含有吲哚化合物的组合物及使用该组合物而得到的发光元件制造技术

一种组合物，其含有具有吲哚环结构的化合物与磷光发光性化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有吲哚化合物的组合物及使用该组合物而得到的发光 元件。
技术介绍
作为用于发光元件的发光层的发光材料，已知将显示来自三重激发态 的发光的化合物(以下有时称为"磷光发光性化合物"。)用于发光层的元件 具有高发光效率。将磷光发光性化合物用于发光层时，通常使用将该化合 物添加于基质而得到的组合物作为发光材料。从可以通过涂布来形成薄膜 的情况出发，作为基质，使用聚乙烯咔唑之类的高分子(专利文献l)。但是，上述化合物由于最低未占分子轨道(以下有时称为"LUMO"。) 高，所以存在难以注入电子的问题。相反，聚芴等共轭系高分子由于LUMO 低，所以使用他作为基质时，可以比较容易地注入电子。但是，上述共轭 系高分子由于最低三重态激发能小，所以不适合用作特别是用于具有比绿 色短的波长的发光的基质(专利文献2)。例如，包括作为共轭系高分子的聚 烯烃与三重态发光化合物的发光材料(非专利文献l)发光效率低。专利文献l:日本特开2002-50483号公报专利文献2:日本特开2002-241455号公报非专利文献1:APPLIED PHYSICS LETTERS,80,13，2308(2002)
技术实现思路
为此，本专利技术的目的在于提供用于发光元件等时发光效率优异的发光 材料。本专利技术人经过潜心研究，结果发现含有具有吲哚环结构的化合物与磷 光发光性化合物的组合物可解决上述问题，从而得到了本专利技术。艮卩，第一，本专利技术提供含有具有吲哚环结构的化合物和磷光发光性化 合物的组合物。第二，本专利技术提供含有所述磷光发光性化合物的残基和所述刚哚环结 构的高分子。第三，本专利技术提供使用所述组合物或所述高分子而得到的发光性薄 膜、有机半导体薄膜及发光元件。第四，本专利技术提供具有所述发光元件的面状光源、段式显示装置及点 阵式显示装置、具有该发光元件的照明以及具有该发光元件作为背光的液 晶显示装置。本专利技术的组合物、高分子(以下称为"本专利技术的组合物等")发光效率高。 因此，用于制作发光元件等时，能得到发光效率优异的发光元件。另外， 本专利技术的组合物等通常在短波长的绿色或蓝色的发光中具有比较优异的 发光性。认为这是由于本专利技术组合物所含的化合物、本专利技术的高分子的LUMO低，比较容易注入电子，并且最低三重态激发能大。具体实施例方式以下，详细说明本专利技术。 〈组合物〉本专利技术的组合物含有具有吲哚环结构的化合物和磷光发光性化合物。 本说明书中，所谓吲哚环结构，是指吲哚、除去吲哚中的一部分或全 部(特别是1个或2个)氢原子而得到的基团。本专利技术的组合物含有上述具有吲哚环结构的化合物和磷光发光 性化合物。上述具有吲哚环结构的化合物没有特别限定，优选具有选 自下述通式(l-l)、 (l國2)、 (1-3)、 (1-4)、 (2-1)、 (2曙2)、 (2國3)及(2-4)中的 至少一种吲哚环结构，较优选具有至少一种由上述式(l-l)、 (1-2)、 (l國4)、 (2-1)、 (2國2)、 (2-3)及(2-4)表示的刚tl朵环结构，,寺别优选具有至 少2种由上述(1-1)、 (1-2)、 (1-4)、 (2画1)、 (2-2)、 (2-3)或(2國4)表示的结 构。该具有吲哚环结构的化合物为高分子时，较优选为在高分子的主 链和/或侧链具有该吲哚环结构的高分子。(1-1) (1-2) (仁3) (仁4><2隱1) (2-2) (2-3) (2-4〉(式中，R及W分别独立地表示氢原子或l价取代基。R及Ri存在多个时， 它们可以相同或不同。)作为上述l价取代基，可以举出例如卤原子、烷基、垸氧基、烷 硫基、可以具有取代基的芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳 基垸基氧基、芳基烷硫基、酰基、酰基氧基、酰胺基、酰亚胺基、亚 胺残基、取代氨基、取代甲硅垸基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷 硫基、取代甲硅烷基氨基、可以具有取代基的l价杂环基、可以具有 取代基的杂芳基、杂芳基氧基、杂芳基硫基、芳基烯基、芳基乙炔基、 取代羧基、氰基等，优选为垸基、垸氧基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂芳基。