一种激励熔断器用活塞结构及激励熔断器制造技术

技术编号:44714143 阅读:5 留言:0更新日期:2025-03-21 17:44
本发明专利技术属于电路保护领域,涉及激励熔断器用活塞结构及激励熔断器,包括依次一体成型连接的套筒部分、密封部分及冲击部分;套筒部分用于改善激励熔断器的电子点火器释放的高压气体的气流方向;密封部分的外侧面设置有密封结构,用于密封活塞结构与激励熔断器壳体接触面之间的间隙;冲击部分用于切断激励熔断器上的导电件。本发明专利技术的活塞一体成型,通过套筒部分对电子点火器释放的高压气体形成运动导向,改善活塞的动力,约束电子点火器的高压气体释放一端的张开状况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电路保护领域,涉及电力控制和电动汽车领域的电路保护,尤其指电路保护用激励熔断器用活塞结构及激励熔断器


技术介绍

1、激励熔断器作为电路保护用器件,一般包括壳体、电子点火器、活塞、导电件。导电件可与保护电路串联,电子点火器用于释放高压气体作为高压气体,用于驱动活塞位移,为活塞提供动能,通过活塞动能切断导电件,使导电件断开,从而断开保护电路,实现电路保护。

2、活塞作为产品组成中重要的一个零件,其功能主要是密封高压气体,使高压气体全部作用于活塞上,通过活塞传递动能。

3、高压气体的密封要求是密封性越高越好,但是动能不是越充足越有利于产品的性能。如冲击速度过快导致冲击力越大,对壳体的强度考验就越大。还比如冲击速度越快,时差越短,留给灭弧熔断器的时间越短,灭弧熔断器吸收的能量有限,导致与之并联的导电件断口承担相对较大的电弧能量。还比如起爆之初,爆炸的型腔的体积过小,导致瞬时的起爆压力急剧增大导致爆炸腔室的上壳承受巨大的压力,对壳体的强度形成急剧的考验。还比如说密封腔室的密封性相对较差时,动力不足导致动力不足;为此活塞的结构对改善这些性能起到了至关重要的作用。比如中国专利2023206796724公开的一种具有排气结构的电路保护装置及激励熔断器中的活塞结构。


技术实现思路

1、本专利技术目的是提供一种激励熔断器用活塞结构及激励熔断器,主要从吸能消耗能量,涡流改善气流方向等方面改善活塞传递的动能情况。一方面提升产品的分断性能,另一方面降低对壳体强度的要求

2、为实现上述目的,本专利技术提供的技术方案是一种激励熔断器用活塞结构,活塞结构包括依次一体成型连接的套筒部分、密封部分及冲击部分;所述密封部分一端设置有所述套筒部分,另一端设置有所述冲击部分;所述套筒部分用于改善所述激励熔断器的电子点火器释放的高压气体的气流方向;所述密封部分的外侧面设置有密封结构,所述密封结构用于密封所述活塞结构与所述激励熔断器壳体接触面之间的间隙;所述冲击部分用于切断激励熔断器上的导电件。

3、优选地,所述套筒部分的外径小于或者等于所述密封部分的外径。

4、优选地,所述密封结构为以下结构中的一种:

5、所述密封部分呈圆锥台结构形成所述密封结构,所述密封部分一端固定地连接所述冲击部分上,所述套筒部分固定地设置在所述密封部分的圆锥台结构的台面,所述套筒部分的外径小于所述密封部分的最大外径,所述密封部分与所述套筒部分连接的一端的外径大于与所述冲击部分连接的另一端的外径;或者,

6、在所述密封部分设置有所述套筒部分的端面的外周朝向远离所述冲击部分的方向延伸且向外侧倾斜的唇舌结构形成所述密封结构;所述密封部分一端固定地连接所述冲击部分上,所述密封部分的另一端的端面与所述套筒部分相连接;所述密封部分上与所述冲击部分相连接的一端的外径小于所述密封部分上与所述套筒连接的一端的外径;或者,

7、在所述密封部分的外侧面沿周向设置至少一圈凸棱形成所述密封结构;或者,

8、在所述密封部分的外侧面沿周向设置至少一圈凹槽,在所述凹槽中设置密封件形成所述密封结构。

9、优选地,当所述密封结构为唇舌结构时,所述套筒部分设置在所述密封部分的端面边缘处,所述套筒部分与所述唇舌结构一体连接;所述套筒部分的最大外径等于所述密封部分的外径。

10、优选地,所述套筒部分的开口端为锯齿状结构。

11、优选地,所述套筒部分的开口端上设置有朝向所述套筒部分中心方向倾斜的倒角。

12、优选地,所述冲击部分包括刀身和刀刃,所述刀身与所述密封部分的端面一体成型,所述密封部分与所述刀身部分外形呈t型结构;所述刀刃一体成型在所述刀身远离所述密封部分的端面上。

