【技术实现步骤摘要】
本申请涉及硅片测量，尤其涉及硅片测量方法及系统。
技术介绍
1、随着半导体技术的快速发展，3d堆叠技术的重要性逐渐提升。在3d堆叠技术中，硅片在加工和应用过程中需要承受较高的应力作用，这对硅片的抗变形能力提出了更高的要求。因此，需要量化硅片的抗变形能力。然而，相关的硅片抗变形能力测试方法大多基于材料的机械强度测量，包括三点弯曲测试、拉伸测试和压缩测试。这些方法通常是破坏性检测，难以在批量生产中无损应用。此外，这些测试方法多基于材料本征属性，未能充分考虑硅片正、背面的几何形貌变化，因此无法全面反映硅片在多层堆叠条件下的整体变形情况。此外，基于斯托尼公式的薄膜应力测量技术通过曲率变化间接衡量抗变形能力，但由于精度较低，难以区分抗变形能力差异较小的硅片，且同样存在无损性欠佳的问题。因此，相关方法在测量精度、无损检测和适用性方面难以满足3d堆叠等高端应用对硅片质量的严格要求。
2、基于此，本申请提供了硅片测量方法及系统，以改进相关技术。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供硅片测量方法及系统，量化硅片的抗变形能力。
2、本申请的目的采用以下技术方案实现：
3、第一方面，本申请提供了一种硅片测量方法，所述方法包括：测量所述硅片的形貌，得到第一形貌数据；对所述硅片进行预处理；测量预处理后的硅片的形貌，得到第二形貌数据；基于所述第一形貌数据和所述第二形貌数据，计算得到用于表征所述硅片的抗变形能力的抗变形指标值。
4、在一些实施例中，所述测量所述硅
5、在一些实施例中，所述基于所述第一形貌数据和所述第二形貌数据，计算得到用于表征所述硅片的抗变形能力的抗变形指标值，包括：基于所述第一正面形貌数据、所述第一背面形貌数据、所述第二正面形貌数据和所述第二背面形貌数据，计算所述硅片的多个测量点相应的平面外变形量；对所述硅片的多个测量点相应的平面外变形量的绝对值进行求和处理，得到变形度；将所述变形度取负值，作为用于表征所述硅片的抗变形能力的抗变形指标值。
6、在一些实施例中，所述基于所述第一正面形貌数据、所述第一背面形貌数据、所述第二正面形貌数据和所述第二背面形貌数据，计算所述硅片的多个测量点相应的平面外变形量，包括：利用所述第一正面形貌数据和所述第一背面形貌数据，计算所述硅片的多个测量点相应的第一中曲面值；利用所述第二正面形貌数据和所述第二背面形貌数据，计算所述硅片的多个测量点相应的第二中曲面值；针对至少一个测量点，计算所述测量点相应的第一中曲面值和第二中曲面值的差值，得到所述测量点相应的平面外变形量。
7、在一些实施例中，所述硅片的形貌的测量方式包括电容式测量和/或光学式测量。
8、在一些实施例中，所述硅片的形貌的测量方式根据硅片表面的漫反射参数值和/或粗糙度参数值确定。
9、在一些实施例中，在所述漫反射参数值大于第一目标数值和/或在所述粗糙度参数值大于第二目标数值的情况下，所述硅片的形貌的测量方式为电容式测量。
10、在一些实施例中，所述预处理包括热处理和/或薄膜沉积。
11、在一些实施例中，所述方法还包括：基于所述抗变形指标值，对所述硅片的生产过程进行处置。
12、第二方面，本申请提供了一种硅片测量系统，所述系统包括形貌测量模块、预处理模块和控制模块；所述形貌测量模块用于测量所述硅片的形貌，得到第一形貌数据；所述预处理模块用于对所述硅片进行预处理；所述形貌测量模块还用于测量预处理后的硅片的形貌，得到第二形貌数据；所述控制模块用于基于所述第一形貌数据和所述第二形貌数据，计算得到用于表征所述硅片的抗变形能力的抗变形指标值。
13、本申请提供了硅片测量方法及系统，首先，测量硅片的形貌，得到第一形貌数据；接下来，对硅片进行预处理；然后，测量预处理后的硅片的形貌，得到第二形貌数据；之后，基于第一形貌数据和第二形貌数据，计算得到用于表征硅片的抗变形能力的抗变形指标值。本申请通过对硅片在预处理前后的形貌变化进行测量，量化硅片的抗变形能力。当预处理操作为硅片生产过程所需要的操作时，本申请能够无损、精确地测量硅片的抗变形能力，并且，特别适用于量产环境中不同特性的硅片检测。此外，计算得到的抗变形指标值，可以用于确定生产中的过程控制措施，有利于提升硅片的生产效率和产品良率。
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1.一种硅片测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的硅片测量方法，其特征在于，所述测量所述硅片的形貌，得到第一形貌数据，包括：测量所述硅片的正面形貌和背面形貌，得到包括第一正面形貌数据和第一背面形貌数据在内的第一形貌数据；
3.根据权利要求2所述的硅片测量方法，其特征在于，所述基于所述第一形貌数据和所述第二形貌数据，计算得到用于表征所述硅片的抗变形能力的抗变形指标值，包括：
4.根据权利要求3所述的硅片测量方法，其特征在于，所述基于所述第一正面形貌数据、所述第一背面形貌数据、所述第二正面形貌数据和所述第二背面形貌数据，计算所述硅片的多个测量点相应的平面外变形量，包括：
5.根据权利要求1所述的硅片测量方法，其特征在于，所述硅片的形貌的测量方式包括电容式测量和/或光学式测量。
6.根据权利要求5所述的硅片测量方法，其特征在于，所述硅片的形貌的测量方式根据硅片表面的漫反射参数值和/或粗糙度参数值确定。
7.根据权利要求6所述的硅片测量方法，其特征在于，在所述漫反射参数值大于第一目标数值和/或
8.根据权利要求1所述的硅片测量方法，其特征在于，所述预处理包括热处理和/或薄膜沉积。
9.根据权利要求1所述的硅片测量方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.一种硅片测量系统，其特征在于，所述系统包括形貌测量模块、预处理模块和控制模块；
...【技术特征摘要】
1.一种硅片测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的硅片测量方法，其特征在于，所述测量所述硅片的形貌，得到第一形貌数据，包括：测量所述硅片的正面形貌和背面形貌，得到包括第一正面形貌数据和第一背面形貌数据在内的第一形貌数据；
3.根据权利要求2所述的硅片测量方法，其特征在于，所述基于所述第一形貌数据和所述第二形貌数据，计算得到用于表征所述硅片的抗变形能力的抗变形指标值，包括：
4.根据权利要求3所述的硅片测量方法，其特征在于，所述基于所述第一正面形貌数据、所述第一背面形貌数据、所述第二正面形貌数据和所述第二背面形貌数据，计算所述硅片的多个测量点相应的平面外变形量，包括：
5.根据权利要求1所述的硅片测量...
【专利技术属性】
技术研发人员：李安杰，兰洵，张婉婉，李彤，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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