连接，所述控制器还用于获取所述厚度测量组件发送的所述硅片的厚度值；
17、所述控制器还用于根据所述厚度值，确定控制所述第一抵压盘下降的距离。
18、一些实施例中，所述硅片固定装置还包括驱动机构；
19、所述驱动机构分别与每一所述抵压盘连接，所述驱动机构用于分别驱动每一所述抵压盘在竖直方向上上升或下降；
20、所述控制器用于根据所述目标尺寸和所述硅片的尺寸，控制所述驱动机构驱动所述第一抵压盘下降抵压所述硅片的第一表面。
21、一些实施例中，所述上抵压台上还设置有真空抽取装置；
22、所述控制器与所述真空抽取装置连接，所述控制器还用于在控制所述多个抵压盘中的第一抵压盘下降抵压所述硅片的第一表面之后，控制所述真空抽取装置将所述第一抵压盘和所述第一表面之间的区域抽取为真空环境。
23、一些实施例中，所述下承载台通过真空吸附的方式固定所述硅片。
24、本专利技术实施例还提供硅片刻蚀设备，包括如上中任一项所述的硅片固定装置和喷头；
25、其中，所述喷头设置于所述硅片边缘的一侧，且所述喷头用于向所述硅片边缘区域喷射刻蚀液。
26、本专利技术的实施例具有以下有益效果：
27、本专利技术实施例提供的硅片固定装置，包括在竖直方向上相对设置的下承载台和上抵压台，将硅片放置于下承载台上，之后，获取硅片的尺寸和该硅片待刻蚀的边缘区域的目标尺寸，根据硅片的尺寸和目标尺寸，可以确定硅片需要被覆盖区域的直径，根据该直径，确定用于抵压该硅片表面的上抵压盘中，与该直径匹配的第一抵压盘，控制该第一抵压盘下降至抵压所述硅片的第一表面(所述第一表面为所述硅片朝向所述上抵压台的表面)，以硅片的第一表面正好暴露出目标尺寸的边缘区域，进而保证在该目标尺寸的边缘区域被刻蚀。并且由于在上抵压台上设置了多个不同直径的上抵压盘，可以匹配不同尺寸的硅片和不同尺寸的待刻蚀的边缘区域，通过一个硅片固定装置，即可以满足不同尺寸的硅片和不同尺寸的边缘区域的刻蚀需求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅片固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，所述多个抵压盘同轴设置。
3.根据权利要求2所述的硅片固定装置，其特征在于，所述硅片的中心轴与所述多个抵压盘的中心轴位于同一直线上。
4.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，在圆柱状结构的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离相等；
5.根据权利要求4所述的硅片固定装置，其特征在于，在圆柱的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离位于0.5mm-3mm之间。
6.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，所述上抵压台上还设置有厚度测量组件，所述厚度测量组件用于测量所述硅片的厚度值；
7.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，所述硅片固定装置还包括驱动机构；
8.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，所述上抵压台上还设置有真空抽取装置；
9.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，所述下承载台通过真空吸附的方式固定所述硅片。
10.一种硅片刻蚀
...【技术特征摘要】
1.一种硅片固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，所述多个抵压盘同轴设置。
3.根据权利要求2所述的硅片固定装置，其特征在于，所述硅片的中心轴与所述多个抵压盘的中心轴位于同一直线上。
4.根据权利要求1所述的硅片固定装置，其特征在于，在圆柱状结构的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离相等；
5.根据权利要求4所述的硅片固定装置，其特征在于，在圆柱的径向方向上，相邻的两个所述抵压盘之间的距离位于0.5mm-3mm之间。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：苏艳宁，孙介楠，陈曦鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。