【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏材料制造加工领域，更具体的说，涉及一种热处理工艺。
技术介绍
1、半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过一定的化学处理才能够应用到产品上。化学气相沉积（chemical vapordeposition, cvd）技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工，常见的cvd技术有等离子体增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd）、低压化学气相沉积（low pressure chemical vapor deposition，lpcvd）、常压化学气相沉积（atmospheric pressure chemical vapor deposition，apcvd）等，其中apcvd、lpcvd常用于低压工艺或者常压工艺，制备半导体工艺中的氧化层和非晶硅层，制作工艺通常是将待加工材料送入反应炉中，在一定温度和压力的条件下进行热反应来实现。
2、在硅片等待加工材料的表面制备氧化层的传统的lpcvd工艺中，主要是通过将反应炉管升至反应温度后，再通入氧气进行氧化层的生长。然而，由于反应炉管的实际温度从炉管口到尾部的温度并不均衡，导致了位于反应炉管不同区域的氧化层的膜厚均匀性有较大差异，间接影响到待加工材料表面的成膜质量和电性能参数。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种热处理工艺，包括：
2、s1：将待处理的产品放入炉管，进行抽真空；
3、
4、s3：继续对所述炉管进行加热，使所述炉管自所述中间温度升温达到目标温度并进行恒温，且升温和恒温的过程中均通入反应气体；以及
5、s4：保持所述炉管的所述目标温度，并继续通入反应气体。
6、本申请的热处理工艺，其在炉管中进行，通过设置至少一个中间温度进行恒温，使炉管的各个区域具有更加均衡的温度，之后再加热炉管使炉管的温度自中间温度朝目标温度上升，期间同时向炉管中通入反应气体，进而使反应气体进入炉管时，炉管的各个区域的待处理产品具有一致的温度，可实现炉管各个区域的升温均衡，从而改善生成膜层（例如氧化层）的均匀性，实现更高的产品效能。
7、进一步的，s2包括：对所述炉管依次设置逐渐递增的至少两个中间温度并在升温至每个所述中间温度时进行恒温。
8、进一步的，s2包括：加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第一中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第一升温平台，所述第一升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第一中间温度；
9、继续加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第二中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第二升温平台，所述第二升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第二中间温度，所述第二中间温度大于所述第一中间温度且小于所述目标温度。
10、进一步的，所述第二中间温度与所述第一中间温度的差值小于等于20摄氏度。
11、进一步的，s2还包括：继续加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第三中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第三升温平台，所述第三升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第三中间温度，所述第三中间温度大于所述第二中间温度且小于所述目标温度。
12、进一步的，s2还包括：继续加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第四中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第四升温平台，所述第四升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第四中间温度，所述第四中间温度大于所述第三中间温度且小于所述目标温度。
13、进一步的，所述热处理工艺为低压化学气相沉积工艺。
14、进一步的，所述待处理的产品为硅片，s3和s4中通入的所述反应气体为氧气。
15、进一步的，s3中通入的所述反应气体的流量小于s4中通入的所述反应气体的流量。
16、进一步的，s3中通入的所述反应气体的流量小于5000sccm，s4中通入的所述反应气体的流量大于等于20000sccm。
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1.一种热处理工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的热处理工艺，其特征在于，S2包括：对所述炉管依次设置逐渐递增的至少两个中间温度并在升温至每个所述中间温度时进行恒温。
3.根据权利要求2所述的热处理工艺，其特征在于，S2包括：加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第一中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第一升温平台，所述第一升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第一中间温度；
4.根据权利要求3所述的热处理工艺，其特征在于，所述第二中间温度与所述第一中间温度的差值小于等于20摄氏度。
5.根据权利要求3所述的热处理工艺，其特征在于，S2还包括：继续加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第三中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第三升温平台，所述第三升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第三中间温度，所述第三中间温度大于所述第二中间温度且小于所述目标温度。
6.根据权利要求5所述的热处理工艺，其特征在于，S2还包括：继续加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第四中间温度并进行恒
7.根据权利要求1所述的热处理工艺，其特征在于，所述热处理工艺为低压化学气相沉积工艺。
8.根据权利要求7所述的热处理工艺，其特征在于，所述待处理的产品为硅片，S3和S4中通入的所述反应气体为氧气。
9.根据权利要求7所述的热处理工艺，其特征在于，S3中通入的所述反应气体的流量小于S4中通入的所述反应气体的流量。
10.根据权利要求7所述的热处理工艺，其特征在于，S3中通入的所述反应气体的流量小于5000sccm，S4中通入的所述反应气体的流量大于等于20000sccm。
...【技术特征摘要】
1.一种热处理工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的热处理工艺，其特征在于，s2包括：对所述炉管依次设置逐渐递增的至少两个中间温度并在升温至每个所述中间温度时进行恒温。
3.根据权利要求2所述的热处理工艺，其特征在于，s2包括：加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第一中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第一升温平台，所述第一升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第一中间温度；
4.根据权利要求3所述的热处理工艺，其特征在于，所述第二中间温度与所述第一中间温度的差值小于等于20摄氏度。
5.根据权利要求3所述的热处理工艺，其特征在于，s2还包括：继续加热所述炉管，使得所述炉管的温度达到第三中间温度并进行恒温，在恒温阶段所述炉管的时间-温度曲线为第三升温平台，所述第三升温平台是指随着时间增长温度趋近在所述第三中间温度，所述第三中间温度大于所述第二中间温度且小于...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊贤明，毛文龙，张凯，罗飞，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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