13、优选地,在所述刀身远离所述密封部分的端面的长度方向上开设有缺口,在所述缺口的底部设置贯通所述缺口底部长度的凸棱形成所述刀刃。

14、优选地,所述凸棱朝向所述缺口开口端的一面为斜面、平面或v型结构。

15、优选地,在所述刀身长度方向的两外侧面、且靠近所述刀刃位置处分别设置有对所述活塞初始位置进行限定的限位凸块。

16、本专利技术还提供了一种激励熔断器,包括上述的活塞结构,初始状态下,所述活塞结构的套筒部分的开口端与所述激励熔断器的电子点火管相接触。

17、优选地,所述套筒部分的开口端上设置的倒角与所述电子点火管上的倾斜面相配合。

18、本专利技术的活塞结构及激励熔断器,通过套筒部分可以改善高压气体的运动方向,进而改善活塞的动力,可约束电子点火器起爆端的张开状况,起到吸能保护激励熔断器壳体的作用。当套筒部分全部包裹住电子点火器的高压气体释放一端时,电子点火器释放一端的外侧面可与套筒部分的内壁过盈配合,作为电子点火器竖直方向位移的冗余约束。

19、在活塞本体上一体成型密封结构,则不需额外设置密封件,减少零件数量和装配工序。

20、在活塞的冲击部分设置缺口,在活塞断开导电件时,缺口可以跨设在导电件宽度,在切断导电件时,使导电件容置在缺口中,避免切断时导电件偏移导致受力分散;在缺口中设置凸棱作为刀口,由于凸棱面积小,可在切断导电件时,使冲击力更集中,更容易切断导电件。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激励熔断器用活塞结构,其特征在于,活塞结构包括依次一体成型连接的套筒部分、密封部分及冲击部分;所述密封部分一端设置有所述套筒部分,另一端设置有所述冲击部分;所述套筒部分用于改善所述激励熔断器的电子点火器释放的高压气体的气流方向;所述密封部分的外侧面设置有密封结构,所述密封结构用于密封所述活塞结构与所述激励熔断器壳体接触面之间的间隙;所述冲击部分用于切断激励熔断器上的导电件。

2.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述套筒部分的外径小于或者等于所述密封部分的外径。

3.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述密封结构为以下结构中的一种:

4.根据权利要求3所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,当所述密封结构为唇舌结构时,所述套筒部分设置在所述密封部分的端面边缘处,所述套筒部分与所述唇舌结构一体连接;所述套筒部分的最大外径等于所述密封部分的外径。

5.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述套筒部分的开口端为锯齿状结构。

6.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述套筒部分的开口端上设置有朝向所述套筒部分中心方向倾斜的倒角。

7.根据权利要求1至6任一项所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述冲击部分包括刀身和刀刃,所述刀身与所述密封部分的端面一体成型,所述密封部分与所述刀身部分外形呈T型结构;所述刀刃一体成型在所述刀身远离所述密封部分的端面上。

8.根据权利要求7所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,在所述刀身远离所述密封部分的端面的长度方向上开设有缺口,在所述缺口的底部设置贯通所述缺口底部长度的凸棱形成所述刀刃。

9.根据权利要求8所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述凸棱朝向所述缺口开口端的一面为斜面、平面或V型结构。

10.根据权利要求9所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,在所述刀身长度方向的两外侧面、且靠近所述刀刃位置处分别设置有对所述活塞初始位置进行限定的限位凸块。

11.一种激励熔断器,其特征在于,包括,根据权利要求1至10中任一项所述的活塞结构,初始状态下,所述活塞结构的套筒部分的开口端与所述激励熔断器的电子点火管相接触。

12.根据权利要求11所述的激励熔断器,其特征在于,所述套筒部分的开口端上设置的倒角与所述电子点火管上的倾斜面相配合。

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【技术特征摘要】

1.一种激励熔断器用活塞结构,其特征在于,活塞结构包括依次一体成型连接的套筒部分、密封部分及冲击部分;所述密封部分一端设置有所述套筒部分,另一端设置有所述冲击部分;所述套筒部分用于改善所述激励熔断器的电子点火器释放的高压气体的气流方向;所述密封部分的外侧面设置有密封结构,所述密封结构用于密封所述活塞结构与所述激励熔断器壳体接触面之间的间隙;所述冲击部分用于切断激励熔断器上的导电件。

2.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述套筒部分的外径小于或者等于所述密封部分的外径。

3.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述密封结构为以下结构中的一种:

4.根据权利要求3所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,当所述密封结构为唇舌结构时,所述套筒部分设置在所述密封部分的端面边缘处,所述套筒部分与所述唇舌结构一体连接;所述套筒部分的最大外径等于所述密封部分的外径。

5.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述套筒部分的开口端为锯齿状结构。

6.根据权利要求1所述的激励熔断器用活塞结构,其特征在于,所述套筒部分的开口端上设置有朝向所述套筒部分...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈蓉蓉刘文浩任旭鹏王伟石晓光
申请(专利权)人:西安中熔电气股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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