【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件及装置，具体而言，涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、随着ar/vr(增强现实技术/虚拟现实技术)市场的逐渐扩大，micro led(微发光二极管)在ar/vr中的应用需求也日益增长。并且在应用端追求更佳小巧轻便的过程中，microled的尺寸需求也逐渐减小。
2、micro led产品在ar/vr应用中，对芯片的尺寸要求较高，芯片尺寸常在5um、2um，甚至2um以下。为了尽可能的满足芯片小型化的需求，micro led产品的封装结构一般采用垂直结构。垂直芯片结构中，主要出光方向一般称为轴向(也即外延结构背面至正面的方向)，轴向出光面设置有电极结构，出光面的电极结构会遮挡部分出光面，在一定程度上影响产品的发光亮度。尤其对于芯片尺寸在2um以下时，出光面的尺寸也会缩小，此时出光面的电极结构几乎将整个出光面完全遮挡，严重影响产品的发光亮度。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，其优化了光的提取效率，减少了因电极遮挡而导致的光损失。
2、第一方面，本申请提供的一种发光二极管，包括衬底、外延结构、第一电极、第一反射层、第二反射层。其中，衬底具有相对设置的衬底正面及衬底背面，垂直于衬底正面的延伸方向称为轴向。外延结构形成在衬底正面一侧，外延结构包括自衬底正面依次叠置的第一半导体层、有源层、第二半导体层。第一电极位于第二半导体层上方与第二半导体层导电连接，第一反射层设置于第一电极与第二半导体层之间，第二反射层设
3、第二方面，本申请提供的一种发光装置，包括电路基板以及固定至电路基板表面的至少一个发光二极管，发光二极管为前述的发光二极管。
4、与现有技术相比，本申请的有益效果至少包括：
5、本申请的发光二极管，其设计优化了光的提取效率，减少了因电极遮挡而导致的光损失。具体而言，当发光二极管在工作状态下产生光时，部分光线会朝向第一电极的底面一侧发射。这些光线被第一反射层有效地向下反射，进而到达第二反射层。第二反射层特别设计有坡状结构，该结构不仅承接了由第一反射层反射而来的光线，而且通过其倾斜壁面的设计进一步将光线反射，导向至外延结构的侧壁方向。这一设计使得原本可能被第一电极阻挡的部分或全部光线得以通过外延结构的侧壁导出，从而显著降低了第一电极对发光二极管正面出光的遮挡效应，确保了发光二极管的发光亮度和效率。
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1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)具有倾斜的侧壁。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁相对于所述外延结构(2)的背面的夹角范围为30°～70°。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁设置有粗化结构(24)。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化结构(24)的高低差范围为0.1～0.5um。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括透镜(6)，覆盖住所述外延结构(2)的正面和至少部分侧壁，用于将所述外延结构(2)中射出的部分光线导向轴向。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括透明封装层(7)，至少覆盖住所述外延结构(2)的表面。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括第二电极(8)，形成在所述衬底(1)背面一侧与所述第一半导体层(21)导电连接。
9.根据权利要求1所述的发光二极管
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，至少所述第一电极(3)下方对应的所述第一反射层(4)的背面设置有倾斜结构(41)。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述倾斜结构(41)关于所述第一电极(3)中心位置所在轴向中心线呈对称结构。
12.根据权利要求1中所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极(3)向所述衬底正面的投影边界不超出所述坡状结构(51)向所述衬底正面的投影边界。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述坡状结构(51)整体的中心位置与所述第一电极(3)的中心位置在轴向上重合，所述坡状结构(51)整体关于其自身中心位置呈对称结构。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极(3)的中心位置与所述外延结构(2)的中心位置在轴向上重合。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述坡状结构(51)包括至少一个凸起结构(511)，所述凸起结构(511)设置有倾斜侧壁。
16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起结构(511)具有关于其自身中心位置呈对称设置的倾斜侧壁。
17.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述倾斜侧壁的表面形态为平面、弧形面或两者的组合。
18.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述坡状结构(51)包括多个所述凸起结构(511)，多个所述凸起结构(511)沿所述外延结构(2)的背面呈阵列分布。
19.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起结构(511)顶端与根部之间的高低差值范围为0.2～1um。
20.一种发光装置，其特征在于，包括电路基板以及固定至所述电路基板表面的至少一个发光二极管，所述发光二极管包括权利要求1至19中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)具有倾斜的侧壁。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁相对于所述外延结构(2)的背面的夹角范围为30°～70°。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构(2)的侧壁设置有粗化结构(24)。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化结构(24)的高低差范围为0.1～0.5um。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括透镜(6)，覆盖住所述外延结构(2)的正面和至少部分侧壁，用于将所述外延结构(2)中射出的部分光线导向轴向。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括透明封装层(7)，至少覆盖住所述外延结构(2)的表面。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，包括第二电极(8)，形成在所述衬底(1)背面一侧与所述第一半导体层(21)导电连接。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层(4)完全覆盖所述第二半导体层(23)的表面。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，至少所述第一电极(3)下方对应的所述第一反射层(4)的背面设置有倾斜结构(41)。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述倾斜结构(41)关于所述第一电极(3)中心位置所在轴向中心线呈对称结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，杨洋，郭桓邵，彭钰仁，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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