需要说明的是，所谓N价杂环基(N为1或 2)，是由杂环化合物除去N个氢原子而得到的基团，本说明书中相同。 上述式(l-l)、 (1-2)、 (1-3)、 (1-4)、 (2誦1)、 (2-2)、 (2-3)或(2-4)中，R及 W分别独立地表示氢原子或l价取代基，优选存在的多个R及^中的至少一 个为l价取代基(特别是存在的多个R及Ri中的至少一个是碳原子数为3 10的垸基或碳原子数为3 10的垸氧基)，或者R及R'中的至少一个为1价取 代基(特别是R及W中的至少一个为烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基 或可以具有取代基的杂芳基)。另外，也优选上述R中的至少一个是氢原 子以外的原子总数为3以上的1价取代基，较优选氢原子以外的原子总数为5以上的1价取代基，特别优选氢原子以外的原子总数为7以上的1价取代基。存在的多个R及W可以分别相同或不同。作为上述具有吲哚环结构的化合物，也可以举出由下述通式(A-1) 或(A-2)表示的化合物或具有它们的残基的化合物。(indl~j-(Y1)n-Ar, (A隱1)(indl~j-(Y1)n——^~indl ) (A-2)(式中，indl表示由上述通式(l-l)、 (1-2)、 (l-3)或(l-4)表示的吲 哚环结构。Y!表示-C(Ra)(Rb)-、 -C(=0)-、 -N(Re)-、 -O-、 -Si(Rd)(Re)-、 -P(Rf)-、各或-8(=0)2-。 n为0 5的整数。An表示可以具有取代基的l 价芳基或可以具有取代基的l价杂环基。^存在多个时，多个Yi可以 相同或不同。Ra Rf分别独立地表示氢原子或l价取代基。)。另夕卜，1 分子中具有的该吲哚环结构至少为一种。作为由Ra Rf表示的l价取代基，可以举出烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基垸氧基、芳基烷硫 基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷 基、甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基氧基、l价杂环基、卤原子。 另外，从发光效率的观点来看，上述具有吲哚环结构的化合物优选具有下述通式(A-3)所示的化合物的残基以外的吲哚环结构。 <formula>formula see original document page 9</formula>(式中，indl具有与上述相同的含义。Z环为具有碳原子、Z,及Z2的环 状结构。Z!及Z2分别独立地表示-C(H"或-N^ )上述式(A-3)中，作为上述环状结构，可以举出可以具有取代基的芳香 环、可以具有取代基的非芳香环，具体而言，可以举出苯环、杂环、脂环式烃环、稠合多个上述环而得到的环、上述环的一部分氢原子被取 代而得到的环等。所谓上述式(A-l) (A-3)所示的化合物的残基，是指除去该化合 物的一部分或全部氢原子而得到的基团。作为具有上述吲哚环结构的化合物，例如也可以举出高分子、下述通式(3a) (3c)所示的化合物等。X——("indl ) (3a) \ /m1Z~hAMndl (3b) \ /m2X'——(~Z—indl ) (3c) \ /m3(式中，indl具有与上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，　其含有具有吲哚环结构的化合物和磷光发光性化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋野喜彦，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，萨美甚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]