【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
1、在需要资料储存的电子系统中，需要一种能够储存大容量资料的半导体元件装置。在增加资料储存容量的同时，需要提高半导体元件装置的集成度，以满足消费者所需的优秀性能以及低廉价格。在二维或平面半导体元件装置的情况下，由于集成度主要由单位储存单元所占的面积确定，因此很大程度上受到精细图案形成技术水平的影响。然而，由于图案的精细化需要超昂贵的设备，因此，尽管二维半导体元件装置的集成度不断提高，但依然有限。因此，提出了一种具有三维排列的储存单元的三维半导体元件储存装置。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术的目的在于提供一种具有改善的稳定性和电特性的半导体元件的制造方法。
3、本专利技术的另一目的在于提供一种能够减小泄漏电流大小的半导体元件的制造方法。
4、本说明书的目的并不限于上述提及的目的，并且未被提及的本专利技术的其他目的以及优点将可以通过下述本说明书的实施例得到更加明确的理解。并且，本说明书的目的以及优点可以通过专利技术要求保护范围中记载的结构要素及其组合来实现。
5、技术方案
6、根据一实施例的半导体元件的制造方法可以包括：在基板上层叠多个绝缘层和多个牺牲层的步骤；形成贯通所述多个绝缘层和所述多个牺牲层的开口的步骤；去除所述牺牲层以形成沟槽的步骤；在所述沟槽内部层叠阻挡层的步骤；在所述阻挡层上层叠第一电极层的步骤；在所述第一电极层上层叠介电层的步骤；对所述介电层执行热
7、在一实施例中，所述热处理可以包括在氢气氛中执行的第一次热处理。
8、在一实施例中，所述热处理可以包括在氢气氛中执行的第一次热处理以及在氧气氛中执行的第二次热处理。
9、在一实施例中，所述热处理可以在200℃至1000℃的温度下执行。
10、在一实施例中，执行所述热处理时供应的气体的气压可以是2atm至50atm。
11、在一实施例中，所述绝缘层可以包含硅(si)，所述牺牲层可以包含硅锗(sige)。
12、在一实施例中，所述介电层可以包含二氧化铪(hfo2)、二氧化锆(zro2)、二氧化钒(vo2)、二氧化钛(tio2)、二氧化锡(sno2)、氧化铝(al2o3)、氧化锌(zno)、氧化铪硅(hfsio)、氧化锆硅(zrsio)或五氧化二铌(nb2o5)中的至少一种。
13、专利技术的效果
14、根据实施例，通过在氢气氛下执行的热处理可以去除介电层的缺陷或杂质。因此可以提高半导体元件的性能和可靠性。并且，还可以减小半导体元件的泄漏电流。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体元件...
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