【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模拟芯片，具体地涉及一种ldo电路、芯片和电子设备。
技术介绍
1、ldo(low drop-out regulator，低压差线性稳定器)在电路中能提供干净、稳定的电源以确保电路中的元件和器件能够正常工作，并减少电源噪声和波动对电路性能的影响。如图1所示，传统的ldo电路由基准电路、误差放大器、功率管、反馈网络等组成，其工作过程为：电路通过检测来自电阻反馈网络的输出电压，并与带隙基准提供的基准电压进行比对，再由误差放大器将比对后的压差信号放大，传输到功率管进行线性调整，使得输出电压与输入的参考电压维持相应的比值不变，产生稳定的电压输出。
2、但是，本申请专利技术人在实现本专利技术的过程中发现，传统的ldo电路需要基准电路、误差放大器等复杂度和功耗较高的模块，且当应用在具体系统中，需要保证mos管均工作在饱和区，这导致电路产生的功耗进一步增大，使得系统实现成本较高。
3、如此，本申请旨在提出一种针对ldo电路的新设计。
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的是提供一种ldo电路、芯片和电子设备，用于至少部分地解决上述技术问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种ldo电路，包括：输入电路，包括主晶体管，该输入电路接入参考电流，并至少通过所述主晶体管来对应输出参考电压；放大电路，其接入所述参考电压并进行放大；以及反馈电路，包括晶体管对管，该反馈电路一端经所述晶体管对管连接所述放大电路的输出端，另一端向所述放大电路反馈电压
3、可选地，所述输入电路包括：第十二晶体管m12，其漏极与栅极相连并接入第一路偏置电流bias1；作为所述主晶体管的第十一晶体管，其漏极与栅极相连并连接所述第十二晶体管m12的源极；以及第十晶体管m10，其漏极与栅极相连并接入第二路偏置电流bias2，其源极连接所述第十一晶体管m11的源极并接地。其中，所述第十二晶体管m12和所述第十晶体管m10各自的栅极分别用于输出一路参考电压。
4、可选地，所述放大电路包括：共栅的第八晶体管m8和第九晶体管m9，且两者的源极均接地，栅极则接入一路参考电压；共栅的第四晶体管m4和第七晶体管m7，且两者的栅极接入另一路参考电压，其中所述第四晶体管m4的源极连接所述第八晶体管m8的漏极并作为所述放大电路的输出端，而所述第七晶体管m7的源极连接所述第九晶体管m9的漏极；以及共栅的第五晶体管m5和第六晶体管m6，且两者的源极均接入工作电压，其中所述第五晶体管m5的漏极连接所述第四晶体管m4的漏极，而所述第六晶体管m6的漏极连接所述第七晶体管m7的漏极，所述第六晶体管m6的栅极还与其漏极相连。
5、可选地，所述放大电路还包括：第十四晶体管m14，其栅极与漏极相连并连接所述第八晶体管m8的漏极；以及第十三晶体管m13，其栅极与漏极相连并连接所述第十四晶体管m14的源极。
6、可选地，所述反馈电路包括：形成所述晶体管对的第二晶体管m2和第三晶体管m3，其中所述第二晶体管m2和第三晶体管m3各自的漏极和栅极相连后互相连接，所述第二晶体管m2的源极作为所述ldo电路的输出端，所述第三晶体管m3的源极连接所述放大电路的输出端；以及第一晶体管m1，其漏极连接所述第二晶体管m2的源极，源极接入工作电压，栅极连接所述放大电路以反馈电压。
7、可选地，所述反馈电路还包括：pmos管m0，其栅极接入预设偏置电流，源极连接所述第二晶体管m2的源极，漏极接地。
8、可选地，所述反馈电路还包括：第十五晶体管m15，其漏极与栅极相连并连接所述第一晶体管m1的栅极；以及第十六晶体管m16，其漏极与栅极相连并连接所述第十五晶体管m15的源极，其源极接入工作电压。
9、可选地，所述ldo电路还包括：补偿电路，其设置在所述反馈电路向所述放大电路反馈电压的反馈回路上，用于实现针对所述ldo电路的频率补偿。
10、另一方面，本专利技术实施例还提供一种芯片，该芯片集成有上述任意的ldo电路。
11、另一方面，本专利技术实施例还提供一种电子设备，包括上述任意的芯片。
12、通过上述技术方案，本专利技术实施例的ldo电路利用处于亚阈值区的一个主晶体管和一组晶体管对管，再配合放大电路的放大倍数，产生了一个可供ldo电路确定输出的电压，从而可以避免使用基准电路，电路简单且功耗低。
13、本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低压差线性稳定器LDO电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述输入电路(100)包括：
3.根据权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述放大电路(200)包括：
4.根据权利要求3所述的LDO电路，其特征在于，所述放大电路(200)还包括：
5.根据权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述反馈电路(300)包括：
6.根据权利要求5所述的LDO电路，其特征在于，所述反馈电路(300)还包括：
7.根据权利要求5所述的LDO电路，其特征在于，所述反馈电路(300)还包括：
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的LDO电路，其特征在于，所述LDO电路还包括：
9.一种芯片，其特征在于，所述芯片集成有权利要求1至8中任意一项所述的LDO电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9所述的芯片。
【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳定器ldo电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的ldo电路，其特征在于，所述输入电路(100)包括：
3.根据权利要求1所述的ldo电路，其特征在于，所述放大电路(200)包括：
4.根据权利要求3所述的ldo电路，其特征在于，所述放大电路(200)还包括：
5.根据权利要求1所述的ldo电路，其特征在于，所述反馈电路(300)包括：
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘杰，原义栋，胡毅，沈红伟，温立国，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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